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獨創低功耗UWB接收器 具10倍抗擾力排除Wi-Fi與後5G訊號 (2024.02.21)
於本周舉行的國際固態電路會議(ISSCC)上,比利時微電子研究中心(imec)發表了一款獨特的低功耗超寬頻(UWB)接收器;與現有的先進UWB裝置相較,該晶片的抗擾性能提升10倍,有效抵擋來自Wi-Fi和5G(以後的)訊號
群聯全系列UFS儲存方案建構行動儲存高效能 (2024.01.29)
群聯電子 (Phison)推出全系列UFS晶片(PS8325、PS8327、PS8329、PS8361),涵蓋入門、中階到旗艦款手機,打造行動儲存高效能,全面升級UFS產品線的競爭力。 隨著5G入門款手機機種的儲存裝置逐漸從eMMC轉換到UFS 2.2儲存裝置,甚至4G手機旗艦機種也開始採用UFS 2.2規格
聯電第三季營運受惠於電腦及通訊需求 22/28奈米營收占比達32% (2023.10.25)
聯華電子今(25)日公佈2023年第三季營運報告,合併營收為新台幣570.7億元,較上季的563億元成長1.4%。與2022年第三季的753.9億元相比,本季合併營收減少24.3%。第三季毛利率為35.9%
力旺和聯電合作22奈米RRAM可靠度驗證 對應AIoT與行動通訊市場 (2023.03.28)
力旺電子與聯華電子今(28)日宣布,力旺的可變電阻式記憶體(RRAM)矽智財已通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證,為聯電的AIoT與行動通訊應用平台提供更多元的嵌入式記憶體解決方案
聯電推出28奈米嵌入式高壓製程 適用手機、VR/AR顯示器 (2023.03.02)
聯華電子今(2)日發佈28奈米嵌入式高壓(eHV)製程之最新加強版28eHV+平台。28eHV+平台為下一代智慧手機、VR/AR設備及物聯網適用的最佳化顯示器驅動IC解決方案。 相較於聯電現有的28奈米eHV製程,新的28eHV+解決方案可在不影響圖像畫質或資料速率的前提下,降低耗能可達到15%
台灣團隊創新研發佳績 2023 ISSCC入選23篇論文搶先發表 (2022.11.15)
國際固態電路研討會(International Solid-State Circuits Conference;ISSCC)向來有IC設計領域奧林匹克大會之稱,將於2023年2月19日至23日在美國舊金山舉行。台灣共有23篇論文入選,不僅較2022年多8篇獲選,同時創下近五年來獲選論文數量最多的佳績!展現台灣先進半導體與固態電路領域技術研發的實力斐然
聯電攜手Avalanche 推出航太用高密度P-SRAM裝置 (2022.09.13)
半導體晶圓廠商聯華電子與專精於MRAM技術的創新公司 Avalanche Technology於今(13)日推出具有高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體(Persistent Static Random Access Memory;P-SRAM)
工業儲存技術再進化! (2022.08.26)
近年來,半導體先進製程微縮趨勢帶動下,加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進,3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據
關於台積電的2奈米製程,我們該注意什麼? (2022.07.29)
台積在6月底正式宣布了他們的2nm技術藍圖,有什麼重要性?又會帶出哪些半導體製造技術的風向球?本文就從技術演進,以及市場競爭與成本的角度來切入分析。
高通為新一代穿戴式連網裝置推出Snapdragon W5+和W5平台 (2022.07.20)
高通技術公司今日發表旗下頂級穿戴式裝置平台系列最新產品Snapdragon W5+Gen 1和Snapdragon W5 Gen 1。兩個全新平台專為新一代穿戴式連網裝置設計,具備超低功耗和前所未有的效能,同時著重帶來持久的電池續航力、頂級的使用者體驗和時尚創新的設計
