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ADAS 前置攝影機設計的電源供應四大挑戰 (2024.03.25)
在先進駕駛輔助系統(ADAS)中,可輔助提升整體功能的前置攝影機不可或缺,而ADAS前置攝影機設計在電源供應方面,需面對精巧尺寸、功能安全、低成本及散熱性能等多項挑戰
英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度
TI新型功率轉換器突破電源設計極限 助工程師實現更高功率密度 (2024.03.06)
德州儀器(TI)推出兩款新型功率轉換器產品組合,協助工程師在更小的空間內實現更大的功率,以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化鎵(GaN)功率級採用耐熱增強型雙面冷卻封裝技術,可簡化散熱設計並在中電壓應用裡實現超過1.5kW/in3的最高功率密度
電源模組在過渡到48V 區域架構提供決定性優勢 (2024.02.06)
xEV應用的48V電源架構、zonal架構、模組化方法、以及48V電源架構的電氣化挑戰。
Transphorm全新參考設計應用於兩輪和三輪電動車電池充電器 (2023.12.21)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm推出兩款針對電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓(CC/CV)電池充電器採用Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN元件,以成本實現高效的AC-DC 功率轉換和高功率密度
意法半導體1350V新系列IGBT電晶體符合高功率應用 (2023.11.21)
為了在所有運作條件下確保電晶體產生更大的設計餘量、耐受性能和高可靠性,意法半導體(STMicroelectronics)推出新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V,最高作業溫度高達175°C,具有更高的額定值
英飛凌完成收購GaN Systems 成為氮化鎵龍頭企業 (2023.10.25)
英飛凌科技宣佈完成收購 GaN Systems 公司。這家總部位於加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批,交易結束後,GaN Systems 已正式成為英飛凌的一部分
PI以IC顛峰效率為aCentauri太陽能賽車隊執行關鍵任務功能 (2023.10.23)
Power Integrations這家節能功率轉換之高壓積體電路領域的領導廠商,將為 aCentauri 車隊提供先進的 PowiGaN 氮化鎵 (GaN) 技術、專家設計支援和財務贊助,協助他們參加本月下旬舉辦的 3,000 公里普利司通世界太陽能車挑戰賽
ROHM超高速奈秒級閘極驅動器IC可大幅發揮GaN元件性能 (2023.10.19)
近年來在伺服器系統等應用領域,由於物聯網(IoT)設備的需求漸增,關於電源部分的功率轉換效率提升和設備小型化已成為重要課題,要求功率元件需不斷進行優化。另外,不僅在自動駕駛、工控設備和社會基礎建設監控等應用領域中也非常廣泛的LiDAR,也需要透過高速脈衝雷射光照射來進一步提高辨識精度
Transphorm氮化鎵元件助力DAH Solar微型逆變器光伏系統 (2023.10.12)
世界首個整合型光伏(PV)系統採用Transphorm氮化鎵平台,DAH Solar是安徽大恆新能源技術公司子公司。該整合型光伏系統已應用在大恆能源的最新SolarUnit 產品。DAH Solar認為系統中所使用的Transphorm的GaN FET元件
宜普:氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵 (GaN)技術在各產業中扮演起重要的角色,中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外,中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司,並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展
ROHM推出EcoGaN Power Stage IC 可助減少應用損耗及實現小型化 (2023.09.04)
近年來消費性電子和工控設備的電源在節能方面的要求升高,以期實現永續發展,因而能夠幫助提高功率轉換效率和實現元件小型化的GaN HEMT受到關注。但與Si MOSFET比較之下,GaN HEMT的閘極處理較為困難,必須與驅動閘極用的驅動器結合使用
TI 以準確霍爾感測器及整合式分流方案簡化電流感測 (2023.08.25)
德州儀器(TI)是先進感測技術的領導者,今日推出全新電流感測器,幫助工程師簡化設計並提高準確度。全新產品專為各種共模電壓和溫度設計,包括適用高電壓系統的最低漂移隔離式霍爾效應電流感測器,以及電流分流監控器產品組合,無需外部分流電阻器即可實現非隔離式電壓軌
光寶與成大啟用聯合研發中心 聚焦電力電子、智慧電網、人工智慧 (2023.08.03)
光寶科技與國立成功大學宣布共組「光寶-成大聯合研發中心」,日前於成大勝利校區未來館舉行啟動儀式。研發中心以跨領域、前瞻性、永續性三大目標,聚焦於先進電力電子、智慧電網、人工智慧等關鍵技術領域
ST:提供全面系統解決方案 為工業激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
利用意法半導體2023年工業巡迴論壇的機會,CTIMES零組件雜誌也特別專訪了意法半導體亞太區功率離散和類比產品部行銷和應用副總裁 Francesco Muggeri,詳細闡述ST在工業領域的技術創新
意法半導體ST-ONE系列USD PD控制器提升功率至140W (2023.07.12)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)率先推出通過USB-IF之USB Power Delivery Extended Power Range(USB PD 3.1 EPR)規範認證的整合化數位控制器晶片ST-ONEHP。 ST-ONEHP為ST-ONE系列中的第三款控制器,其輸出電壓為28V,可簡化最高額定功率140W的充電器和電源轉接器的開發設計
ROHM與Vitesco簽署SiC功率元件長期供貨合作協定 (2023.06.20)
SiC(碳化矽)功率元件領域的領先企業ROHM(羅姆半導體)與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型製造商Vitesco Technologies(緯湃科技)簽署SiC功率元件的長期供貨合作協定
Transphorm發佈首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模擬模型 (2023.06.19)
全球高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品供應商Transphorm推出新款1200伏功率管模擬模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今業界可見推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體
Transphorm新款SuperGaN FET驅動器方案適合中低功率應用 (2023.06.16)
全球氮化鎵(GaN)功率轉換產品供應商Transphorm 發佈一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案針對中低功率的應用,適用於LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電競電腦,強化公司在此30億美元電力市場客戶的價值主張
Littelfuse推出LTKAK2-L系列大功率瞬態電壓抑制二極體 (2023.06.13)
Littelfuse公司宣佈推出最新產品LTKAK2-L系列大功率瞬態電壓抑制二極體(TVS Diodes), 其採用表面貼裝(surface mount)的解決方案滿足了市場對相容自動化PCB組裝製程的高浪湧額定值TVS二極體的需求


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