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Transphorm新型SuperGaN器件採用4引腳TO-247封裝 (2024.01.18) 全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm推出兩款採用4引腳TO-247封裝的新型SuperGaN器件—TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET,各別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻,並配有一個開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能,因應高功率伺服器、可再生能源、工業電力轉換領域的需求 |
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英飛凌全新 CoolMOS S7T系列整合溫度感測器性能 (2024.01.11) 英飛凌科技(Infineon)推出整合溫度感測器的全新 CoolMOS S7T 產品系列,具有出色的導通電阻和高精度嵌入式感測器,能夠提高功率電晶體接面溫度感測的精度,適用於提高固態繼電器(SSR)應用的性能和可靠性 |
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碳化矽電子保險絲展示板提升電動汽車電路保護效能 (2023.12.25) 電動汽車開發設計人員現在正專注於增強高壓保護電路的效能,並且提高可靠性,而電子保險絲作為電路保護解決方案不斷發展,成為優先採用的方法。 |
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ROHM推出SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET (2023.12.12) 近年來隨著照明用小型電源和泵浦用馬達的性能提升,對於在應用中發揮開關作用的MOSFET小型化產品需求漸增。半導體製造商ROHM推出採用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」,適用於照明用小型電源、空調、泵浦和馬達等應用 |
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意法半導體STSPIN9系列新款高擴充性大電流馬達驅動晶片量產 (2023.12.08) 全球半導體廠商意法半導體(STMicroelectronics;ST)推出STSPIN9系列大電流馬達驅動晶片,首波推出兩款產品,應用定位高階工業設備、家電和專業設備。4.5A STSPIN948和5.0A STSPIN958整合PWM控制邏輯電路和58V功率級 |
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Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29) Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後,推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET,新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐,為採用JEDEC標準(MO-332)TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件 |
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自走式電器上的電池放電保護 (2023.11.26) 使用MOSFET作為理想二極體,能夠為新一代自動化電器提供穩健可靠的安全防護。 |
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Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07) 全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET,導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準,可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI應用 (2023.10.11) Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管(FET),導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準,意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解決方案 |
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ROHM推出5款全新超低導通電阻100V耐壓Dual MOSFET (2023.08.22) 近年來,在通訊基地台和工控設備的應用領域,為了降低電流值並提高效率,以往的12V和24V系統逐漸轉換為48V系統,電源電壓呈提高趨勢。半導體製造商ROHM針對通訊基地台和工控設備等風扇馬達驅動應用,推出將二顆100V耐壓MOSFET一體化封裝的Dual MOSFET新產品 |
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ST推出具備工業負載診斷控制和保護功能的電流隔離高邊開關 (2023.08.21) 意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出一個八路輸出高邊開關產品系列。新產品具有電流隔離和保護診斷功能,導通電阻RDS(on)低於260mΩ,可提升應用的穩定性、效能、可靠性和故障恢復能力 |
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高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET應用效能 (2023.08.01) 本文重點介紹Littelfuse提供2 kV以上的高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET。 |
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英飛凌推出靜態開關用的全新工業級和車規級高壓超接面MOSFET (2023.07.31) 在靜態開關應用中,電源設計著重於得以降低導通損耗、優化熱性能、實現精簡輕便的系統設計;英飛凌科技(Infineon)正擴大其CoolMOS S7 系列高壓超接面(SJ)MOSFET 的產品陣容因應所需 |
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德國STABL能源採用英飛凌MOSFET 延長電動電池壽命 (2023.07.12) 德國STABL能源(STABL Energy)借助英飛凌科技(Infineon)的MOSFET產品,利用退役的電動乘用車電池打造固定式儲能系統,首批固定式儲能系統試點專案目前已在德國和瑞士投入使用 |
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英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展 (2023.07.05) 英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能夠實現雙向充電功能,並顯著降低了車載充電(OBC)和DC-DC應用的系統成本 |
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STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET 質量因數提升40% (2023.06.15) 意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)之新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET擁有極低的閘極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),質量因數(Figure of Merit,FoM)相較上一代同類產品提升40% |
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英飛凌CoolSiC功率模組 推動節能電氣化列車邁向低碳化 (2023.06.05) 為了實現全球氣候目標,交通運輸必須轉用更加環保的車輛,比如節能的電氣化列車。然而,列車運行有嚴苛的運行條件,需要頻繁加速和制動,且要在相當長的使用壽命內可靠運行 |
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英飛凌針對汽車應用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19) 英飛凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列,作為最新一代適合汽車應用的功率MOSFET,提供多種無引腳、強固的功率封裝。該系列產品採用了300毫米薄晶圓技術和創新的封裝,相比於其它採用微型封裝的元件,具有顯著的性能優勢 |
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Toshiba新款輕薄型共汲極 MOSFET具有極低導通電阻特性 (2023.05.19) Toshiba推出一款額定電流為 20A 的 12V 共汲極 N 溝道 MOSFET「SSM14N956L」,適用於鋰離子 (Li-ion) 電池組 (例如行動裝置電池組) 的電池保護電路中。包括智慧手機、平板電腦、行動電源、可穿戴裝置、遊戲機、小型數位相機等應用 |
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Diodes高效率降壓轉換器提供POL 設計多樣性 (2023.05.11) Diodes公司推出同步降壓轉換器產品組合的新產品。AP62500和AP62800的連續輸出電流額定值分別為5A和8A,能夠在開發針對效率或尺寸進行負載點最佳化 (POL)時更具彈性。
這些裝置能夠以最少的元件數量達成小巧緊湊的實作 |