 |
低 IQ技術無需犧牲系統性能即可延長電池續航力 (2024.04.17)
由於電池製造的功率需求帶來全新且複雜的限制，使得現今電池續航力必須具備最長的運作時間與更長的保存壽命，且無需犧牲系統性能。 |
 |
ROHM 6432尺寸金屬板分流電阻PMR100系列 新增3款超低阻值產品 (2024.04.17)
ROHM針對車載、工業和消費性電子設備的馬達控制電路和電源電路等應用，在標準型6432尺寸（6.4mm×3.2mm）金屬板分流電阻「PMR100」產品陣容中，推出3款額定功率為5W、阻值分別為0.5mΩ、1.0mΩ、1.5mΩ的新產品 |
|
P通道功率MOSFET及其應用 (2024.04.17)
本文透過對N通道和P通道MOSFET進行比較，並介紹說明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目標應用。 |
|
MCX A：通用MCU和FRDM開發平台 (2024.04.02)
恩智浦發佈基於Arm Cortex-M33內核平台的MCX A系列產品，這是新的通用MCU和資源豐富的FRDM開發平台，結合元件的卓越特色與創新功能，打造下一代智慧邊緣設備。 |
|
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性 (2024.03.28)
英飛凌科技（Infineon）推出全新的OptiMOS 6 200 V MOSFET產品系列，全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動堆高機等應用提供出色的性能。新款MOSFET產品的導通損耗和開關性能都更加優化，降低電磁干擾（EMI）和開關損耗，有益於用於伺服器、電信、儲能系統（ESS）、音訊、太陽能等用途的各種開關應用 |
|
英飛凌推出新一代 ZVS 返馳式轉換器晶片組 (2024.03.22)
隨著 USB-C PD 充電技術逐漸普及，帶動整體消費市場對相容性強的充電器的需求提高。因此使用者需要功能強大而又設計精簡的適配器。英飛凌科技（Infineon）推出二次側控制 ZVS 返馳式轉換器晶片組 EZ-PD PAG2，由 EZ-PD PAG2P 和 EZ-PD PAG2S組合，並整合USB PD、同步整流器和 PWM 控制器 |
|
TI新型功率轉換器突破電源設計極限 助工程師實現更高功率密度 (2024.03.06)
德州儀器（TI）推出兩款新型功率轉換器產品組合，協助工程師在更小的空間內實現更大的功率，以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化鎵（GaN）功率級採用耐熱增強型雙面冷卻封裝技術，可簡化散熱設計並在中電壓應用裡實現超過1.5kW/in3的最高功率密度 |
|
具備超載保護USB 供電ISM無線通訊 (2024.02.28)
本文以具有超載保護功能的USB供電 433.92 MHz RF 低雜訊放大器接收器：CN0555為例，說明實際運作的特點及效率。 |
|
imec推出小型裝置的無線充電技術 功耗創新低 (2024.02.20)
於本周舉行的2024年國際固態電路會議（ISSCC）上，比利時微電子研究中心（imec）推出一款創新的超音波充電技術概念驗證，鎖定植入式裝置應用。此次提出的解決方案尺寸僅有 8 mm x 5.3 mm，不僅支援高達53度角的波束控制功能，功耗也減少了69%，在目前的先進系統之中，躋身尺寸最小、功耗最低的無線超音波充電裝置 |
|
國科會核准科學園區投資案 德商易格斯進駐中科拔頭籌 (2024.02.02)
趕在春節農曆年前，由國家科學及技術委員會（國科會）科學園區審議會召開第14次會議中，共計通過總金額約N.T.220.32億元的7件投資案。包括精密機械業者台灣易格斯公司 |
|
提升汽車安全功能 掌握ESD實現無干擾的資料傳輸 (2024.02.01)
在現階段，電子元件大約占據一輛汽車總價值的三分之一，而且此比例持續上升。汽車中17%的半導體故障是由靜電放電（ESD）造成的，因而必需採取適當的ESD保護措施。 |
|
運用PassThru技術延長儲能系統壽命 (2024.01.30)
本文介紹採用PassThru技術的控制器相較於其他控制器的優勢，以及PassThru模式如何延長儲能系統的使用壽命，特別是超級電容的總執行時間。 |
|
運算放大器電路中射頻、電磁干擾的解決方案 (2024.01.29)
傳統的運算放大器電路EMI/RFI 解決方案，是使用靠近輸入端的低通濾波器 （LPF）防止它們進入運算輸入級，如下圖。
而精密儀表放大器（INA）或差動放大器由於對直流偏移誤差特別敏感，存在共模（CM） EMI/RFI，對 EMI/RFI 的敏感度更高；低功耗運算放大器同樣也有類似的問題 |
|
降低音訊裝置雜訊的策略 (2024.01.27)
在耳機和麥克風領域中，由於使用者追求的是準確且不修飾的原音重現，因此避免不必要的干擾成為音訊技術的重點。本文探討如何在音訊裝置中減少不想要的噪音的多種作法，並提出解決方案範例說明 |
|
英飛凌新款160 V雙通道閘極驅動IC適用於電池供電應用 (2024.01.04)
英飛凌科技（Infineon）宣佈其汽車和工業電機控制應用的MOTIX雙通道閘極驅動IC系列添新品，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。這些160 V的絕緣層上覆矽（SOI）閘極驅動器均為小型閘極驅動器解決方案，具有出色的抗閂鎖能力，適合於電池供電應用，如無線電動工具、多軸飛行器、無人機，以及電池電壓高達120 V的輕型電動車等 |
|
日本強震對半導體業影響可控 惟曝露供應鏈風險 (2024.01.03)
剛度過2024年跨年假期，日本石川縣便在元旦當天下午發生規模7.6強震，讓台日半導體業者在假期不平靜，包括矽晶圓、MLCC及多間半導體廠停工檢查。依半導體供應鏈業者初步了解 |
|
適用於整合太陽能和儲能系統的轉換器拓撲結構 (2023.12.27)
許多住宅使用的是組合太陽能發電和電池儲能系統，這種類型的系統具有用於AC/DC和DC/DC轉換的高效電源管理元件和高功率密度，但需要在子區塊的電源轉換拓撲上取捨，本文說明不同轉換器拓撲結構的優點和挑戰 |
|
通過車用被動元件AEC-Q200規範的測試要點 (2023.12.25)
想知道最新AEC-Q200改版，到底改了什麼嗎? 又該如何測試才能通過AEC-Q200驗證，打入大廠車用供應鏈呢？ |
|
Transphorm與Allegro合作 提升大功率應用中氮化鎵電源系統性能 (2023.12.08)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm與為運動控制和節能系統提供電源及感測半導體技術的Allegro MicroSystems合作，使用Transphorm的SuperGaN場效應電晶體和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅動器，針對大功率應用擴展氮化鎵電源系統設計 |
|
Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐，為採用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件 |
