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專為可攜式電源而設計： 英飛凌CoolGaN BDS 40 V G3系列可縮減82%的占板面積 (2026.05.28)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展了其CoolGaN BDS 40 V G3雙向開關（BDS）系列，推出了兩款新產品：IGK048B041S和IGK120B041S |
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Microchip 推出 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，支援 AI 資料中心固態變壓器應用 (2026.05.28)
Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，專為加速 AI 超大規模資料中心與其他高電壓電力應用導入固態變壓器（Solid-State Transformer, SST）而設計。新模組於業界標準 62 mm 封裝中整合 3.3 kV 碳化矽（SiC）mSiC MOSFET 與蕭特基二極體，可實現從中壓電網直接向伺服器機櫃提供高效率電力傳輸 |
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ROHM開發出第5代SiC MOSFET，高溫下導通電阻可降低約30%！ (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出全新一代EcoSiC—「第5世代SiC MOSFET」，非常適用於xEV（電動車）牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統，以及AI伺服器電源和資料中心等工業設備電源 |
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ROHM開發出擴充性出色的車載SoC適用電源解決方案 (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出結合PMIC*1「BD968xx-C系列」和DrMOS*2「BD96340MFF-C」的全新電源解決方案，適用於ADAS（先進駕駛輔助系統）、DMS（駕駛監控系統）和感測相機等車載應用SoC*3 |
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設計汽車過壓保護原型 (2026.05.18)
本文介紹如何使用拋負載保護電路來防止原型製作過程中出現意外的過壓/反向電壓情況。這種簡單的電路能夠在因一時疏忽而接錯電源時，保護電路不受損壞，進而避免數小時的重工時間 |
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IC設計整合多效能實現智慧行動電源 (2026.05.15)
本文介紹一種採用ADI產品設計的智慧行動電源充電器，其彈性設定能夠接受多種輸入電源，並在智慧管理電池充電的同時為負載供電。 |
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國科會核准5案進駐科學園區 投資7.9億元布局SiC與AI設計服務 (2026.05.11)
國科會於第32次園區審議會中核准5案進駐科學園區，總投資金額達新臺幣7.9億元。本次核准案涵蓋綠能環保、第三代半導體及ASIC設計服務，顯見科學園區持續吸引高階技術投資，完善臺灣高科技產業鏈布局，並對接全球淨零碳排趨勢與AI運算需求 |
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2026 ASMC半導體製造會議開幕 聚焦Glass4Chips與離子注入 (2026.05.11)
「ASMC 2026（Advanced Semiconductor Manufacturing Conference）」在紐約州正式揭幕。本屆會議匯集了英飛凌（Infineon）、意法半導體（STMicroelectronics）及應用材料（Applied Materials）等龍頭，核心焦點在於透過創新材料與優化設備解決3奈米以下製程的量產挑戰 |
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高功率密度DC/DC模組驅動AI電力效率升級 (2026.05.11)
人工智慧與高效能運算推升資料中心功率密度，傳統配電架構面臨效率與擴充瓶頸。800V HVDC透過高壓低流設計，結合高功率密度電源模組，成為高效能電力系統關鍵技術。 |
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利用運算放大器實現可調線性穩壓電源與訊號產生器 (2026.05.11)
運算放大器是一種高增益的電子元件，主要用來放大電壓訊號。它是一種差動放大器，輸出取決於兩個輸入端之間的電壓差。 |
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英飛凌半導體技術在Artemis II太空任務中展現可靠性 (2026.04.16)
美國太空總署 (NASA) 的阿提米絲二號 (Artemis II) 任務在完成為期十天的太空飛行後成功返回地球。此次任務中不僅完成繞月飛行，還創下了載人太空船距離地球最遠的飛行紀錄 |
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Microchip 發表 BZPACK mSiC 功率模組，專為嚴苛環境中的高要求應用而設計 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組，專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）標準而設計。BZPACK 模組可提供卓越的可靠性、簡化製造流程，並為最嚴苛的電力轉換環境提供多樣化的系統整合選項 |
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Microchip 發表 BZPACK mSiC 功率模組，專為嚴苛環境中的高要求應用而設計 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組，專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）標準而設計。BZPACK 模組可提供卓越的可靠性、簡化製造流程，並為最嚴苛的電力轉換環境提供多樣化的系統整合選項 |
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Microchip 發表 BZPACK mSiCR 功率模組，專為嚴苛環境中的高要求應用而設計 (2026.03.20)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組，專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）標準而設計。BZPACK 模組可提供卓越的可靠性、簡化製造流程，並為最嚴苛的電力轉換環境提供多樣化的系統整合選項 |
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Microchip 發表 BZPACK mSiCR 功率模組，專為嚴苛環境中的高要求應用而設計 (2026.03.20)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組，專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）標準而設計。BZPACK 模組可提供卓越的可靠性、簡化製造流程，並為最嚴苛的電力轉換環境提供多樣化的系統整合選項 |
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IBM與Lam Research啟動5年合作進軍次1奈米邏輯製程 (2026.03.11)
IBM與半導體設備商科林研發（Lam Research）共同宣佈一項為期5年的戰略合作計畫，目標要達成「次1奈米（Sub-1nm）」邏輯晶片的技術開發。這項聯盟將結合IBM在先進半導體材料的研究實力，以及Lam Research在製程設備上的專業，共同應對未來AI數據中心與高效能運算（HPC）對極致算力的渴求 |
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IBM與Lam Research啟動5年合作進軍次1奈米邏輯製程 (2026.03.11)
IBM與半導體設備商科林研發（Lam Research）共同宣佈一項為期5年的戰略合作計畫，目標要達成「次1奈米（Sub-1nm）」邏輯晶片的技術開發。這項聯盟將結合IBM在先進半導體材料的研究實力，以及Lam Research在製程設備上的專業，共同應對未來AI數據中心與高效能運算（HPC）對極致算力的渴求 |
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英飛凌碳化矽功率半導體成功應用於豐田 bZ4X 新車款 (2026.03.03)
英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣佈，全球最大汽車製造商豐田 (TOYOTA) 已在其新款車型bZ4X中採用了英飛凌CoolSiC MOSFET（碳化矽功率MOSFET）產品 |
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英飛凌碳化矽功率半導體成功應用於豐田 bZ4X 新車款 (2026.03.03)
英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣佈，全球最大汽車製造商豐田 (TOYOTA) 已在其新款車型bZ4X中採用了英飛凌CoolSiC MOSFET（碳化矽功率MOSFET）產品 |
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貿澤電子透過專為工程師建立的馬達控制資源中心 推動卓越的電子設計 (2026.02.23)
貿澤電子 (Mouser Electronics) 透過其線上馬達控制資源中心，幫助工程師在馬達控制設計領域保持領先。先進的馬達控制旨在精確調節馬達的速度、扭力和位置。這些創新對於新一代移動及電動車 (EV) 系統至關重要，提高了效率和續航里程 |
