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CTIMES / Mosfet
科技
典故
Intel的崛起-4004微处理器与8080处理器

Intel因为受日本Busicom公司的委托设计芯片,促成了4004微处理器的诞生,也开启了以单一芯片作成计算器核心的时代。1974年,Intel再接再厉研发出8080处理器,和4004微处理器同为CPU的始祖,也造就了Intel日后在中央处理器研发的主导地位。
锁定新一代导弹制动系统的无电刷直流马达 (2019.07.05)
现代马达在无电刷直流马达(BLDC)在内所达致各方面的进步,使得业界已经能做出更小、更轻、更廉价、更有效率的CAS设计。为了要驱动BLDC的三个相位,导致系统复杂度提高
您的电动汽车充电系统具有适当的安全性,有效性和可靠性? (2019.05.02)
本文概述了市场上不同类型的电动汽车充电站,展示了常见的结构以及如何将安全性,效率和可靠性整合到最隹设计中。
稳健的汽车40V功率 MOSFET提升汽车安全性 (2019.04.01)
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足电动助力转向系统(EPS)和电子驻车制动系统 (EPB)等汽车安全系?的机械、环境和电器要求。
600V超接合面MOSFET PrestoMOS系列具有快速反向恢复时间 (2019.03.21)
在全球的功率需求中,近50%用於马达驱动,随着生活家电在新兴国家的普及,马达驱动带来的功率消耗量预计会逐年增加。
安森美半导体推出全新工业级和符合车规的SiC MOSFET (2019.03.19)
安森美半导体推出了两款全新碳化矽(SiC)MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽能带隙(WBG)技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不断电系统(uninterruptable power supply;UPS)及伺服器电源
系统复杂度升级 数位电源让供电难题迎刃而解 (2018.11.28)
数位电源可让系统设计人员节省PCB空间,来增加更多功能电路。除了可以缩短开发时间、降低成本之外,还能快速将产品推向市场。
EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可实现优异冷藏效率 (2018.10.25)
本文说明闸极驱动器电路有效设计的基本考量,以及结合运用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所带来的效益。
技术领先同业 罗姆半导体摊位两大明星商品吸睛 (2018.10.24)
18日於集思台大会议中心柏拉图厅举行的「车联网技术趋势研讨会」,场外多家厂商的展示摊位纷纷推出主力产品,与会者莫不驻足观赏。
Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充碳化矽MOSFET器件组合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET产品的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化矽MOSFET和萧特基二极体的强有力补充
宜特FSM化镀服务本月上线 无缝接轨BGBM晶圆薄化制程 (2018.09.20)
电源管理零组件MOSFET在汽车智慧化崛起後供不应求,为填补供应链中此一环节的不足,在半导体验证分析领域深耕多年的宜特科技,正式跨攻「MOSFET晶圆的後段制程整合服务」,其中晶圆薄化-背面研磨/背面金属化(简称BGBM,Backside Grinding/ Backside Metallization)制程,在本月已有数家客户稳定投片进行量产,线上生产良率连续两月高於99.5%
英飞凌推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 适用於 PFC 与返驰拓扑 (2018.09.07)
英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) CoolMOS? P7 系列推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 新产品,符合最为严格的设计要求:适用於照明、智慧电表、行动充电器、笔电电源供应器、辅助电源供应器,以及工业 SMPS 应用
东芝推出新一代Superjunction功率MOSFET (2018.08.31)
东芝电子元件及储存装置株式会社(东芝)推出新一代650V Superjunction功率MOSFET - TK040N65Z其用於资料中心的伺服器电源、太阳能(PV)功率调节器、不断电系统(UPS)及其他工业应用
东芝推出散热效果更隹40V Nch功率MOSFETs 符合AEC-Q101标准 (2018.08.21)
东芝电子元件及储存装置株式会社(东芝)推出两款可应用於车用相关设计最新40V Nch MOSFET - TPWR7904PB & TPW1R104PB,可应用於电动辅助转向系统、负载开关、电动帮浦。 此款IC为U-MOS第九代晶片采用沟槽式结构,其确保高散热及低电阻的特性
意法半导体电隔离栅极驱动器 控制并保护SiC、MOSGET、IGBT (2018.08.15)
意法半导体(STMicroelectronics)的STGAP2S单路隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,能让使用者选择独立的导通/关断输出或内部主动米勒钳位功能,其可使用於各种开关拓扑控制碳化矽(SiC)或矽MOSFET和IGBT功率电晶体
东芝推出功率MOSFET闸极驱动智慧功率元件 (2018.08.06)
东芝电子元件及储存装置株式会社(东芝)推出针对车用三相无刷马达应用的小型化功率MOSFET闸极驱动智慧功率元件(IPD)。此款IC可应用於12V电动辅助转向系统(EPS)、油/水泵、风扇马达和电动涡轮增压器等相关车用马达驱动产品
ADI高效率N通道切换开关涌浪抑制器 对150V瞬变提供保护 (2018.07.27)
亚德诺半导体(ADI)宣布推出Power by Linear LTC7862,该元件为一款具有过压和过电流保护的高效率切换开关涌浪抑制器,适於高可靠性系统应用。 LTC7862 可驱动一N 通道功率 MOSFET 级
搭载整合型MOSFET的最隹化降压稳压器将功率密度提升至新水准 (2018.07.26)
整合是固态电子产品的基础,理想的方案是将所有降压转换器功能整合到一个单一、小型及高能效的元件中,以提供更强大的整体系统优势。
英飞凌发表CoolSiC MOSFET产品 兼具高性能与可靠度 (2018.07.24)
德国半导体元件商英飞凌(Infineon)今日在台北宣布推出新一代搭载CoolSiC技术的MOSFET系列产品,透过其独特的碳化矽 (SiC) 沟槽式 (Trench) 技术,提供高性能、高可靠度、高功率密度,且具成本效益的电源解决方案
意法半导体高功率电子式保险丝 提供整合型保护功能 (2018.07.20)
意法半导体(STMicroelectronics)STEF01可程式设计电子式保险丝,整合低导通电阻RDS(ON)的VIPower MOSFET功率管,在8V到48V的宽输入电压范围内,能够维持高达4A的连续电流,不仅损耗低,还能将动作快速超载保护之优势延续到额定功率更高的应用产品
Diodes Incorporated离线式变压器专用小型同步整流MOSFET驱动器 (2018.07.18)
Diodes Incorporated推出 APR346 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器,可将 AC 电源转成 DC 电源,提供 5V 至 20V 的电压,提升离线式变压器的效率。 APR346 可运作於连续导通模式 (CCM)、不连续导通模式 (DCM) 与准共振模式 (QR),旨在驱动外部 MOSFET,充分发挥同步整流 (SR) 效益

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