 |
美高森美太空产品长期促动罗塞塔号探测器任务 (2014.12.03)
美高森美太空产品逾一万五千个部署于长达十年的罗塞塔号探测器任务
美高森美公司（Microsemi）祝贺欧洲太空总署（ESA）、美国国家航空暨太空总署（NASA）和其合作伙伴的罗塞塔号（Rosetta）探测器成功达到了观测67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任务目标 |
 |
Littelfuse低电容型瞬态电压抑制二极管数组 相比类似硅解决方案可将箝位电压降低50% (2014.09.16)
Littelfuse公司是全球电路保护领域的企业，日前宣布发布了低电容型SP3014系列瞬态抑制二极管数组（SPAR二极管），为可能受到破坏性静电放电 （ESD）的电子设备提供保护。 SP3014系列整合了两个信道的低电容控制二极管与稳压二极管，经最严苛的IEC61000-4-2标准测试后，不断收到ESD冲击下还能够有稳健的效能且安全的吸收 |
|
Littelfuse公司宣布推出低电容型瞬态抑制二极管数组 (2014.08.20)
Littelfuse公司是电路保护领域企业，日前宣布推出了低电容型SP2574NUTG瞬态抑制二极管数组（SPA二极管），旨在保护高速差分数据线免受ESD（静电放电）、CDE（电缆放电）、EFT（电气快速瞬变）和雷击感应突波造成的损害 |
|
凌力尔特60V 同步升压控制器可降低热应力，效率达98% (2014.07.28)
凌力尔特 (Linear Technology Corporation )日前发表同步升压DC/ DC控制器LTC3769，其可透过高效率N信道MOSFET取代升压二极管，以提高效率并将输出电流能力达到最高。该控制器可于5A输出从12V输入产生24V，效率高达98％，因此可满足汽车、工业和医疗应用中升压DC/ DC转换器必须在小解决方案尺寸中达到低热耗的需求 |
|
ST的二极体专利技术可大幅缩减充电器尺寸，并可加快充电速度 (2014.07.01)
意法半导体的新系列场效应整流二极体（FERD，Field-Effect Rectifier diodes） 完美解决了低正向压降（VF）与低漏电流（IR）之间不可兼得的矛盾关系，让充电器和笔记型电脑转换器（adaptor）等设备的设计人员在不使用成本更高的同步整流二极的前提下满足要求最严格的能效标准 |
|
凌力尔特返驰同步整流器驱动器提供10A输出电流 (2014.03.04)
凌力尔特 (Linear Technology Corporation)日前发表反驰式二次侧同步整流器驱动器LT8309，其可透过MOSFET取代输出二极管，以达到10A输出电流并无需散热片。当不使用散热片时，反驰电源的最大输出电流是由功耗和输出二极管产生的热而限制 |
|
美高森美推出高可靠性、低电压的齐纳二极管产品 (2013.12.09)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布推出全新 1-2.4 V齐纳二极管产品，它可提供比标准齐纳二极管好4倍的电压调节性能和最高达40倍的典型泄漏电流改进。
新型高可靠性ultra-sharp knee二极管器件以国防、航天、工业和医疗市场中的低电压调节和瞬变保护应用为目标；此外 |
|
美高森美全新碳化硅肖特基解决方案 提升大功率应用 (2013.10.30)
功率、安全性、可靠度和效能差异化半导体解决方案供货商美高森美公司(Microsemi Corporation) 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列的阵容，推出全新的650V解决方案产品，新型二极管产品将以包括太阳能逆变器在内的大功率工业应用为其应用目标 |
|
麦瑞推85V半桥MOSFET驱动器，集成阴极负载二极管可程序设计栅极驱动电压范围 (2013.10.01)
麦瑞半导体公司推出了85V半桥MOSFET驱动器MIC4604。MIC4604具有集成的85V阴极负载二极管和业内最宽广的可程序设计栅极驱动电压范围（5.5V至16V）等特点。这些特点使其成为业内最严格的电池驱动电机应用（包括电动工具和直流/交流逆变器）的理想解决方案 |
|
