 |
EPC eGaN技术在性能及成本上实现质的飞跃 (2017.03.17)
全球增?型氮化镓电晶体厂商、致力于开发创新的矽基功率场效应电晶体（eGaN FET）及积体电路的宜普电源转换公司（EPC）推出全新的EPC2045（7微欧姆、100 V）及EPC2047（10 微欧姆、200 V）电晶体，在提升产品性能的同时也可以降低成本 |
 |
石墨烯价跌扩大应用面 3D列印线材受人注目 (2016.11.03)
石墨烯被视为新世代超级材料，不管是薄膜或粉末在近几年都有突破性之发展。工研院产业学院罗达贤执行长表示，尤其因为石墨烯的价格逐渐下探，商品化已开始从电晶体、透明导电膜、储能技术、化学感测器、功能复合材料等方面拓展到机械、电机、电子、光电、材料、生医及能源等各领域的应用 |
|
恩智浦举办未来科技峰会 推出「半导体加热魔术方块」 (2016.09.30)
今年恰逢恩智浦半导体成立十周年，在此之际，恩智浦亦于日前在深圳举办「2016恩智浦FTF未来科技峰会」向合作伙伴、各领域与会嘉宾展示半导体产业安全互联领域最新的技术成果与解决方案 |
|
Silicon Labs推出基于CMOS隔离技术的客制化固态继电器解决方案 (2016.09.26)
Silicon Labs (芯科科技) 近日推出基于CMOS技术的突破性隔离型场效电晶体(FET)驱动器系列产品，使开发人员能够自行选择特定应用和高容量之FET来替代过时的机电继电器(EMR)和基于光耦合器的固态继电器(SSR) |
 |
[专栏]GaN、SiC功率元件带来更轻巧的世界 (2016.08.10)
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板 |
|
[专栏]摩尔定律失效了？ (2016.04.06)
有关企业的经营管理理论有多个来源，一是学术研究，二是企业管理顾问，三是实务经验观察。学术研究如哈佛商学院教授Christensen M. Clayton提出破坏式创新（disruptive innovation）；企业管理顾问如波士顿顾问集团（BCS）提出多角化经营矩阵 |
|
意法半导体推出1500V超接面功率MOSFET让电源应用环保又安全 (2015.11.09)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性及安全系数。 MDmeshTM K5产品是拥有超接面技术优势及1500V漏极-源极（drain-to-source）崩溃电压（breakdown voltage）的电晶体，并已获亚洲及欧美主要客户导入于其重要设计中 |
|
英飞凌推出行动基地台发射器专用的氮化镓装置 (2015.10.02)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出碳化矽（SiC）射频功率电晶体的氮化镓（GaN）系列产品。凭借英飞凌的氮化镓技术，该款新产品可协助行动基地台的制造商打造体积更小、功能更强大，且具弹性的发射器 |
|
Mentor Graphics获得TSMC 10nm FinFET 制程技术认证 (2015.09.21)
Mentor Graphics（明导）公司宣布，Calibre nmPlatform已通过TSMC 10nm FinFET V0.9制程认证。此外，Mentor Analog FastSPICE电路验证平台已完成了电路级和元件级认证，Olympus-SoC数位设计平台正在进行提升，以帮助设计工程师利用TSMC 10nm FinFET技术更有效地验证和优化其设计 |
|
瑞萨电子开发28奈米嵌入式闪存技术 (2015.05.15)
瑞萨电子（Renesas）宣布已开发全新闪存技术，可达到更快的读取与覆写速度。 这项新的技术是针对采用28奈米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制程技术的芯片内建闪存微控制器（MCU）所设计 |
|
Diodes高压稳压器晶体管为微控制器提供5V电源 (2015.03.27)
