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行动通讯与高速介面双主题同步 安立知年度盛会引领通讯量测技术潮流 (2023.03.23)
Anritsu 安立知年度技术论坛「Anritsu Tech Forum 2023」首度聚焦「行动通讯」与「高速介面」双主题，结合了丰富精彩的专题演说内容，以及多款最新测试量测仪器与应用的展示，让现场超过 500 位与会的产业菁英满载而归 |
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爱德万测试：半导体长期趋势不变 测试维持健康荣景 (2022.12.26)
在2022年，原本市场一片乐观与看好，不过到了下半年景气稍有下滑，预期在2023年也会再度出现景气持续下滑的状况。尽管短期来看，记忆体与SoC等市场都有下滑的迹象，但长期的成长趋势则不会有所改变 |
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高通为台湾文化科技5G创新应用开启全新里程碑 (2022.12.23)
为实现文化科技5G创新应用，在数位发展部数位产业署指导下，资策会结合高通的5G毫米波技术，打造了全台首座「5G行动制播服务系统（简称5G行动车）」，近期在两厅院音乐剧《向左走向右走》展演期间，提供具高互动性的XR沉浸式体验，充分运用5G毫米波超高速、低延迟、大频宽的传输特性，为表演艺术及相关应用开启全新视野 |
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爱立信：5G在全球经济挑战中持续增长 (2022.12.20)
爱立信最新的《爱立信行动趋势报告》预测，2022年底全球5G用户数将达到10亿，并将於2028年达到50亿。尽管全球经济前景不明，5G用户数仍将比4G早2年突破10亿大关(自推出年份估算)，为迄今成长速度最快的通讯技术 |
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ADI与大学合作共建全新射频及微波学习实验室 (2022.11.11)
麻萨诸塞大学洛厄尔分校(UMass Lowell)、ADI和ADI基金会宣布联手打造ADI射频/微波学习实验室，此先进实验室并已於近日正式启用。麻萨诸塞大学洛厄尔分校研究与创新??校长A |
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新思联合安矽思与是德 针对台积电制程加速5G/6G SoC设计 (2022.11.08)
为满足 5G/6G系统单晶片(SoC)对效能和功耗的严格要求，新思科技、安矽思科技与是德科技宣布推出用於台积公司 16 奈米FinFET精简型(16FFC) 技术的全新毫米波(mmWave)射频 (RF)设计流程 |
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关於台积电的2奈米制程，我们该注意什麽？ (2022.07.29)
台积在6月底正式宣布了他们的2nm技术蓝图，有什麽重要性？又会带出哪些半导体制造技术的风向球？本文就从技术演进，以及市场竞争与成本的角度来切入分析。 |
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应用材料推出运用EUV延展2D微缩与3D闸极全环电晶体技术 (2022.04.25)
应用材料公司推出多项创新技术，协助客户运用EUV持续进行2D微缩，并展示业界最完整的次世代3D闸极全环电晶体制造技术组合。
晶片制造商正试图透过两个可相互搭配的途径来增加未来几年的电晶体密度 |
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英特尔加速制程与封装创新 驱动领导力产品路线 (2021.07.28)
英特尔首次详尽揭露其制程与封装技术的最新路线规划，并宣布一系列基础创新，为2025年及其之后的产品注入动力。除了首次发表全新电晶体架构RibbonFET外，尚有称作PowerVia之业界首款背部供电的方案 |
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加速导入二维材料 突围先进逻辑元件的开发瓶颈 (2021.05.10)
二维材料是备受全球瞩目的新兴开发选择，各界尤其看好这类材料在延续逻辑元件微缩进展方面的潜力。 |
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微缩实力惊人 台积3奈米续沿用FinFET电晶体制程 (2020.06.04)
台积电终于在今年第一季的法人说明会里，透露了其3奈米将采取的技术架构，而出乎大家意料的，他们将继续采取目前的「FinFET」电晶体技术。 |
