CTIMES - 搜尋：PnP

自走式電器上的電池放電保護 (2023.11.26)
使用MOSFET作為理想二極體，能夠為新一代自動化電器提供穩健可靠的安全防護。

利用IO-Link技術建置小型高能效工業現場感測器 (2023.01.30)
IO-Link協定是一種比較新的工業感測器標準，現場使用支援IO-Link標準的解決方案，能夠滿足「工業4.0」、智慧感測器和可重新配置的廠區部署等需求。

Diodes的雙極電晶體採用3.3mm x 3.3mm封裝並提供更高的功率密度 (2019.03.12)
Diodes公司推出NPN與PNP功率雙極電晶體，採用小尺寸封裝(3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達100V與3A的應用提供更高的功率密度。新款NPN與PNP電晶體的尺寸較小，可在閘極驅動功率MOSFET與IGBT、線性DC-DC降壓穩壓器、PNP LDO及負載開關電路，提供更高的功率密度設計

科技部與PnP 引領台灣新創團隊前進美國矽谷 (2018.08.27)
由科技部指導、國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心執行之「亞洲矽谷創新創業鏈結計畫－預見新創」，今年持續與Plug and Play Tech Center (PnP) 合作，於美西時間8月23日假美國矽谷的PnP舉辦新創媒合會【Taiwan Demo Day】活動

Taiwan Demo Day--台灣新創團隊站上國際舞台 (2017.09.25)
科技部「預見新創」計畫於今年7月遴選出10組優秀團隊前往矽谷參與為期一個月的創新創業培訓課程，「預見新創」團隊在歷經完整培訓後，於美西時間2017年9月21日（台灣時間9月22日）在矽谷舉辦「Taiwan Demo Day」

汽車資訊娛樂系統的主動式天線驅動器 (2015.04.02)
新的 TLF4277-2 穩壓器已通過 AEC 汽車認證，同時更符合 RoHS 和 WEE 標準，是一項環保的產品。採用 PG-SSOP-14 EP 封裝，可在 SO-8 尺寸下提供更加強化的熱效能。單晶片解決方案適合為主動式天線供電，效能和可靠性更佳，系統成本更低

Diodes全新微型電晶體佔位面積縮減40% (2015.01.30)
Diodes公司推出採用DFN0606封裝的NPN電晶體MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP電晶體MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產品的電路板面積僅0.36mm2，比採用DFN1006 (SOT883) 封裝的同類型元件小40%，並能提供相等甚至更佳的電氣效能

凌力爾特FMEA相容、45V LDO具備可操作於寬廣溫度範圍 (2014.12.15)
凌力爾特(Linear)日前發表寬廣溫度範圍的H等級版本LT3007。其為該公司高壓、微功耗、強固的PNP-based LDO系列最新元件，具有3uA超低靜態電流。H等級攝氏150度接面溫度符合高溫或高功率汽車及工業應用需求

Lantiq新一代DUSLIC XS為家用CPE裝置設立準則 (2014.10.24)
Lantiq（領特公司）發佈適用於客戶端（customer premise equipment；CPE）設計的新一代語音線路終端晶片。新款DUSLIC XS可降低CPE製造商的成本，能以比其他方案更少的外部元件提供寬頻語音電話功能，並擁有低於20mW的最佳待機功耗

立錡開始提供60V高耐壓、低耗電線性穩壓器 (2014.01.23)
RT9068以60V的高工作電壓為特徵，其自身耗電僅為30μA，可為負載直接提供50mA的電流，並可以擴展以後為負載提供更大的工作電流，為使用電池、發電機供電和需要超低功耗的電子設備提供了新的選擇

恩智浦推採用1.1-mm²無鉛塑膠封裝3 A電晶體 (2013.10.31)
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款採用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平無引腳）封裝的電晶體。全新產品組合由25種元件組成，其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用電晶體

意法最新雙極性功率電晶體媲美MOSFET的能效並節省電路板空間 (2013.10.11)
意法半導體的3STL2540提供雙極性電晶體的成本優勢和矽面積使用效率，同時兼具同等級MOSFET的能效，為設計人員提供一個節省空間的低成本電源管理和DC-DC電源轉換器（DC-DC converters）解決方案

Diodes推出業界最小雙極電晶體 (2013.08.06)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出業界第一款採用DFN0806-3 微型封裝的小訊號雙極電晶體。這些元件的面積只有 0.48mm2，離板厚度僅0.4mm，面積比採用DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型元件還小20%

NXP-Double low VCEsat (BISS) transistors in DFN2020-6 (2013.06.20)
Low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Application Note 137 - Accurate Temperature Sensing with an External P-N Junction-Application Note 137 - Accurate Temperature Sensing with an External P-N Junction (2013.04.29)
Application Note 137 - Accurate Temperature Sensing with an External P-N Junction

凌力爾特FMEA 相容 45V LDO 具備 3μA IQ (2013.04.12)
凌力爾特 ( Linear Technology Corporation )日前發表高壓、微功耗、強固的PNP LDO 系列之最新元件LT3007，元件並具有3μA超低靜態電流。LT3007的高輸入電壓能力涵蓋2.0V至45V，可調輸出電壓範圍為0.6V至44.5V，可操作於各式應用

開源計畫　加速醫療電子創新腳步 (2012.12.13)
隨著醫療電子裝置的功能越來越強，系統設計亦日趨複雜，對於跟上最先進軟體技術的步伐也顯得緩慢，美國學術界與醫療機構開始希望透過採用開源軟體技術，來提升醫療設備產業的安全性、加速創新腳步

Remote/Internal-【下載Datasheet】LTC2997 (2012.04.11)
Remote/Internal

提供各種系統組件的詳細訊息工具:包括CPU,主板,硬碟,CD-ROM的內存模組。-ASTRA32 2.07 (2010.11.19)
提供各種系統組件的詳細訊息工具:包括CPU,主板,硬碟,CD-ROM的內存模組。

Diodes迷你型SOT963封裝產品問世 (2010.08.19)
Diodes近日宣佈，推出採用超小型SOT963封裝的雙極電晶體（BJT）、MOSFET和瞬態電壓抑制（TVS）元件，適合低功耗應用，Diodes SOT963的佈局面積只有0.7平方毫米，比SOT723封裝少30%，較SOT563封裝少60%