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英飞凌碳化矽功率半导体成功应用於丰田 bZ4X 新车款 (2026.03.03)
英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布，全球最大汽车制造商丰田 (TOYOTA) 已在其新款车型bZ4X中采用了英飞凌CoolSiC MOSFET（碳化矽功率MOSFET）产品
英飞凌碳化矽功率半导体成功应用於丰田 bZ4X 新车款 (2026.03.03)
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英飞凌CoolSiC MOSFET 750 V G2系列提供超低导通电阻和新型封装 (2026.01.27)
为了提供汽车和工业电源应用超高系统效率和功率密度，英飞凌科技（Infineon）推出全新封装CoolSiC MOSFET 750V G2系列。该系列现提供 Q-DPAK、D2PAK等多种封装，产品组合覆盖在25
英飞凌CoolSiC MOSFET 750 V G2系列提供超低导通电阻和新型封装 (2026.01.27)
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英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC (2024.10.28)
许多工业应用如今可以透过提高直流母线电压以求功率损耗最低时，也朝向更高的功率水准。因应此需求，英飞凌科技（Infineon）推出CoolSiC萧特基二极体2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立式SiC二极体，适用於直流母线电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A 至80 A，符合光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用
英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC (2024.10.28)
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英飞凌HybridPACK Drive G2 Fusion结合矽和碳化矽至电动汽车先进电源模组 (2024.10.16)
英飞凌科技推出HybridPACK Drive G2 Fusion，为电动汽车领域的牵引逆变器确立新的电源模组标准。HybridPACK Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌矽（Si）和碳化矽（SiC）技术，可随??即用的电源模组
英飞凌HybridPACK Drive G2 Fusion结合矽和碳化矽至电动汽车先进电源模组 (2024.10.16)
英飞凌科技推出HybridPACK Drive G2 Fusion，为电动汽车领域的牵引逆变器确立新的电源模组标准。HybridPACK Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌矽（Si）和碳化矽（SiC）技术，可随??即用的电源模组
英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26)
随着人工智慧（AI）处理器对功率的要求日益提高，伺服器电源（PSU）必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上
英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26)
随着人工智慧（AI）处理器对功率的要求日益提高，伺服器电源（PSU）必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上
英飞凌功率半导体为麦田能源提升储能应用效能 (2024.04.19)
近年来全球光储系统（PV-ES）市场快速增长。光储市场竞争加速，提高功率密度成为厂商得胜关键；英飞凌科技（Infineon）为逆变器及储能系统制造商麦田能源提供功率半导体元件，共同推动绿色能源发展
英飞凌功率半导体为麦田能源提升储能应用效能 (2024.04.19)
近年来全球光储系统（PV-ES）市场快速增长。光储市场竞争加速，提高功率密度成为厂商得胜关键；英飞凌科技（Infineon）为逆变器及储能系统制造商麦田能源提供功率半导体元件，共同推动绿色能源发展
英飞??全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列促进汽车和工业发展 (2024.03.29)
英飞凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以满足工业和汽车电源应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级 SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双主动式桥式（DAB）、HERIC、降压/升压和相移全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化
英飞??全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列促进汽车和工业发展 (2024.03.29)
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英飞凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 产品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飞凌科技（Infineon）推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V装置，除了能够满足设计人员对更高功率密度的需求，即使面对严格的高电压和开关频率要求，也能够维持系统的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率
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英飞凌与英飞源合作 拓展新能源汽车充电市场 (2023.09.25)
基於碳化矽（SiC）的功率半导体具有高效率、高功率密度、高耐压和高可靠性等诸多优势，为实现新应用和推进充电站技术创新创造了机会。近日，英飞凌科技宣布与中国的新能源汽车充电市场相关企业英飞源 (INFY) 达成合作
英飞凌与英飞源合作 拓展新能源汽车充电市场 (2023.09.25)
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英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展 (2023.07.05)
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本
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