工研院攜手台積、陽明交大 在VLSI發表頂尖磁性記憶體技術 (2022.06.15)
工研院在今(15)日宣布,與台積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體(Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory;SOT-MRAM)陣列晶片;另外,工研院也攜手國立陽明交通大學,研發出工作溫度橫跨近400度之新興磁性記憶體技術
車用晶片供需2023年見真章! (2022.03.29)
由於設備建置與認證需要至少約一年的時間,產能最快2023年開出。因此,2022年車用晶片雖然不若2021年吃緊,供需恢復正常最快也要等到2023年。
聯電宣布在新加坡設立22奈米新廠 (2022.03.01)
聯華電子宣布,董事會通過在新加坡Fab12i廠區擴建一座嶄新的先進晶圓廠計畫。新廠第一期的月產能規劃為30,000片晶圓,預計於2024年底開始量產。 聯電這座新廠(Fab12i P3)是新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一,提供22/28奈米製程,總投資金額為50億美元
M31科技推出基於Arm架構的AI處理器核心設計套件 (2021.12.20)
M31 Technology近日宣佈其採用Arm技術架構,已成功開發針對機器學習與人工智慧應用的Arm處理器IP,包含Arm Cortex-M55 處理器及Arm Ethos-U55(NPU),實現晶片內(on-chip)處理器IP核心實作的最佳化,能協助先進處理器核心達到最大效能、縮小面積並降低功耗,同時減少50% 自行整合時間
力旺攜手聯電推出新興非揮發記憶體ReRAM矽智財 (2021.11.04)
力旺電子與聯電(UMC)今日宣布,力旺電子的可變電阻式記憶體(ReRAM)矽智財已成功通過聯電40奈米認證,支援消費性與工業規格之應用。 力旺電子的ReRAM矽智財於聯電40奈米製程驗證成功,充分顯示力旺不但在傳統非揮發記憶體矽智財產品線穩居領先地位,也在新興非揮發記憶體技術研發佈局有成
聯華電子與頎邦科技 經股份交換建立策略合作關係 (2021.09.06)
聯華電子、宏誠創投(聯電持股100%子公司)及頎邦科技董事會今日分別通過股份交換案,聯華電子及頎邦科技兩家公司將建立長期策略合作關係。 聯電以先進製程技術提供晶圓製造服務,為IC產業各項應用產品生產晶片,並且持續推出尖端製程技術及完整的解決方案,以符合客戶的晶片設計需求,所提供方案橫跨14奈米到0
英特爾加速製程與封裝創新 驅動領導力產品路線 (2021.07.28)
英特爾首次詳盡揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃,並宣布一系列基礎創新,為2025年及其之後的產品注入動力。除了首次發表全新電晶體架構RibbonFET外,尚有稱作PowerVia之業界首款背部供電的方案
Cadence與聯電合作開發22ULP/ULL製程認證 加速5G與車用設計 (2021.07.13)
聯華電子今日宣布,Cadence優化的數位全流程,已獲得聯華電子22 奈米超低功耗 (ULP) 與 22 奈米超低漏電 (ULL) 製程技術認證,以加速消費、5G 和汽車應用設計。該流程結合了用於超低功耗設計的領先設計實現和簽核技術,協助共同客戶完成高品質的設計並實現更快的晶片設計定案 (tapeout) 流程
進擊消費型筆電 聯發科Wi-Fi 6晶片組導入華碩最新電競筆電 (2021.03.18)
聯發科技最新MT7921 Wi-Fi 6晶片組將搭載於華碩新款ROG玩家共和國和TUF系列電競筆電,提供高性能、低功耗、低延遲的無線網路技術。ROG玩家共和國和TUF系列電競筆電為首款採用聯發科技Wi-Fi 6無線上網解決方案的消費型筆電產品
打造更美好的人工智慧晶片 (2020.11.13)
由於7奈米及更先進製程愈趨複雜昂貴,正採用不同方法來提高效能,亦即降低工作電壓並使用新IP區塊來強化12奈米節點,而這些改變對於AI加速器特別有效。


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