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德州仪器推出NexFET N信道功率MOSFET实现低电阻功效 (2015.01.22) 采用5公厘x 6公厘QFN封装并具极低Rdson的25 V和30 V装置
德州仪器(TI)推出NexFET产品线的11款新型N信道功率MOSFET,包括拥有低导通电阻(Rdson)且采用QFN封装的 25 V CSD16570Q5B和30 V CSD17570Q5B,其适合热插入和ORing应用 |
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安茂微电子推出高效率2A同步升压转换器 (2015.01.19) 安茂微电子推出一系列DC-DC升压转换器─AME5125,采用电流控制同步技术以及整合MOSFET,有效提供高效率的电源。 输入电压为2.7V~5.5V,提供最大5.5A的输出电流,主要应用于携带式电源、蓝牙音箱等单电池供电的便携设备相关产品,适用于以碱性电池、镍氢电池或锂电池 |
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Diodes全新MOSFET闸极驱动器提升转换效率 (2015.01.08) Diodes公司推出一对1A额定值的40V轻巧闸极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,能用在控制板上和嵌入式电源以及马达驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6(采用SOT26封装)和 ZXGD3009DY(采用SOT363封装)可缩短MOSFET的开关时间,有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度,以及提升整体转换效率 |
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麦瑞半导体新款小尺寸负荷开关提供7A安恒电流 (2015.01.08) 麦瑞半导体(Micrel)推出 MIC95410 7A 负荷开关,封装尺寸紧凑,仅仅为1.2mm x 2.0mm。该器件可用于有功率分配需求的系统,能够透过斜率控制来控制加电顺序,这种功能通常会用在工业计算、服务器主板、医疗设备、平板计算机、笔记本和固态硬盘等应用中 |
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Diodes推出40V额定值动态OR'ing控制器 (2014.12.24) Diodes公司推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8,以提升电讯系统、资料中心及伺服器不断电供应系统的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET,从而取代耗能的萧特基(Schottky)阻断二极体,有效降低运作温度并加强不断电供应系统的完整性 |
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IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装 (2014.12.17) 国际整流器公司(International Rectifier;IR)推出采用高效能4×5 PQFN功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。此项新的封装选择使IR的功率模块产品系列效能得以延伸至更低功率的设计 |
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凌力尔特涌浪抑制器解决方案符合MIL-STD-1275D标准 (2014.12.11) 凌力尔特(Linear Technology)日前推出符合MIL-STD-1275D标准的涌浪抑制器解决方案,并展示于评估板DC2150A。 MIL-STD-1275D是由美国国防部(United States Department of Defense)建立的标准,其规定了军用地面车辆的28V直流电源之稳态和瞬变电压特性 |
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凌力尔特新款j微型模块稳压器可高效转换 (2014.12.05) 凌力尔特(Linear)日前发表20A DC/ DC降压 uModule(微型模块)稳压器LTM4639,能够以优化效率转换2.5V至7V主电源系统电源端至低至0.6V的负载点电压。在复杂的机架安装系统中,更高的电压转换效率将可节省能源消耗、热管理和设备尺寸 |
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IR推出电池保护应用MOSFET系列 (2014.12.02) 国际整流器公司 (International Rectifier;IR) 针对锂离子电池保护应用推出一系列IR最新低电压MOSFET硅技术组件,包括IRL6297SD双信道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET备有极低的导通电阻,藉以大幅减少导通损耗,提供20V和30V N信道及P信道组态组件 |
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凌力尔特发表60V同步升降压控制器 (2014.12.02) 凌力尔特( Linear)日前发表同步升降压DC/DC控制器LT3790,可以单一IC提供超过250W的功率。其4.7V至60V输入电压范围适合广泛的汽车、工业应用。输出电压可以设定于0V至60V,因此适合电压稳压器或电池/超级电容充电器 |
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意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数 (2014.12.02) 意法半导体(STMicroelectronics;ST)的最新超接面(super-junction)功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求,同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项 |
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IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻 (2014.11.13) 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)为工业应用扩充StrongIRFET MOSFET系列,为多种工业应用包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流马达驱动器、锂离子电池组保护、热插入及开关模式电源二次侧同步整流推出75V组件 |
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IR推出75V MOSFET具有极低导通电阻 (2014.10.29) 工业应用所需的工具与组件较一般电子组件更讲求坚固安全,国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩充StrongIRFET MOSFET系列,为多种工业应用推出75V组件,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流马达驱动器、锂离子电池组保护、热插入及开关模式电源二次侧同步整流 |
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功率半导体市场大地震 英飞凌并购国际整流器 (2014.08.21) 近年来半导体市场的并购案件不断,像是英特尔并购英飞凌的无线射频部门、或是德州仪器一次买下美国国家半导体(NS)等,都是全球半导体产业十分关注的焦点,而此次英飞凌以以每股 40 美元、总计约 30 亿美元的现金出手买下国际整流器(IR),更是撼动了全球功率半导体市场 |
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车用电子翻新 英飞凌颠覆MCU想象 (2014.04.16) 车用电子所涵盖的半导体组件相当广泛,一言以蔽之,就是既有的系统设计架构套上车用规范。也因此,从既有的DC/DC、AC/DC、DC/AC、MCU(微控制器)、MPU(微处理器)等,这些组件都可以在车用电子中窥见其踪影 |
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次芯片级封装是行动装置设计新良药 (2013.11.29) 手机渗透率在已开发市场达到了很高比例,而在世界上其他地区也不断提高。根据GSMA的信息,先进的欧洲国家,其行动用户渗透率已经超过90%。开发中市场的平均渗透比例将由2012年的39%增加至2017年的47%,而且是未来5年内刺激全球行动市场成长的最大因素 |
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MOSFET封装进步 帮助提供超前芯片组线路图的行动功能 (2013.11.29) 面临为需求若渴的行动装置市场提供新功能压力的设计人员,正在充分利用全新次芯片级封装(sub-CSP)技术的优势,使用标准IC来构建领先于芯片组路线图的新设计。 |
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能源采集大不易 突破点就在静态电流 (2013.11.28) 能源采集这个议题在产业界的讨论并不算是相当热络,广泛来看,像是太阳能发电亦可以算是能源采集的一种。若将能源采集作一个简单的定义,将不同的能量转化为电能,就可等同视之 |
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最新平面型功率MOSFET系列UniFET II MOSFET问世 (2013.08.19) 高电压功率 MOSFET 一般分为两大类: 超接面(SJ : Super Juction)MOSFET 和平面型 MOSFET。由于其电荷平衡结构和更小的输入栅极电荷(Qg),SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的导通电阻(RDS(on))和更快的开关性能 |
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意法半导体推出采用TO-247封装的650V车规MOSFET (2013.08.14) 意法半导体的STW78N65M5和STW62N65M5是业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650V AEC-Q101车规MOSFET。在高电压突波(high-voltage spikes)的环境中,650V额定电压能够?目标应用带来更高的安全系数,有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性 |