英飛凌第六代 650 V CoolSiC肖特基二極體可快速切換

2017年10月02日 星期一
【科技日報陳復霞整理報導】

【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出650 V CoolSiC肖特基二極體G6。這項 CoolSiC二極體系列的最新發展以G5的獨特特性為基礎,提供可靠性、高品質及更高的效率。CoolSiC G6二極體讓600 V與650 V CoolMOS 7系列的功能更臻完善,適用於伺服器、PC電源、電信設備電源及PV變頻器等目前與未來的應用。

英飛凌新650 V CoolSiC肖特基二極體G6的設計可在所有負載情況下提供更高的效率,同時提高系統功率密度。
英飛凌新650 V CoolSiC肖特基二極體G6的設計可在所有負載情況下提供更高的效率,同時提高系統功率密度。

650 V CoolSiC肖特基二極體G6具備全新配置、全新單元結構以及全新專有的肖特基材料系統,因此達成了業界標竿的VF (1.25 V) 以及 Qc x VF優質係數 (FOM) 較前代產品低了17%。另外,新款G6二極體運用碳化矽的強大特性,包括不受溫度影響的切換特性以及無逆向回復電荷等。

此裝置的設計可在所有負載情況下提供更高的效率,同時提高系統功率密度,因此,650 V CoolSiC肖特基二極體G6的散熱需求降低、系統可靠性提升,並提供極快的切換速度,是最具性價比的SiC二極體產品世代。CoolSiC肖特基二極體650 V G6已開始供貨。


關鍵字: 肖特基二極體   伺服器   PC電源   電信設備電源   PV變頻器   Infineon ( 英飛凌 )   Infineon ( 英飛凌 )   系統單晶片