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CREE投資10億美元 擴大SiC碳化矽產能 (2019.05.08)
Cree 宣佈,將投資10億美元用於擴大SiC碳化矽產能,在公司美國總部北卡羅萊納州特勒姆市建造一座採用最先進技術的自動化200mm SiC碳化矽生產工廠和一座材料超級工廠。 該項目為該公司至今最大的投資,將為Wolfspeed SiC碳化矽和GaN-on-SiC碳化矽基氮化鎵業務提供動能
MACOM攜手意法半導體提升矽基氮化鎵產能以支援5G無線網路建設 (2019.03.07)
MACOM和意法半導體將在2019年擴大ST工廠在150mm矽基氮化鎵的產能,而200mm的矽基氮化鎵依需求擴產。該擴產計畫旨在支援全球5G電信網建設,其基於2018年初MACOM和ST所宣佈達成的矽基氮化鎵協議
意法半導體和Leti合作開發矽基氮化鎵功率轉換技術 (2018.09.28)
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研發矽基氮化鎵(GaN)功率切換元件製造技術。該矽基氮化鎵功率技術將讓意法半導體滿足高效能、高功率的應用需求,包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器
貿澤供應Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體 適合航空電子應用 (2018.05.31)
貿澤電子即日起開始供應Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 電晶體。 QPD1025在65V的運作功率達1.8 kW,為業界功率最高的碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻電晶體,擁有高訊號完整度和延伸的涵蓋範圍,適合L波段航空電子和敵我識別 (IFF) 應用
Cree收購英飛凌RF Power業務 擴展4G/5G無線市場 (2018.03.08)
LED照明大廠Cree宣布,收購德國英飛凌射頻功率(RF Power)業務之資產,收購金額約3.45億歐元。這項交易將擴展Cree旗下Wolfspeed事業體在無線市場之商機。交易已經完成並於 3月 6 日生效


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