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數位電源控制好幫手：PowerSmart™ Development Suite 使開發過程更Smart (2024.02.24)
於當今日新月異的時代，數位化智能產品應用頻繁出現在人們的生活週遭，其中智能與高效的數位電源更是重要的區塊之一。然而，數位電源的開發需具備許多關鍵技術的開發能力 |
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ST：提供全面系統解決方案 為工業激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
利用意法半導體2023年工業巡迴論壇的機會，CTIMES零組件雜誌也特別專訪了意法半導體亞太區功率離散和類比產品部行銷和應用副總裁 Francesco Muggeri，詳細闡述ST在工業領域的技術創新 |
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意法半導體100W和65W VIPerGaN功率轉換晶片 可節省空間 (2023.05.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之高壓寬能隙功率轉換晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關準諧振（Quasi-Resonant，QR）返馳式轉換器 |
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英飛凌推出新雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的開關式電源（SMPS）透過採用圖騰柱PFC級中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵（GaN）功率開關等最新技術，使得功率密度可以達到100 W/inch3 |
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ST新款STM32WB1MMC BLE認證模組 簡化並加速無線產品開發 (2023.03.29)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）新推出之STM32 Bluetooth無線模組讓設計人員能在無線產品，尤其是中低產量之專案中發揮STM32WB雙核微控制器（MCU） 的優勢。
該模組取得Bluetooth Low Energy 5 |
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ST新推出PFC升壓轉換器 有效簡化應用設計與提升設計靈活度 (2022.10.14)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出之L4985A／B和L4986A／B功率因數校正（power-factor correction，簡稱PFC）升壓轉換器整合800V啟動電路以及意法獨有的輔助工具，有效簡化應用設計、提升設計靈活度 |
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意法半導體推出新45W和150W MasterGaN產品 著眼高效能功率轉換應用 (2021.08.31)
意法半導體（STMicroelectronics）推出MasterGaN3和MasterGaN5兩款整合功率系統封裝，分別針對最高45W和150W的功率轉換應用。
另外除了針對65W至400W應用的MasterGaN1、MasterGaN2和MasterGaN4 |
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ST導入Stackforce wM-Bus協定堆疊 擴展STM32WL生態系統 (2020.07.31)
半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）和授權合作夥伴Stackforce共同推出一個無線智慧電表系統M-Bus（wM-Bus）匯流排軟體堆疊。利用STM32WL微控制器整合的sub-GHz射頻模組和其所支援之多種方案，該通訊協定堆疊可以透過無線遠端收集量表數據，為智慧電表系統開發商節省物料成本，並提升設計靈活性 |
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ST推出STM32數位電源生態系統 加速先進高效電源解決方案開發流程 (2020.07.07)
半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST），推出了網頁版數位電源開發生態系統，協助設計人員利用STM32微控制器（MCU）開發數位電源解決方案。
數位電源是能夠優化能源效率並透過獲取豐富的資料來提供診斷和提供安全保護之新一類裝置 |
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針對汽車嚴苛環境設計 完善電源供應系統佔小空間、省電及低EMI (2020.04.08)
本文探討汽車電源供應器規格的關鍵要求，以及因應汽車規範的解決方案，內容並提供多個範例解決方案，來一一說明高效能元件的組合如何輕易地解決以往無法克服的汽車電源難題 |
