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Wolfspeed首座8寸SiC晶圆厂投入量产 (2022.05.03)
Wolfspeed宣布其位於美国纽约州莫霍克谷（Mohawk Valley）的SiC制造工厂正式营业。这座 200mm(8英寸)晶圆厂将助力推进诸多产业从 Si 基产品向 SiC 基半导体的转型。
纽约州州长 Kathy Hochul 莅临现场并预祝 Wolfspeed 在莫霍克谷（Mohawk Valley）大展宏图 |
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Wolfspeed首座8寸SiC晶圆厂投入量产 (2022.05.03)
Wolfspeed宣布其位於美国纽约州莫霍克谷（Mohawk Valley）的SiC制造工厂正式营业。这座 200mm(8英寸)晶圆厂将助力推进诸多产业从 Si 基产品向 SiC 基半导体的转型。
(圖一)Wolfspeed全球首座200mm SiC晶圆厂盛大开业，提升备受期待的元件生产
纽约州州长 Kathy Hochul 莅临现场并预祝 Wolfspeed 在莫霍克谷（Mohawk Valley）大展宏图 |
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罗姆集团旗下SiCrystal纪念成立25周年 (2022.04.28)
半导体制造商罗姆集团旗下的 SiCrystal GmbH（以下简称SiCrystal）迎来了成立25周年纪念日。SiCrystal是一家总部位於德国纽伦堡的SiC（碳化矽）晶圆制造商，经过了25年的发展，目前已将业务范围扩展到全世界，并拥有200多名员工 |
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罗姆集团旗下SiCrystal纪念成立25周年 (2022.04.28)
半导体制造商罗姆集团旗下的 SiCrystal GmbH（以下简称SiCrystal）迎来了成立25周年纪念日。SiCrystal是一家总部位於德国纽伦堡的SiC（碳化矽）晶圆制造商，经过了25年的发展，目前已将业务范围扩展到全世界，并拥有200多名员工 |
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Wolfspeed SiC功率半导体助力Lucid Air提高性能与效能 (2022.04.28)
Wolfspeed於近日宣布与Lucid Motors达成重要合作。Lucid Motors将在其高性能、纯电动车型Lucid Air中采用Wolfspeed SiC功率元件解决方案。同时，Wolfspeed和Lucid Motors签订多年协议，将由Wolfspeed生产和供应SiC装置 |
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Wolfspeed与Lucid Motors签订协议 生产和供应SiC装置。 (2022.04.28)
Wolfspeed於近日宣布与Lucid Motors达成重要合作。Lucid Motors将在其高性能、纯电动车型Lucid Air中采用Wolfspeed SiC功率元件解决方案。同时，Wolfspeed和Lucid Motors签订多年协议，将由Wolfspeed生产和供应SiC装置 |
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EPC新350V氮化??功率电晶体 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普电源转换公司（EPC）推出 EPC2050，这是一款 350 V GaN 电晶体，最大 RDS(on) 为 80 mΩ，?冲输出电流? 26 A。 EPC2050 的尺寸仅为 1.95 mm x 1.95 mm。与采用等效矽元件的解决方案相比，基於EPC2050的解决方案的占板面积小十倍 |
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EPC新350V氮化??功率电晶体 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普电源转换公司（EPC）推出 EPC2050，这是一款 350 V GaN 电晶体，最大 RDS(on) 为 80 mΩ，?冲输出电流? 26 A。 EPC2050 的尺寸仅为 1.95 mm x 1.95 mm。与采用等效矽元件的解决方案相比，基於EPC2050的解决方案的占板面积小十倍 |
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ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制 (2022.03.29)
半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用於基地台、资料中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路 |
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ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制 (2022.03.29)
半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用於基地台、资料中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路 |
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ST：发展碳化矽技术 关键在掌控整套产业链 (2022.03.14)
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散元件产品部（ADG）执行??总裁暨功率电晶体事业部总经理Edoardo MERLI指出，由於全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1 |
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ST：发展碳化矽技术 关键在掌控整套产业链 (2022.03.14)
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散元件产品部（ADG）执行??总裁暨功率电晶体事业部总经理Edoardo MERLI指出，由於全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1 |
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ST第三代碳化矽技术问世 瞄准汽车与工业市场应用 (2022.03.14)
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要，由於全球能源需求正在不断成长，因此必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标 |
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下半年8寸基板将量产 第三类功率半导体2025年CAGR达48% (2022.03.10)
据TrendForce研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。
SiC适合高功率应用，如储能、风电、太阳能、电动车、新能源车等对电池系统具高度要求的产业 |
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下半年8寸基板将量产 第三类功率半导体2025年CAGR达48% (2022.03.10)
据TrendForce研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。
SiC适合高功率应用，如储能、风电、太阳能、电动车、新能源车等对电池系统具高度要求的产业 |
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Ampleon发布增强效能的第3代GaN-on-SiC电晶体 (2022.02.23)
埃赋隆半导体（Ampleon）推出两款新型宽频碳化矽基氮化??（GaN-on-SiC）高电子迁移率电晶体（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度元件是最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT制程的首发产品 |
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Ampleon发布增强效能的第3代碳化矽基氮化??电晶体 (2022.02.23)
埃赋隆半导体（Ampleon）推出两款新型宽频碳化矽基氮化??（GaN-on-SiC）高电子迁移率电晶体（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度元件是最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT制程的首发产品 |
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Power Integrations推出1700V SiC MOSFET高压切换开关 IC (2022.02.15)
Power Integrations在其 InnoSwitch 3-AQ 系列中新增了两款符合 AEC-Q100 标准、额定电压为 1700 伏特的 IC。这些新装置是业界首款采用碳化矽 (SiC) 一次侧切换 MOSFET 的汽车级切换电源供应器 IC |
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Power Integrations推出1700V SiC MOSFET高压切换开关 IC (2022.02.15)
Power Integrations在其 InnoSwitch 3-AQ 系列中新增了两款符合 AEC-Q100 标准、额定电压为 1700 伏特的 IC。这些新装置是业界首款采用碳化矽 (SiC) 一次侧切换 MOSFET 的汽车级切换电源供应器 IC |
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ROHM荣获EcoVadis的2021年永续发展最高评价「白金奖」 (2022.01.10)
半导体制造商ROHM在 EcoVadis（总部位於法国）的2021年永续发展调查中，获得最高评价「白金奖」，这是ROHM首次荣获该奖项。「白金奖」是针对约80,000家评价对象中排名前1%企业所颁发的奖项 |
ACPI规格让操作系统、中央处理单元与接口设备三方面整合起来，互相交换电源使用讯息，更加简便而有效益地共同管理电源。
