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ROHM新款熱感寫印字頭用一顆鋰離子電池可高速清晰列印 (2024.01.24)
近年來，可攜式標籤印表機及電子錢包支付等支付終端裝置變得越來越重要。在可攜式標籤印表機和支付終端裝置等可攜式熱感寫印表機市場，由於列印速度和列印品質的關係，由2-cell鋰離子電池驅動的機型是主流產品 |
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瑞薩新型可程式馬達驅動器IC無需感測器實現零速全扭矩 (2023.12.12)
瑞薩電子（Renesas）推出一系列用於直流無刷（BLDC）馬達應用的馬達驅動器IC，採用獨家新技術，無需感測器即可在零速下實現全扭矩，為業界創下先例。經由新款馬達驅動器IC能夠設計出在設定扭矩下具有更高馬力和速度的無感測器BLDC馬達系統，除了改善功耗和可靠度，並可減少外部元件使用數量來降低成本和電路板空間 |
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ROHM超高速奈秒級閘極驅動器IC可大幅發揮GaN元件性能 (2023.10.19)
近年來在伺服器系統等應用領域，由於物聯網（IoT）設備的需求漸增，關於電源部分的功率轉換效率提升和設備小型化已成為重要課題，要求功率元件需不斷進行優化。另外，不僅在自動駕駛、工控設備和社會基礎建設監控等應用領域中也非常廣泛的LiDAR，也需要透過高速脈衝雷射光照射來進一步提高辨識精度 |
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ROHM推出5款全新超低導通電阻100V耐壓Dual MOSFET (2023.08.22)
近年來，在通訊基地台和工控設備的應用領域，為了降低電流值並提高效率，以往的12V和24V系統逐漸轉換為48V系統，電源電壓呈提高趨勢。半導體製造商ROHM針對通訊基地台和工控設備等風扇馬達驅動應用，推出將二顆100V耐壓MOSFET一體化封裝的Dual MOSFET新產品 |
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ROHM推出車用液晶背光矩陣式LED驅動器「BD94130xxx-M」 (2023.06.29)
近年來先進駕駛輔助系統（ADAS）進展迅速，車用顯示器需要具備更高的清晰度以便提高易辨性。針對該需求，具有Local Dimming功能的LED驅動器由於可以只關閉液晶顯示器暗部的背光，有助提高液晶顯示的清晰度並降低功耗，開發新世代駕駛艙的製造商正在考慮採用此種LED驅動器 |
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英飛凌推出新雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的開關式電源（SMPS）透過採用圖騰柱PFC級中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵（GaN）功率開關等最新技術，使得功率密度可以達到100 W/inch3 |
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英飛凌推出全新EiceDRIVER 1200 V半橋驅動器IC系列 (2023.05.12)
英飛凌科技股份有限公司繼推出EiceDRIVER 6ED223xS12T系列1200 V絕緣體上矽（SOI）三相閘極驅動器之後，現又推出EiceDRIVER 2ED132xS12x系列，進一步擴展其產品組合。該驅動器IC系列的半橋配置補充了現有的1200V SOI系列，為客戶提供了更多的選擇以及設計靈活性 |
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ROHM SiC MOSFET/SiC SBD結合Apex Microtechnology模組提升工控設備功率 (2023.03.31)
電源和馬達占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高其效率已成為全球性的社會問題，而功率元件是提高效率的關鍵。ROHM的SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（簡稱SiC SBD）已被成功應用於大功率類比模組製造商Apex Microtechnology的功率模組系列產品 |
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Diodes新款自激式壓電發聲器驅動器可延長運行時間 (2023.03.21)
因應壓電發聲器(Piezo Sounder)輸出增加的需求，Diodes 公司將推出新款驅動器 IC--PAM8906，它具備整合式同步升壓轉換器，提供更高聲壓級 (SPL)，能夠讓聲音傳送到更遠的距離 |
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ROHM第4代SiC MOSFET成功導入日立安斯泰莫電動車逆變器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和閘極驅動器IC已被日本知名汽車零件製造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱日立安斯泰莫）使用於電動車（以下簡稱EV）逆變器。
在全球實現減碳社會的過程中，汽車的電動化進程持續加速，在此背景下，開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路 |
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TI與群光電能合作 將GaN導入節能筆電電源供應器 (2022.12.14)
德州儀器（TI）宣布與群光電能（群電）於其最新款 65W 筆電電源供應器「Le Petit」中導入 TI 高整合式氮化鎵（GaN、Gallium nitride）解決方案。搭載 TI 的整合式閘極驅動器 LMG2610 半橋 GaN FET，群電與 TI 成功縮小電源供應器體積達 1/2 ，並提升電源轉換效率至高達 94% |
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瑞薩推出新一代用於電動汽車逆變器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞薩電子（Renesas Electronics）宣布開發新一代矽絕緣柵雙極電晶體（Si-IGBT），以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車（EV）逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半年開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和300毫米產線上生產 |
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SiC牽引逆變器降低功率損耗和熱散逸 (2022.08.25)
本文說明如何在EV牽引逆變器中驅動碳化矽（SiC）MOSFET，透過降低電阻和開關損耗來提高效率，同時增加功率和電流密度。 |
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以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體（IGBT）不同，本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時，設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。 |
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TI：SiC MOSFET可減少功率損耗和熱散逸 (2022.08.11)
隨著電動車（EV）製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈，電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率，來提升續航里程並增加競爭優勢 |
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ROHM SiC技術助力SEMIKRON功率模組 打造次世代電動車 (2022.07.15)
SEMIKRON和半導體製造商ROHM在開發碳化矽（SiC）功率模組方面已經有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用於SEMIKRON車規級功率模組「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑 |
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英飛凌攜手台達 以寬能隙元件搶攻伺服器及電競市場 (2022.07.08)
數位化、低碳等全球大趨勢推升了採用寬能隙（WBG）元件碳化矽/氮化鎵（SiC/GaN）的需求。這類元件具備獨特的技術特性，能夠助力電源產品優化性能和能源效率。
英飛凌科技股份有限公司與台達電子工業股份有限公司兩家全球電子大廠 |
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東芝五款MOSFET閘極驅動器IC新品採用超小型封裝 (2022.06.09)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱東芝）為其TCK42xG系列MOSFET閘極驅動器IC 產品系列增加適用於穿戴式裝置等行動裝置的五款新品。該系列的新產品配備過壓鎖定功能，並根據輸入電壓控制外部MOSFET的閘極電壓 |
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PI推出符合汽車產業標準的IGBT/SiC模組驅動器系列 (2022.05.10)
Power Integrations推出SCALE EV 該驅動器適用於原創、再製和新型 SiC 變體，適用目標為電動車輛、混合動力和燃料電池車輛 (包括公車和卡車) 以及建築、採礦和農業設備的大功率汽車和牽引變頻器 |
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英飛凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展現極高系統可靠性 (2022.04.01)
英飛凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。
這些SiC元件採用英飛凌先進的SiC溝槽式工藝、精簡的D2PAK表面貼裝 7 引腳封裝和 |