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意法半導體推出1050V MOSFET VIPer轉換器 擊穿電壓最高 (2019.08.22)
半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出新款VIPer26K高壓功率轉換器，其整合一個1050V耐壓N-Channel功率MOSFET，使離線電源兼具寬壓輸入與設計簡單之優勢。
VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無需傳統垂直堆疊FET和相關被動元件，即可帶來類似的電壓處理能力，並可採用尺寸更小的外部緩衝元件 |
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英飛凌擴大量產並加速推出CoolSiC MOSFET分離式封裝產品組合 (2019.05.17)
英飛凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 產品組合進入大量生產階段。這些產品的額定值從 30 m? 至 350 m? ，並採用 TO247-3 與 TO247-4 封裝。另更延伸產品系列，即將推出的新產品包括表面黏著裝置 (SMD) 產品組合及 650 V CoolSiC MOSFET 產品系列 |
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英飛凌在台發表氮化鎵功率元件新品 搶佔GaN市場龍頭 (2018.12.04)
英飛凌（Infineon）今日在台北舉行氮化鎵（GaN）方案CoolGaN新品發表會，宣布推出新一代GoolGaN 600 V增強型HEMT方案，以及專為其氮化鎵晶片所設計的驅動IC EiceDRIVER產品，能為電源產品帶來更佳的電源效率與功率密度，同時也能縮小裝置的體積，並進一步降低整體的設計成本 |
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英飛凌氮化鎵 (GaN) 解決方案進入量產 (2018.11.16)
英飛凌科技今日宣布，其氮化鎵（GaN）解決方案CoolGaN 600 V增強型HEMT和 氮化鎵驅動IC EiceDRIVER，將在2018年德國慕尼黑電子展現身。
英飛凌表示，其產品具備更高功率密度，可實現更加小巧、輕盈的設計，從而降低系統總成本和營運成本，減少資本支出 |
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英飛凌1EDN7550 與 1EDN8550 解決 SMPS 地電位偏移造成的功率MOSFET驅動問題 (2018.09.19)
在開關式電源供應器 (SMPS) 中，每次導通或截止功率 MOSFET 的過程中，寄生電感會造成地電位的偏移。這可能導致閘極驅動 IC 不受控制的切換行為。在極端情況下，可能導致功率 MOSFET 電氣過載以及 SMPS 故障 |
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英飛凌推出Double DPAK 首款高功率應用之頂層散熱 SMD (2018.07.03)
英飛凌科技股份有限公司推出首款Double DPAK (DDPAK) 頂層散熱 SMD 封裝，滿足如伺服器、電信、太陽能，以及高階 PC 電源等高功率應用之要求。此全新封裝方案能以更小的體積和重量提供快速切換與高效率，將整體擁有成本降至最低 |
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東芝擴大新一代電晶體陣列產品陣容 (2017.03.15)
東芝公司(Toshiba)推出19款新產品，以擴大其配備DMOS FET[1]輸出的新一代電晶體陣列產品陣容，旨在滿足客戶對更廣泛的輸出和輸入方法以及功能的需求。TBD62xxxA系列擁有37款現有產品，這些新元件的加入進一步擴大了該系列的產品陣容，它們廣泛應用於馬達、繼電器、LED和控制通訊線路電平位移器等各種應用領域 |
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Littelfuse推出超低正向壓降肖特基勢壘整流器 (2016.03.17)
力特公司（Littelfuse）的功率半導體產品組合再添新成員—專為超低正向壓降（VF）設計的矽肖特基器件。
DST系列肖特基勢壘整流器非常適用於高頻應用（如開關式電源）以及直流應用（如太陽能電池板旁路二極體和極性保護二極體），其設計目的是為了滿足商業和工業應用的要求 |
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Littelfuse新型功率半導體適用於高頻開關式電源和直流-直流轉換器應用 (2016.03.15)
力特公司（Littelfuse）在其不斷壯大的功率半導體產品中又增加兩個系列：MBR系列肖特基勢壘整流器（標準肖特基）是基於矽肖特基二極體技術的最新器件；DUR系列超快整流器可帶來超快的開關速度 |
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英飛凌新款XMC1400微控制器實現即時與成本效益的電源控制 (2016.03.02)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）推出 XMC1400 微控制器，將為工業自動化、數位電源轉換和電子控制領域開創新的應用。相較於之前的 XMC1000 產品，全新的 XMC1400 系列提供更好的控制效能及更多的連線能力 |
