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CTIMES / Mosfet
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链接计算机与接口设备的高速公路——IEEE1394

IEEE1394是一种能让计算机与接口设备之间相互链接沟通的共同接口标准。如此迅速有效率的传输速度,便时常应用在连接讯号传输密度高、传输量大的接口设备。
TI收购CICLON 拓展模拟电源管理产品线 (2009.02.24)
德州仪器(TI)宣布收购总部位于宾夕法尼亚州伯利恒的高频率高效率电源管理半导体领导设计公司 CICLON半导体组件公司(CICLON Semiconductor Device Corporation)。透过此次收购,TI将进一步提升包括高功率计算与服务器系统等在内的众多终端设备设计的用电效率
NXP推出全新的绿色电源管理解决方案 (2009.02.09)
恩智浦半导体(NXP)推出一套全新的电源管理解决方案,可有效减少市场上桌面计算机和笔记本电脑的功耗。GreenChip PFC芯片、GreenChip同步整流控制器和一系列LFEPAK封装的30V功率MOSFET组件产品组合将于美国华盛顿的应用电源电子大会(APEC)发表
ROHM推出高耐压MOSFET「F 系列」! (2009.02.06)
ROHM(罗姆电子)全新研发出最高性能的高耐压功率MOSFET「F 系列」,适用于液晶电视的背光模块Inverter、照明用Inverter﹑马达驱动器及切换式电源等使用桥式电路的各种应用
安森美推出最新的ATX电源公开参考设计 (2009.02.05)
安森美半导体(ON)推出最新的ATX电源公开参考设计。ON表示这款255瓦(W)参考设计超越美国80 PLUS银级、“能源之星” 5.0版及计算机产业拯救气候行动计划(CSCI)第三阶段桌上型个人计算机(PC)的电源效能标准
Vishay推出采用MICRO FOOT芯片级封装MOSFET (2009.02.02)
Vishay宣布推出首款采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET,该器件具有背面绝缘的特点。 Si8422DB针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化
Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET (2008.12.24)
Vishay宣布推出新型20-V和30-V p-信道TrenchFET功率MOSFET。该器件采用SO-8封装,具有±20-V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。 现有的同类SO-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24 mΩ,而Si7633DP具有3.3 mΩ(在10 V时)及 5.5 mΩ(在4.5 V时)的超低导通电阻
安捷伦推出具备曲线追踪仪功能的组件分析仪 (2008.12.24)
安捷伦科技(Agilent)宣布推出首款功率组件分析仪/曲线追踪仪整合解决方案,其可在高达3,000 V的电压和20 A的电流下对半导体组件进行特性分析。功率组件,包括功率管理IC(PMIC)和功率MOSFET以及车用马达控制IC,对于高功率与高准确度测试的需求与日俱增
Diodes新款自我保护式MOSFET节省85%电路板空间 (2008.12.23)
Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列,推出超小型的完全自我保护式低端MOSFET。该ZXMS6004FF组件采用2.3 x 2.8毫米的扁平式SOT23F封装,能节省85%的电路板空间。 扁平式SOT23F封装虽然小巧,但热性能却相当强劲
IR全新基准MOSFET提升60%封装电流额定值 (2008.12.22)
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出具备高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列,适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。 新组件的封装电流额定值达到195A,较典型封装电流额定值高出60%
Vishay结合20V n信道功率MOSFET及肖特基二极管 (2008.12.17)
Vishay宣布推出超小的20V n信道功率MOSFET+肖特基二极管。SiB800EDK采用1.6mm×1.6mm的热增强型 PowerPAK SC-75封装,其将在100 mA时具有0.32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至 1.5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合
高振幅的任意/函数产生器 (2008.12.08)
本文说明产生高振幅信号的常规方法与外部放大器,然后讨论典型的应用,并介绍整合高振幅阶段使用新型任意/函数产生器的效益。
快捷推出最薄的MicroFET MOSFET (2008.11.20)
快捷半导体(Fairchild Semiconductor) 推出超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027,满足现今可携式应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P信道PowerTrench MOSFET,FDFMA2P853则是20V P信道PowerTrench MOSFET,带有肖特基二极管,并采用2mm ×2mm×0.55mm MLP封装
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.11.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n信道器件,扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装,在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与闸极极电荷乘积
快捷P信道MOSFET采用CSP封装 (2008.11.06)
快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出采用1×1.5×0.4mm WL-CSP封装的单一P信道MOSFET组件FDZ391P,能满足可携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用快捷半导体的1.5V额定电压PowerTrench制程设计,结合先进的WL-CSP封装,将RDS(ON) 和所需的PCB空间减至最小
Vishay扩展Gen III TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.10.23)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n信道器件,从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列,对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言,该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与闸极极电荷之乘积
降低能源损耗 「飞」我莫属 (2008.10.13)
生活中各个角落无不需要使用电力,然而电源的损耗也正在这些电子设备与线路的传递处理中一点一滴流逝。也因此半导体厂商所汲汲营营的,正是不断开发出更新的半导体架构,让电能的使用效率能够达到更高,降低损耗,不仅用户能更节省能源支出,也相对为环境的保护多出一份心力
专访:英飞凌多元市场资深技术总监Leo Lorenz (2008.10.13)
生活中各个角落无不需要使用电力,然而电源的损耗也正在这些电子设备与线路的传递处理中一点一滴流逝。也因此半导体厂商所汲汲营营的,正是不断开发出更新的半导体架构,让电能的使用效率能够达到更高,降低损耗,不仅用户能更节省能源支出,也相对为环境的保护多出一份心力
Linear针对LED应用推出全功能LED控制器 (2008.10.03)
凌力尔特(Linear)发表LT3756,其为一款100V、高压端电流感测DC/DC转换器,专为驱动高电流LED而设计。此组件所拥有的6V至100V输入电压范围,使其成为汽车、工业及建筑照明等广泛应用之理想选择
AnalogicTech高效能降压转换器提供快2倍的瞬变响应 (2008.10.03)
AnalogicTech发表一款高效能、500mA单晶降压转换器。透过创新伪定频(pseudo fixed-frequency)架构,新转换器可提供比传统500mA、2MHz、PWM模式的降压转换器快两倍以上的瞬变响应,并能支持使用极小、仅1µH 芯片尺寸之电感
ST推高耐用性及切换性能和效率之MOSFET产品 (2008.09.30)
意法半导体进一步提高照明安定器功率MOSFET的耐用性、切换性能和效率,功率MOSET被用于安定器及开关电源的功率因子校正器(PFC)和半桥电路内。 SuperMESH3的创新技术,结合更低的导通电阻,确保其拥有更高的效率

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