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立??科技与宜普电源转换合作推出小型化140W快充解决方案 (2023.01.18)
宜普电源转换公司（EPC）和立??科技（Richtek）?手推出新型快充叁考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化??场效应电晶体EPC2204，可实现超过98%的效率。
(圖一)立??科技与宜普电源转换?手推出小型化、140 W快充解决方案
宜普电源转换公司和立??科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器叁考设计 |
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立??科技与宜普电源转换合作推出小型化140W快充解决方案 (2023.01.18)
宜普电源转换公司（EPC）和立??科技（Richtek）?手推出新型快充叁考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化??场效应电晶体EPC2204，可实现超过98%的效率。
宜普电源转换公司和立??科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器叁考设计，可将12 V~24 V的输入电压转换?5 V~20 V的稳压输出电压，并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流 |
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重视汽车应用市场 ST持续加速碳化矽扩产 (2023.01.18)
汽车是ST非常重视的市场之一，2022年车用和离散元件产品部（ADG）占了ST总营收的30%以上。车用和离散元件产品部拥有意法半导体大部分的车用产品，非常全面性的产品组合能够支援汽车的所有应用 |
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安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣布将其碳化矽(SiC)系列命名为「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极体。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能 |
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安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣布将其碳化矽(SiC)系列命名为「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极体。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能 |
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ROHM第4代SiC MOSFET成功导入日立安斯泰莫电动车逆变器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和闸极驱动器IC已被日本知名汽车零件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称日立安斯泰莫）使用於电动车（以下简称EV）逆变器。
在全球实现减碳社会的过程中，汽车的电动化进程持续加速，在此背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路 |
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ROHM第4代SiC MOSFET成功导入日立安斯泰莫电动车逆变器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和闸极驱动器IC已被日本知名汽车零件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称日立安斯泰莫）使用於电动车（以下简称EV）逆变器。
(圖一)ROHM第4代SiC MOSFET成功导入日立安斯泰莫电动车逆变器
在全球实现减碳社会的过程中 |
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Transphorm按功率段发布氮化??功率管可靠性评估资料 (2022.12.16)
Transphorm发布了针对其氮化??功率管的最新可靠性评估资料。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止，基於超过850亿小时的现场应用资料，该公司全系列产品的平均失效率(FIT)小於0.1 |
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Transphorm按功率段发布氮化??功率管可靠性评估资料 (2022.12.16)
Transphorm发布了针对其氮化??功率管的最新可靠性评估资料。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止，基於超过850亿小时的现场应用资料，该公司全系列产品的平均失效率(FIT)小於0.1 |
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TI与群光电能合作 将GaN导入节能笔电电源供应器 (2022.12.14)
德州仪器（TI）宣布与群光电能（群电）於其最新款 65W 笔电电源供应器「Le Petit」中导入 TI 高整合式氮化??（GaN、Gallium nitride）解决方案。搭载 TI 的整合式闸极驱动器 LMG2610 半桥 GaN FET，群电与 TI 成功缩小电源供应器体积达 1/2 ，并提升电源转换效率至高达 94% |
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德州仪器与群光电能合作 将GaN解决方案导入节能笔电电源供应器 (2022.12.14)
德州仪器（TI）宣布与群光电能（群电）於其最新款 65W 笔电电源供应器「Le Petit」中导入 TI 高整合式氮化??（GaN、Gallium nitride）解决方案。搭载 TI 的整合式闸极驱动器 LMG2610 半桥 GaN FET，群电与 TI 成功缩小电源供应器体积达 1/2 ，并提升电源转换效率至高达 94% |
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意法半导体与Soitec携手开发SiC基板制造技术 (2022.12.08)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）与半导体材料设计制造公司Soitec宣布下一阶段的碳化矽（Silicon Carbide，SiC）基板合作计画，意法半导体准备於18个月内完成Soitec碳化矽基板技术产前认证测试 |
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意法半导体与Soitec携手开发SiC基板制造技术 (2022.12.08)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）与半导体材料设计制造公司Soitec宣布下一阶段的碳化矽（Silicon Carbide，SiC）基板合作计画，意法半导体准备於18个月内完成Soitec碳化矽基板技术产前认证测试 |
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工研院与康舒开发碳化矽马达驱控器 加速台湾电动车切入国际供应链 (2022.10.25)
经济部透过科技专案，支持工研院与电源大厂康舒科技合作，并在今（25）日於康舒科技淡水厂区宣布签约。双方除了共同开发「碳化矽动力马达驱控器」，也将利用A+淬链计画补助 |
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工研院与康舒开发SiC马达驱控器 加速切入国际电动车供应链 (2022.10.25)
经济部透过科技专案，支持工研院与电源大厂康舒科技合作，并在今（25）日於康舒科技淡水厂区宣布签约。双方除了共同开发「碳化矽动力马达驱控器」，也将利用A+淬链计画补助，整合康舒、富田电机、达信绿能，共同开发六合一碳化矽动力系统切入国际车厂Tire1供应链，加速由传统车用零组件厂商转型为电动车系统厂商 |
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TI：提高功率密度 有效管理系统散热问题 (2022.10.21)
几??各种应用的半导体数量都在加倍增加，电子工程师面临的许多设计挑战都与更高功率密度的需求息息相关。
·超大规模资料中心：机架式伺服器使用大量的电力，这对於想要因应持续成长需求的公用事业公司和电力工程师构成一大挑战 |
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TI：提高功率密度 有效管理系统散热问题 (2022.10.21)
几??各种应用的半导体数量都在加倍增加，电子工程师面临的许多设计挑战都与更高功率密度的需求息息相关。
(圖一)TLVM13660 底部包括四个导热垫，所有讯号和电源针脚均可从周边使用，以便於配置和处理
·超大规模资料中心：机架式伺服器使用大量的电力，这对於想要因应持续成长需求的公用事业公司和电力工程师构成一大挑战 |
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ST将於义大利兴建整合式碳化矽基板制造厂 (2022.10.06)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）将於义大利兴建一座整合式碳化矽（Silicon Carbide；SiC）基板制造厂，以支援意法半导体客户对汽车及工业用碳化矽元件与日俱增的需求，协助其迈向电气化并追求更高效率 |
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意法半导体将於义大利兴建整合式碳化矽基板制造厂 (2022.10.06)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）将於义大利兴建一座整合式碳化矽（Silicon Carbide；SiC）基板制造厂，以支援意法半导体客户对汽车及工业用碳化矽元件与日俱增的需求，协助其迈向电气化并追求更高效率 |
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循环低碳制程技术创新 筑波分享WBG半导体材料测试方案 (2022.09.23)
现今节能减碳理念及落实相关措施已成为众多产业的重要经营方针，由经济部工业局委托工业技术研究院，依行政院循环经济推动方案，建构循环技术暨材料创新研发专区，以延揽国际专家培育研发人才为目的 |
当传输技术进入数字时代之后，用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重，结合显示适配器硬件的数字显示接口标准，其发展进度因而更受到瞩目。