Diodes公司推出新稳压器ZXTR2105F，该产品整合晶体管、齐纳二极管及电阻器单片式，有效在高达60V的输入情况下提供5V 15mA的输出。这款稳压器晶体管采用了小巧的SOT-23封装，可减少组件数量，以及节省微控制器应用的印刷电路板面积，例如个人计算机和服务器的直流散热风扇，以及工业与汽车市场的马达驱动器、排气扇和传感器应用 |
|
英飞凌与Panasonic为常关型600V氮化镓功率半导体建立双供应源 (2015.03.17)
英飞凌科技（Infineon）与 Panasonic公司宣布双方将共同开发以 Panasonic 常关型（强化模式）硅基板氮化镓晶体管结构为基础的氮化镓 (GaN) 产品，并整合至英飞凌的表面黏着装置（SMD）封装 |
|
Diodes微型场效晶体管节省40%空间 (2015.02.13)
Diodes公司为提供空间要求严格的产品设计，扩充了旗下超小型分立组件产品系列。新推出的3款小讯号MOSFET包括20V和30V额定值的N信道晶体管，以及30V额定值的P信道组件，产品全都采用DFN0606微型封装 |
|
宜普演示板采用氮化镓场效应晶体管实现音频高效 (2015.02.06)
宜普电源转换公司（EPC）推出新款采用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管的D类音频放大器参考设计（EPC9106）采用 Bridge-Tied-Load（BTL）设计，包含四个接地的半桥输出功率级电路，使得设计可以升级及扩展 |
|
盛群针对家电产品应用新推出电源控制IC─HT7A6312 (2015.01.29)
盛群（Holtek）可应用于全电压输入下隔离或非隔离型AC/DC电源设计─HT7A6312。这是一颗主要针对家电产品使用，可应于多种不同设计架构，如：降压型、升降压型、隔离与非隔离返驰型转换器，并可提供低待机功耗的高效率之AC/DC电源控制IC |
|
宜普电源推出单片式氮化镓半桥功率晶体管 (2015.01.23)
宜普电源转换公司（EPC）推出EPC2102(60 V)及EPC2103（80 V）增强型单片式氮化镓半桥元件。可推动48 V转12 V降压转换器在20 A输出电流下实现超过97%的系统效率。在于透过整合两个eGaN功率场效应电晶体而成为单个元件可以除去印刷电路板上元件之间的相连电感及空隙，使电晶体的占板面积减少50% |
|
宜普电源推出单片半桥式氮化镓功率晶体管 (2014.12.09)
为了协助功率系统设计增加效率与功率密度，宜普电源转换公司（EPC）推出60 V单片半桥式氮化镓功率晶体管-- EPC2101。透过整合两个eGaN功率场效应晶体管而成?单个组件，可以除去互连电感及电路板上组件之间所需的空隙，使得晶体管的占板面积?少50% |
|
意法半导体新款智能型单路闸极驱动器整合电流隔离 (2014.12.08)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出先进的单路闸极驱动器（single-channel gate driver）STGAP1S。新产品在同一芯片上整合电流隔离（galvanic isolation）与模拟逻辑电路图（logic circuitry），可协助设计人员简化驱动器的设计，同时确保产品具有良好的噪声免除力（noise immunity），实现安全可靠的功率控制 |
|
Diodes初级侧转换器降低电源大小及成本暨提升效能 (2014.12.05)
Diodes公司推出脱机式初级侧开关控制器AP3988，旨在为充电器、ADSL转接器和家电电源降低成本，以及提升电源效能。新组件提供初级侧控制，不需光耦合器和二次侧控制电路，从而减少组件数量，以及节省电路板空间和成本 |
|
美高森美太空产品长期促动罗塞塔号探测器任务 (2014.12.03)
美高森美太空产品逾一万五千个部署于长达十年的罗塞塔号探测器任务
美高森美公司（Microsemi）祝贺欧洲太空总署（ESA）、美国国家航空暨太空总署（NASA）和其合作伙伴的罗塞塔号（Rosetta）探测器成功达到了观测67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任务目标 |
