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P通道功率MOSFET及其应用 (2024.04.17)
本文透过对N通道和P通道MOSFET进行比较，并介绍说明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目标应用。 |
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英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飞凌科技（Infineon）推出最新先进功率 MOSFET 技术 OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显着提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm2SMD封装 |
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英飞凌新款MOSFET优化高功率密度、效率和系统可靠性 (2024.03.28)
英飞凌科技（Infineon）推出全新的OptiMOS 6 200 V MOSFET产品系列，全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动堆高机等应用提供出色的性能。新款MOSFET产品的导通损耗和开关性能都更加优化，降低电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益於用於伺服器、电信、储能系统（ESS）、音讯、太阳能等用途的各种开关应用 |
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ROHM推出SOT-223-3小型封装600V耐压Super Junction MOSFET (2023.12.12)
近年来随着照明用小型电源和泵浦用马达的性能提升，对於在应用中发挥开关作用的MOSFET小型化产品需求渐增。半导体制造商ROHM推出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」，适用於照明用小型电源、空调、泵浦和马达等应用 |
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自走式电器上的电池放电保护 (2023.11.26)
使用MOSFET作为理想二极体，能够为新一代自动化电器提供稳健可靠的安全防护。 |
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顶部散热MOSFET助提高汽车系统设计的功率密度 (2023.11.20)
本文讨论顶部散热（TSC）作为一种创新的元件封装技术能够如何帮助解决多馀热量的散热问题，从而在更小、更轻的汽车中实现更高的功率密度。 |
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Littelfuse新款800V N沟道耗尽型MOSFET采用改进型SOT-223-2L封装 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET新品CPC3981Z。
与标准SOT-223封装相比，这款新产品的SOT-223-2L封装移除中间引脚，将漏极与闸极之间的引脚间距，从1.386毫米增加到超过4毫米间距增加简化宽输入电压电源的隔离管理，实现精巧的印刷电路板布局 |
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Diodes新款碳化矽MOSFET符合车规 可提升车用子系统效率 (2023.07.19)
Diodes公司推出两款符合汽车规格的碳化矽 (SiC) MOSFETDMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q，进一步强化宽能隙 (Wide-Bandgap) 产品阵容。此系列N通道MOSFET产品可满足市场对SiC解决方案不断成长的需求，提升电动与混合动力汽车 (EV/HEV)车用子系统的效率及功率密度，例如电池充电器、车载充电器(OBC)、高效DC-DC转换器、马达驱动器及牵引变流器 |
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英飞凌科技赋能创新解决方案 让电动乘用车电池重生续能 (2023.07.12)
德国STABL能源（STABL Energy）借助英飞凌科技（Infineon）的MOSFET产品，利用退役的电动乘用车电池打造固定式储能系统，首批固定式储能系统试点专案目前已在德国和瑞士投入使用 |
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Magnachip扩展用於行动装置电池保护电路的新型MXT LV MOSFET (2023.07.11)
Magnachip半导体发布四款新型 MXT LV 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）采用超短通道技术，扩展 Magnachip 用於行动装置电池保护电路的第七代 MXT LV MOSFET 产品阵容。
超短沟道是Magnachip的最新设计技术，通过缩短源极和漏极之间的沟道长度来降低Ron（MOSFET在导通状态操作期间的电阻） |
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英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展 (2023.07.05)
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本 |
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Toshiba新款轻薄型共汲极 MOSFET具有极低导通电阻特性 (2023.05.19)
Toshiba推出一款额定电流为 20A 的 12V 共汲极 N 沟道 MOSFET「SSM14N956L」，适用於锂离子 （Li-ion） 电池组 （例如行动装置电池组） 的电池保护电路中。包括智慧手机、平板电脑、行动电源、可穿戴装置、游戏机、小型数位相机等应用 |
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Magnachip新型超短通道 MXT MOSFET可用於智慧手机电池保护电路模组 (2023.03.03)
为了满足移动设备制造商多样化和不断变化，必须解决电源管理方面的需求，Magnachip半导体发布两款第七代 MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，内置超短通道技术可用於智慧型手机中的电池保护电路模组 |
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东芝推出汽车 40V N 沟道功率 MOSFET采用新型高散热封装 (2023.01.31)
近年来，电动汽车的进展推动对於适应汽车设备功耗增加的组件的需求。东芝电子推出汽车40V N沟道功率 MOSFETXPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它们使用新的 L-TOGL（大型晶体管外形鸥翼引线）封装，并且具有高漏极电流额定值和低导通电阻，今日开始供货 |
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英飞凌推出全新PQFN 系列源极底置功率MOSFET (2022.12.23)
为了满足电力电子系统设计趋向追求更先进的效能和功率密度，英飞凌科技（Infineon）在 25-150 V 等级产品中推出全新源极底置 3.3 x 3.3 mm2 PQFN 系列，包括有底部冷却（BSC）和双面冷却（DSC）两个版本 |
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单晶片驱动器+ MOSFET（DrMOS）技术 改善电源系统设计 (2022.10.27)
本文介绍最新的驱动器+ MOSFET（DrMOS）技术及其在稳压器模组（VRM）应用中的优势。单晶片DrMOS元件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能，进而增强最终应用的整体性能 |
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认识线性功率MOSFET (2022.10.18)
本文针对MOSFET的运作模式，元件方案，以及其应用范例进行说明，剖析标准MOSFET的基本原理、应用优势，与方案选择的应用思考。 |
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ST推出LIN交流发电机稳压器 提升12V汽车电气系统性能 (2022.09.19)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出L9918车规交流发电机稳压器，改良後的功能可提升12V汽车电气系统之稳定度。
L9918车规交流发电机稳压器内建一个MOSFET及一个续流二极体，MOSFET提供交流发电机励磁电流，当励磁关闭时，续流二极体将负责提供转子电流 |
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以碳化矽MOSFET实现闸极驱动器及运作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驱动方式与传统的矽MOSFET和绝缘闸双极电晶体（IGBT）不同，本文叙述在碳化矽应用进行闸极驱动时，设计人员如何确保驱动器具备足够的驱动能力。 |
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ST新款40V STripFET F8 MOSFET电晶体 具备节能降噪特性 (2022.08.02)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出新40V MOSFET电晶体STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极体之特性，降低功率转换、马达控制和配电电路的耗能和杂讯 |
IETF是Internet Engineering Task Force (国际网络工程研究团队)是一个开放性的国际组织，其作用在于汇集网络设计师、网络操作员、网络厂商，以及研究人员共同研发改进网络的工程架构与建立起一个平稳的网络环境。