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3奈米制程将是晶圆代工厂的颠峰之战 (2019.10.01)
有能力将半制程推进到7奈米以下的业者，仅剩三星电子和台积电，谁能在3奈米技术中胜出，谁就有希望取得绝对的市场优势。 |
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格芯成立独资子公司设计客制 ASICs并重整FinFET发展蓝图 (2018.08.28)
格芯(GLOBALFOUNDRIES) 宣布重要的转型计画，延续 Tom Caulfield年初就任执行长所订定的发展方向。格芯依据 Caulfield 订定的策略方向重整技术组合，以高度成长市场客户为目标，聚焦在供应真正的差异化方案，将重新调整先进FinFET发展蓝图，并成立独资子公司设计客制 ASICs |
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ANSYS解决方案获台积电先进5奈米制程认证 (2018.05.11)
ANSYS宣布ANSYS RedHawk和ANSYS Totem已获得台积电（TSMC）最新5奈米FinFET制程认证，台积电的ANSYS认证包括萃取（extraction）、电源完整性和可靠度、以及讯号电子飘移（signal EM）可靠度分析 |
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Mentor强化支援台积电5nm、7nm制程及晶圆堆叠技术的工具组合 (2018.05.02)
Mentor宣布该公司Calibre nmPlatform 和Analog FastSPICE (AFS) 平台中的多项工具已通过台积电(TSMC)最新版5奈米FinFET和7奈米 FinFET Plus制程的认证，Mentor 亦宣布，已更新其 Calibre nmPlatform工具，可支援台积电的Wafer-on-Wafer (WoW)晶圆堆叠技术，这些 Mentor工具以及台积电的新制程将能协助双方共同客户更快地为高成长市场实现矽晶创新 |
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高通推出 10 奈米制程单晶片视觉智慧平台 增强运算功能 (2018.04.13)
行动处理器大厂高通（Qualcomm）宣布推出高通视觉智慧平台（Qualcomm Vision Intelligence Platform）。在该平台中，搭载了首款采用先进 10 奈米 FinFET 制程技术，专门针对物联网（IoT）打造的系统单晶片（SoC）系列━━QCS605 和 QCS603 |
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联发科通过7奈米FinFET矽认证 强化ASIC产品布局 (2018.04.10)
IC 设计大厂联发科宣布，推出业界第一个通过7奈米FinFET矽认证（Silicon-Proven）的 56G PAM4 SerDes 矽智财（IP），进一步扩大其 ASIC 产品阵线。
联发科表示，56G SerDes 解决方案乃基於数位讯号处理（DSP）技术，采用高速传输讯号 PAM4，具备一流的性能、功耗及晶粒尺寸（Die-area） |
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格罗方德为IBM提供客制化的14奈米FinFET技术 (2017.09.22)
半导体大厂GLOBALFOUNDRIES (格罗方德半导体，GF)表示，其14nm High Performance (HP) 技术现已进入量产，此技术将运用於 IBM 新一代伺服器系统的处理器。在大数据和认知运算时代，这项由双方共同研发的14HP 制程，将协助IBM为其支援的云端、商务及企业级解决方案提供高效能及资料处理能力等两大优势 |
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新思科技成功完成台积电7奈米FinFET制程IP组合投片 (2017.09.19)
新思科技今日宣布针对台积电7奈米制程技术，已成功完成DesignWare 基础及介面PHY IP组合的投片。与16FF+制程相比，台积电7奈米制程能让设计人员降低功耗达60%或提升35%的效能 |
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提升40％的性能 格罗方德将推7奈米FinFET制程技术 (2017.06.15)
提升40％的性能 格罗方德将推7奈米FinFET制程技术
提升40％的性能 格罗方德将推7奈米FinFET制程技术
GLOBALFOUNDRIES CMOS业务部资深副总裁Gregg Bartlett表示，该公司的7奈米FinFET制程技术正在按照计画开发，预期在2018年计划宣布的多样化产品对客户将有强大吸引力 |
