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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展,從而實現更高的效能和更小的尺寸,並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。
模擬工具可預防各種車用情境中的嚴重問題 (2024.02.07)
在設計和部署因應嚴峻車用環境的先進解決方案時,設計人員需要使用者友善、快速而且對硬體要求較低的互動式模擬工具。採用分散式智慧能夠釋放系統性能,然而會產生系統韌性和即時回饋能力的需求
博格華納採用ST碳化矽 為Volvo新電動車設計Viper功率模組 (2023.09.08)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)將與博格華納(BWA)合作,為其專有的Viper功率模組提供最新的第三代750V碳化矽(SiC)功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅逆變器平台
落實工業4.0 為移動機器人部署無線充電技術 (2023.07.21)
對於工業工廠來說,移動機器人必須定期充電的挑戰日益嚴峻。無線充電空間做出的改進,能夠讓機器人變得更靈活,進而提高了工廠的製造能力和效率;無線充電技術正日益成為製造業的關鍵因素
STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET 質量因數提升40% (2023.06.15)
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)之新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET擁有極低的閘極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),質量因數(Figure of Merit,FoM)相較上一代同類產品提升40%
英飛凌推出新雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動器IC (2023.05.24)
如今,3.3 kW的開關式電源(SMPS)透過採用圖騰柱PFC級中的超接面(SJ矽)功率MOSFET和碳化矽(SiC)功率MOSFET,以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵(GaN)功率開關等最新技術,使得功率密度可以達到100 W/inch3
提升馬達控制驅動器整合度、最大化靈活性 (2023.02.19)
本文敘述三相永磁無刷直流(BLDC)馬達的工作原理,並介紹兩種換向方法在複雜性、力矩波動和效率方面的特點、優點和缺點。
台灣團隊創新研發佳績 2023 ISSCC入選23篇論文搶先發表 (2022.11.15)
國際固態電路研討會(International Solid-State Circuits Conference;ISSCC)向來有IC設計領域奧林匹克大會之稱,將於2023年2月19日至23日在美國舊金山舉行。台灣共有23篇論文入選,不僅較2022年多8篇獲選,同時創下近五年來獲選論文數量最多的佳績!展現台灣先進半導體與固態電路領域技術研發的實力斐然
以碳化矽技術牽引逆變器 延展電動車行駛里程 (2022.11.14)
半導體技術革命催生了新的寬能隙元件,例如碳化矽(SiC)MOSFET功率開關,使得消費者對電動車行駛里程的期望,與OEM在成本架構下實現縮小里程之間的差距。
意法半導體推出適合安全系統的快速啟動負載開關 (2022.09.16)
意法半導體(STMicroelectronics:ST)推出了IPS1025HF快速啟動高邊功率開關,目標應用是有極短上電延遲時間需求的安全系統。 考量到Vcc電源通斷情況,為了確保安全保護系統能夠達到指定之安全完整性等級(SIL),IPS1025HF的通斷回應時間仍低於60μs
電路保護巧設計:使用比較器實現欠壓/過壓閉鎖設計 (2022.06.02)
本文詳細探討如何使用比較器來實現電路保護中的欠壓/過壓閉鎖,並利用電阻分壓器調整電源欠壓和過壓閉鎖閾值,同時透過導入遲滯設計來提高整個電路抗雜訊能力。
安森美將於2022 PCIM Europe展示高能效電源方案 (2022.04.28)
安森美(onsemi),將在2022年5月10日至12日於德國紐倫堡舉行的PCIM Europe推出一系列全新的電源方案。 安森美於PCIM Europe的展示攤位將有不同最新技術的現場展示,展示這些技術如何賦能開發領先市場的電動車、能量儲存、智能電源等解決方案
大聯大品佳推出Microchip 4KW圖騰柱PFC數位電源方案 (2022.04.20)
大聯大控股宣佈,其旗下品佳推出基於微芯科技(Microchip)dsPIC33CK256MP506晶片的4KW圖騰柱PFC數位電源方案。 近年來,在電源研發領域,無橋PFC憑藉著自身獨特的優勢,受到了廣泛的應用
英飛凌推出EiceDRIVER 2EDN閘極驅動器晶片 提升功率性能 (2022.03.31)
英飛凌科技股份有限公司近日推出新一代EiceDRIVER 2EDN閘極驅動器晶片系列。新元件是對現有2EDN驅動器晶片產品線的補充,可減少外接元件的數量,並節省設計空間,從而實現更高的系統效率、卓越的功率密度和持續的系統穩健性
英飛凌EiceDRIVER F3增強型系列閘極驅動器 提供全面短路保護 (2022.03.11)
英飛凌科技股份有限公司宣佈推出EiceDRIVER F3(1ED332x)增強型系列閘極驅動器,進一步壯大其EiceDRIVER增強型隔離閘極驅動器的產品陣容。 該系列閘極驅動器能夠提供可靠且全面的保護,防止短路故障的發生,讓包括IGBT在內的傳統功率開關以及CoolSIC寬能隙元件得到有效保護
偉詮推出高頻多模準諧振模式反激式控制晶片 (2022.03.07)
為了加速超小型化USB PD充電器的設計,偉詮電子日前推出採用WT7162Rx高頻多模準諧振式反激式控制晶片搭配氮化鎵的超小型化USB PD充電器參考設計。 WT7162Rx PWM控制系列晶片是一款高度整合的高頻/多模式反激式PWM控制晶片,具備準諧振模式切換和波谷切換的非連續導通模式
ST隔離式SiC閘極驅動器問世 採用窄型SO-8封裝節省空間 (2021.11.04)
意法半導體(STMicroelectronics)新推出之STGAP2SiCSN是為控制碳化矽MOSFET而優化的單通道閘極驅動器,其採用了節省空間的窄體SO-8封裝,具備穩定的效能和精準的PWM控制。 SiC功率技術被廣泛使用於提升功率轉換效率,而STGAP2SiCSN SiC驅動器可簡化節能型電源系統、驅動和控制電路設計以節省空間,並加強穩定性和可靠性
從原理到實例:詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例,分析其效率和散熱能力方面的優勢,並說明如何使用此類元件進行設計。
意法半導體推出單晶片 GaN 閘極驅動器 (2021.09.10)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)新推出STDRIVEG600半橋閘極驅動器輸出電流大,上下橋輸出訊號傳播延遲為45ns,能夠驅動GaN加強型 FET 高頻開關。 STDRIVEG600的驅動電源電壓最高20V,還適用於驅動N溝道矽基MOSFET,在驅動GaN元件時,可以靈活地施加最高6V閘極-源極電壓(Gate-Source Voltage;VGS),確保導通電阻Rds(on)保持在較低水準
拓展碳化矽實力 安森美將收購GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生產商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 於美國時間8月25日宣佈已達成最終協定,根據該協定,安森美將以4.15億美元現金收購GTAT。 GTAT 成立於 1994 年,在包括 SiC 在內的晶體成長方面擁有豐富的經驗


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