美高森美新型瞬态电压抑制二极管 (2013.09.09)
功率、安全性、可靠度和效能差异化半导体解决方案的领先供货商美高森美公司发布两款新的塑料大面积器件(plastic large area device, PLAD)瞬态电压抑制(TVS)二极管产品，它们可保护飞机电气系统免于雷击所造成的损坏 |
|
德州仪器推出支持业界极低功耗智能旁路二极管 (2013.04.09)
德州仪器 (TI) 宣布推出一款业界最低功耗 (power dissipation) 的智能旁路二极管 (bypass diode) ，采用标准表面黏着 (surface-mount) 封装并支持 15A 电流处理功能。在标准应用中，与采用三个传统萧特基二极管 (Schottky diode) 的类似接线盒 (junction box) 相比，每个 SM74611 可将功耗锐减 80%，还可将接线盒内的运作温度降低 50 ℃ |
|
英飞凌推出 650V Rapid 1 与 Rapid 2 系列进攻高压超快速硅二极管市场 (2013.04.08)
英飞凌科技股份有限公司今日推出高效率、快速回复的 650V Rapid 1 与 Rapid 2 硅二极管系列。Rapid 二极管结合英飞凌在超薄晶圆制造、低耗损垂直结构的专业知识，加上独特的组件设计，效能表现卓著 |
|
Diodes推出微型高速开关二极管 (2012.03.20)
Diodes昨日宣布，推出一系列占位面积小、采用薄型封装的高速开关二极管，能够大幅降低组件数量和电路版面积。这款产品线除了具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3和DFN2020-6封装，以供客户选择 |
|
宏微发表新一代600V全系列快速恢复二极管 (2010.10.12)
宏微科技近日宣布，推出新一代600V系列快速恢复二极管（FRED），芯片制程上采用磊晶平面设计，单一芯片功率范围从1A～100A，能满足多类型开关电源应用。透过自行研发芯片技术的革新 |
|
安捷伦推出一款三信道信号源量测设备 (2009.09.15)
安捷伦科技（Agilent）发表一款三信道信号源量测设备（SMU），可在二极管、LED、CMOS集成电路及其他半导体组件的参数测试等应用中，同时提供电源及执行量测。Agilent U2723A USB接口模块式SMU设计轻巧，可节省工作台空间，而改良过的产出速度，则有助于节省测试时间 |
|
ON推出4款新的30V肖特基势垒二极管 (2009.08.20)
安森美半导体(ON)推出4款新的30伏(V)肖特基势垒二极管。这些新的肖特基势垒二极管采用超小型0201双硅晶无针脚(DSN2)芯片级封装，为可携式电子设计人员提供业界最小的肖特基二极管和同类最佳的空间性能 |
|
ROHM推出优异温度特性红外线双光束雷射二极管 (2009.04.21)
半导体制造商罗姆股份有限公司（日本京都市）推出激光打印机用，拥有优异温度特性的窄发光点间距（28μm）的双光束红外线雷射二极管「RLD2BPNK3」。此产品已于2009年2月开始样品出货（样品价格：2,000日圆），预定在2010年1月以月产50万颗的规模投入量产 |
|
英飞凌推出第三代SiC萧特基二极管 (2009.02.20)
功率半导体暨碳化硅（SiC）萧特基二极管供货商英飞凌科技在美国华盛顿特区举办之应用电力电子研讨会暨展览会（APEC）上宣布推出第三代thinQ! SiC萧特基二极管。全新thinQ!二极管拥有低装置电容，适用于所有电流额定值，在更高的切换频率以及轻负载的情况下，更能提升整体系统效率，有助于降低整体电源转换的系统成本 |
|
ST推出碳化硅肖特基二极管 (2009.02.15)
电源转换使用的普通硅二极管因为无法立即关断而损耗1%的电源效能，为此，ST推出在转换时可降低耗电量的碳化硅(silicon carbide, SiC)二极管。
STPSC806D和STPSC1006D碳化硅肖特基二极管对太阳能系统的转换器特别有用，因为效能对于太阳能而言是很重要的 |
|
英飞凌推出小体积射频天线防护二极管 (2008.11.21)
英飞凌科技发表小体积的瞬时电压抑制（TVS）二极管，用来保护最新电子设备的天线，应用的范围包括GPS、行动电视、FM调频收音机、车用「遥控车门开关」及「胎压监测系统」 |
