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安森美推出全新650V碳化矽MOSFET系列 满足车规与工规应用需求 (2021.02.18)
安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET装置,适用於对功率密度、能效和可靠性要求极高的应用。设计人员用新的SiC装置取代现有的矽开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、伺服器电源(PSU)、电信和不断电供应系统(UPS)等应用中实现显着的更隹性能
英飞凌携手GT Advanced Technologies 扩大碳化矽供应 (2020.11.13)
英飞凌科技与GT Advanced Technologies签署碳化矽(SiC)晶棒供货协议,该合约的初始期限为五年。透过这份供货合约,英飞凌进一步确保满足其在该领域不断增长的需求。 英飞凌工业电源控制事业部总裁Peter Wawer表示:「我们看到对碳化矽开关的需求在稳步增长,特别是在工业应用方面
Microchip推出最新汽车用700和1200V碳化矽萧特基二极体 (2020.10.29)
汽车电气化浪潮正席卷全球,电动汽车搭载的马达、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化矽(SiC)等创新电源技术。Microchip今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化矽(SiC)萧特基二极体(SBD)功率元件,为电动汽车(EV)系统设计人员提供了符合严苛汽车品质标准的解决方案,同时支援丰富的电压、电流和封装选项
联合碳化矽与益登签署代理协议 加速导入碳化矽技术 (2020.09.16)
碳化矽(SiC)功率半导体制造商联合碳化矽宣布与半导体元件代理商与解决方案供应商益登科技签署代理协议。益登将与联合碳化矽合作,助其将产品推向亚洲市场,为包括电动汽车、电池充电、IT基础建设、可再生能源和电路保护等高速成长应用领域的客户提供产品方案
英飞凌推出伺服马达专用的碳化矽MADK评估板 (2020.09.09)
马达应用占了电力电子应用市场的主要区块。英飞凌科技宣布推出CoolSiC MOSFET模组化应用设计套件(MADK)评估板,有助缩短该相关应用的产品上市时间。EVAL-M5-IMZ120R-SIC评估板是最高7.5kW马达的MADK平台系列之一员,特别针对伺服马达应用所设计的3相变频器板
英飞??推出分离式CoolSiC MOSFET模组化评估平台 助碳化矽成为主流 (2020.05.25)
双脉冲测试是设计人员要了解功率装置切换特性的标准程序。为方便测试1200V CoolSiC MOSFET采用TO247 3针脚和4针脚封装的驱动选项,英飞凌科技推出模组化评估平台,其核心包含一个主板与可互换的驱动器卡板,驱动器选项包括米勒钳制和双极供电卡;其他版本将於近期内推出
GTAT和安森美半导体签署碳化矽材料供应协议 提高宽能隙材料全球供应 (2020.03.19)
GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半导体(ON Semiconductor),宣布执行一项为期五年的协议,总价值可达5,000万美元。根据该协定,GTAT将向高能效创新的全球领袖之一的安森美半导体生产和供应CrystX 碳化矽(SiC)材料,用於高增长市场和应用
Microchip扩展碳化矽电源晶片产品线 提升能源效率、尺寸和可靠性 (2020.03.17)
业界希??基於碳化矽(SiC)的系统能大幅提升效率、减小尺寸和重量,协助工程师研发创新的电源解决方案;这一需求正在持续、快速地增长。SiC技术的应用场景包括电动汽车、充电站、智慧电网、工业电力系统、飞机电力系统等
罗姆子公司SiCrystal和意法半导体宣布碳化矽晶圆长期供应协议 (2020.01.16)
罗姆和半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics;ST)宣布与罗姆集团旗下在欧洲SiC晶圆市占率第一的SiCrystal公司签署一项碳化矽(SiC)晶圆长期供应协议。协定规定,SiCrystal向意法半导体提供总价超过1.2亿美元之先进150mm碳化矽晶片,满足时下市场对碳化矽功率元件日益成长的需求
ROHM旗下SiCrystal与ST达成碳化矽晶圆长期供货协议 (2020.01.15)
半导体制造商ROHM和意法半导体(ST)宣布,双方已就罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH(SiCrystal)长期供应碳化矽(SiC)晶圆事宜达成协定。 在SiC功率元件快速发展及其需求急速增长的背景下,双方达成价值超过1.2亿美元的协议,由拥有欧洲最大SiC晶圆产能的SiCrystal,针对为多样电子设备供货的全球半导体厂ST,提供先进的150mm SiC晶圆
Cree和ST扩大现有碳化矽晶圆供货协定并延长协定期限 (2019.11.22)
Cree和半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,ST)宣布,双方将现有碳化矽(SiC)晶圆多年长期供货协定总价提升至5亿美元以上,并延长协定有效期限。这份延长供货协议相较原合约总价提升一倍
科锐与采埃孚推进电驱动领域合作 (2019.11.06)
全球碳化矽(SiC)半导体企业科锐(Cree, Inc.)与德国采埃孚(ZF Friedrichshafen AG)宣布达成战略合作,开发业界领先的高效率电传动设备。 通过此次战略合作,科锐与采埃孚将强化现有的合作
碳化矽半导体可提升电动车效率 博世让电动交通科技往前迈进一步 (2019.10.25)
现今汽车已大量使用半导体。实际上,每一台新车使用超过50颗半导体。博世开发的新型碳化矽(SiC)晶片,将让电动交通再向前迈进一大步。未来此种特殊材料所制造的晶片将会引领电动车与油电混合车控制器的电力电子技术的发展
Cree和意法半导体宣布碳化矽晶圆长期供货协议 (2019.01.10)
Cree宣布签署一份长期供货协议,为横跨多重电子应用领域的全球领先半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST)生产和供应Wolfspeed 碳化矽(SiC)晶圆。按照该协议规定,在目前碳化矽功率元件市场需求明显成长的期间,Cree将向意法半导体提供价值2.5亿美元之150mm先进碳化矽裸晶圆与磊晶晶圆
英飞凌收购碳化矽商Siltectra SiC晶片产能将倍增 (2018.11.19)
英飞凌科技宣布收购位於德国德勒斯登的新创公司 Siltectra 。该新创公司开发一种创新的冷切割技术 ( Cold Split ),可有效处理晶体材料,并可大幅减少材料损耗。英飞凌将采用此 Cold Split 技术分割碳化矽 (SiC) 晶圆,使晶圆产出双倍的晶片数量
UnitedSiC发布全新UF3C FAST碳化矽FET系列产品 (2018.11.06)
碳化矽(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相较现有UJC3系列,FAST系列具有更快的切换速度和更高的效率水准
Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充碳化矽MOSFET器件组合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET产品的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化矽MOSFET和萧特基二极体的强有力补充
碳化矽晶圆全球产能有限 市场仍处於短缺中 (2018.10.07)
相较於矽(Si),采用碳化矽(SiC)基材的元件性能优势十分的显着,尤其是在高压与高频的性能上,然而,这些优势却始终未能转换成市场规模,主要的原因就出在碳化矽晶圆的制造和产能的不顺畅
低耗能、小型化 碳化矽的时代新使命 (2018.10.03)
为了让电子产品能朝低耗能、高效率与小型化等三大主流趋势发展,便需要效率更高、性能更好且要能小型化的新一代功率元件。碳化矽独特的物理特性,正适合用於满足这些需求
碳化矽元件的市场发展关键:晶圆制造 (2018.10.03)
碳化矽有很高的硬度,仅次於金刚石,需要在极高温才能烧熔,再加上生产条件的控制难度大,导致碳化矽晶圆量产不易,直接影响了终端晶片与应用的发展。


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