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IR全新30V DirectFET MOSFET系列问世 (2008.05.28)
国际整流器公司(IR)，推出专为笔记簿型计算机、服务器CPU电源、图像，以及内存稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新组件系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，较标准SO-8组件的占位面积少40%，更采用了0.7mm纤薄设计 |
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英飞凌最新OptiMOS 3 MOSFET 现已上市 (2008.05.28)
英飞凌科技于中国国际电源展览会(CPS EXPO)的会展中，宣布采用SSO8(SuperSO8)和S308(Shrink SuperSO8)封装的OptiMOS 3 40V、60V和80V N信道MOSFET已上市，其无导线封装处于上述崩溃电压时，具备最低的导通电阻(RDS(on)) |
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Avago推出低耗电8mm爬电距离闸极驱动光耦合器 (2008.03.19)
安华高科技(Avago)宣布推出一款新闸极驱动光耦合器产品，具备2.5A最高尖峰输出电流，Avago的新ACPL-K312满足了低耗电需求，并带来高抗噪声能力，快速的IGBT开关切换可以改善效率，让这些新闸极驱动光耦合器相当适合IGBT/MOSFET闸极驱动、交流与无刷直流马达驱动、工业变频器以及交换式电源等应用 |
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安森美半导体推出新PWM降压稳压器系列 (2008.03.11)
高能效电源半导体解决方案供货商安森美半导体(ON Semiconductor)推出NCP312x双输出脉宽调变(PWM)降压稳压器系列，提供独特的自动追踪和排序功能。这些新器件集成了MOSFET，提供2安培(A)(NCP3120、NCP3122)或3 A(NCP3121、NCP3123)输出电流并具有高达2 |
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ST推出新技术的功率MOSFET系列产品 (2008.03.10)
意法半导体宣布推出两款新的功率MOSFET产品，适用于DC-DC转换器。 新产品采用最新的ST独有的STripFET技术，拥有极低的导电和转换损耗，在一个典型的稳压模块内，最大功耗小于3W |
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Vishay新型控制器IC 针对中间总线转换器应用 (2008.03.02)
Vishay推出针对中间总线转换器（IBC）应用的两款新型控制器IC，这两款器件是率先将高压（75V）半桥 MOSFET驱动器与1.6A峰值电流驱动功能以及各种电流监控功能整合在一起的单芯片器件 |
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英飞凌推出900 V的Superjunction MOSFET (2008.02.28)
英飞凌科技公布业界第一款900V的Superjunction（超级结）MOSFET，专门用于高效能SMPS（交换式电源供应）、工业及再生能源转换。英飞凌推出新型节能CoolMos 900V功率MOSFET家族，突破功率晶体管制造上的"硅限制"，提供使用标准型TO（晶体管管型）封装即具高电压设计的替代方案 |
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TI小型USB电源管理开关组件提供可调式限流功能 (2008.02.26)
德州仪器(TI)发表多款内含FET的电源分布开关组件，提供100mA-1.1A限流设定范围，适合需要限流开关功能的标准USB端口或其它应用。这款电源管理组件有效保护输入电压供应，避免手机、笔记本电脑、液晶电视、机顶盒、游戏机或网络电话使用USB联机时可能出现的短路故障 |
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linear推出具可调限流之低电压热插入控制器 (2008.02.20)
凌力尔特(Linear)针对保护供电电压范围为2.9V至 26.5V之卡板，推出LTC4218 Hot Swap控制器。当一个卡板插入底板时，大量涌浪电流将对负载供电波形产生干扰，造成同一扁平电缆上其它卡板的错误动作 |
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Vishay产品现可由Digi-Key供货 (2007.12.19)
Vishay Intertechnology, Inc.与Digi-Key Corporation宣布，Vishay的延伸性半导体产品，包括MOSFET、二极管、整流器、RF晶体管、光电及选择性IC目前已可透过Digi-Key供货。藉由此新产品阵容强化，Digi-Key现已负责经销Vishay的半导体及被动组件全系列产品 |
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ST推出一款新的功率MOSFET (2007.12.04)
意法半导体宣布推出一款新的功率MOSFET- STV300NH02L，具有极低的微奥姆导通电阻特性，对要求严格的电源供应系统而言，将有助于降低损耗并提升效率。这个新推出的高电流N-channel MOSFET是专为并联供电而设计的，并联供电广泛地使用在服务器应用以提升系统的可靠性 |
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VSH推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提升固定电信网络的效率 |
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Vishay的MOSFET帮助设计人员简化电源管理电路 (2007.08.16)
Vishay宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长可擕式电子系统中的电池运行时间。
额定电压为1.2V的这些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2V～1.3V工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计 |
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Linear发表2相同步降压DC/DC控制器 (2007.07.06)
凌力尔特（Linear Technology Corporation）日前发表一款具95%高效率、双组输出同步降压切换稳压控制器LTC3850，其能驱动所有N信道电源MOSFET步阶，并具备一致性或比例追踪功能 |
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安森美半导体推出高性能谐振模式控制器 (2007.05.23)
高能效电源管理解决方案供货商安森美半导体（ON Semiconductor）推出一款内置上桥臂与下桥臂闸极驱动信号的高性能谐振模式控制器NCP1396，这款组件为各种多样化应用带来高信赖度的高能效电源设计，包括平面显示设备电源转换、高功率密度交直流电源供应器、工业用电源以及游戏机等 |
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Linear发表100V电流模式同步降压控制器 (2007.05.17)
凌力尔特(Linear Technology Corporation)发表一款高输入电压同步降压开关稳压控制器LTC3810，其可直接从100V降压至范围从0.8V至93%输入电压的输出电压，且以单一电感设计不需变压器 |
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Fairchild新款产品适用PDP应用中的路径开关 (2007.03.13)
快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出全新的FDB2614（200V）和FDB2710（250V）N沟道MOSFET，这两款产品经过特别设计，可为电浆显示器（plasma display panel，PDP）应用提供系统效率和优化的占位空间 |
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快捷推出200V/250V Powertrench MOSFET (2007.03.12)
快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET，这两款产品经过特别设计，可为电浆显示器(plasma display panel，PDP)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间 |
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快捷半导体推出光隔离MOSFET闸极驱动器 (2007.02.15)
快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor）的功率产品系列又添新成员，宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品，能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180（2A）和FOD3181（0.5A）具有200ns（最多）的上升/下降时间，能够迅速开啓/关断MOSFET以减小功率损耗 |
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Vishay增添四款新型 Siliconix PolarPAK组件 (2007.01.23)
Vishay在具有双面冷却功能的PolarPAK功率MOSFET系列中增添了新型n信道20V、30V及40V组件，从而为设计人员提供了通过更出色的MOSFET散热性能减小系统尺寸及成本的新方式。
这四款新型Vishay Siliconix PolarPAK组件面向电信及数据通信系统中的同步整流、负载点转换器及OR-ing应用 |
