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GenAI时代需求高速资料处理效能 3D NAND技术将无可取代 (2024.12.16)
随着生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）与边缘运算的快速发展，全球对高效能、高容量储存技术的需求急速攀升。虽然GPU与DRAM常被视为推动AI发展的核心，3D NAND技术凭藉其优异的储存密度、可靠性与能源效率，成为支撑AI应用的关键基石，默默扮演着「隐形推手」的角色 |
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GenAI时代需求高速资料处理效能 3D NAND技术将无可取代 (2024.12.16)
随着生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）与边缘运算的快速发展，全球对高效能、高容量储存技术的需求急速攀升。虽然GPU与DRAM常被视为推动AI发展的核心，3D NAND技术凭藉其优异的储存密度、可靠性与能源效率，成为支撑AI应用的关键基石，默默扮演着「隐形推手」的角色 |
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科林研发推出Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术 加速3D NAND在AI时代的微缩 (2024.08.06)
Lam Research 科林研发推出 Lam Cryo 3.0，这是该公司经过生产验证的第三代低温介电层蚀刻技术，扩大了在 3D NAND 快闪记忆体蚀刻领域的领先地位。随着生成式人工智慧（AI）的普及不断推动更大容量和更高效能记忆体的需求，Lam Cryo 3.0 为未来先进 3D NAND 的制造提供了至关重要的蚀刻能力 |
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科林研发推出Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术 加速3D NAND在AI时代的微缩 (2024.08.06)
Lam Research 科林研发推出 Lam Cryo 3.0，这是该公司经过生产验证的第三代低温介电层蚀刻技术，扩大了在 3D NAND 快闪记忆体蚀刻领域的领先地位。随着生成式人工智慧（AI）的普及不断推动更大容量和更高效能记忆体的需求，Lam Cryo 3.0 为未来先进 3D NAND 的制造提供了至关重要的蚀刻能力 |
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首度支援SD8.0规格 慧荣推出SD Express控制晶片解决方案 (2021.03.31)
NAND快闪记忆体控制晶片品牌今日宣布推出旗舰产品SM2708 SD Express控制晶片解决方案，支援最新SD 8.0规格，并向下相容SD 7.1规格。藉由PCIe Gen 3x2介面和NVMe 1.3，SM2708为SD Express卡提供超高效能的解决方案，满足各产业高效能应用需求 |
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首款支援SD8.0规格 慧荣推出SD Express控制晶片解决方案 (2021.03.31)
NAND快闪记忆体控制晶片品牌慧荣科技今日宣布推出旗舰产品SM2708 SD Express控制晶片解决方案，支援最新SD 8.0规格，并向下相容SD 7.1规格。藉由PCIe Gen 3x2介面和NVMe 1.3，SM2708为SD Express卡提供超高效能的解决方案，满足各产业高效能应用需求 |
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世迈推出高容量NVDIMM 支援DDR4高汇流排频率 (2020.11.26)
专业记忆体与储存解决方案品牌世迈科技（SMART Modular）宣布推出高容量16GB与32GB非挥发性双列直??式记忆体模组（NVDIMMs），可支援DDR4-3200高汇流排频率。
(圖一)世迈科技（SMART Modular）全新高容量16GB与32GB非挥发性双列直??式记忆体模组（NVDIMMs）支援DDR4-3200高汇流排频率 |
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世迈推出高容量NVDIMM 支援DDR4高汇流排频率 (2020.11.26)
专业记忆体与储存解决方案品牌世迈科技（SMART Modular）宣布推出高容量16GB与32GB非挥发性双列直??式记忆体模组（NVDIMMs），可支援DDR4-3200高汇流排频率。
此新品结合美光科技（Micron）先进的DDR4记忆体技术与世迈科技的高速PCB设计，可大幅增进讯号传输的完整性，在支援DDR4的最高速率下也能有效节省设计成本 |
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美光176层3D NAND正式出货 瞄准5G手机及智慧边缘运算商机 (2020.11.10)
美光科技今日宣布首款176层3D NAND快闪记忆体已正式出货，实现前所未有的储存容量和效能。美光最新的176层技术及先进架构为一重大突破，可大幅提高资料中心、智慧边缘运算以及手机装置等储存使用案例的应用效能 |
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KLA全新电子束缺陷检测系统 以深度学习提供先进IC缺陷检测 (2020.07.21)
KLA公司今天宣布推出eSL10电子束图案化晶圆缺陷检测系统。该系统旨在通过检测来发现光学或其他电子束缺陷检测系统无法稳定侦测的缺陷，加快高性能逻辑和记忆体晶片，其中包括那些依赖於极紫外线（EUV）光刻技术的晶片的上市时间 |
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KLA全新电子束缺陷检测系统 以深度学习提供先进IC缺陷检测方案 (2020.07.21)
KLA公司今天宣布推出eSL10电子束图案化晶圆缺陷检测系统。该系统旨在通过检测来发现光学或其他电子束缺陷检测系统无法稳定侦测的缺陷，加快高性能逻辑和记忆体晶片，其中包括那些依赖於极紫外线（EUV）光刻技术的晶片的上市时间 |
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Western Digital推出BiCS5 3D NAND技术 满足庞大且快速增长的资料储存需求 (2020.02.24)
Western Digital今（24）日宣布成功开发出第五代3D NAND技术BiCS5，提供最先进的快闪记忆体技术。BiCS5采用三层单元（TLC）与四层单元（QLC）两种架构，能以极具吸引力的成本提供卓越的容量、效能与稳定性，满足因连网汽车、行动装置与人工智慧而急速增长的资料量需求 |
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Western Digital推出BiCS5 3D NAND技术 满足庞大且快速增长的资料储存需求 (2020.02.24)
Western Digital今（24）日宣布成功开发出第五代3D NAND技术BiCS5，提供最先进的快闪记忆体技术。BiCS5采用三层单元（TLC）与四层单元（QLC）两种架构，能以极具吸引力的成本提供卓越的容量、效能与稳定性，满足因连网汽车、行动装置与人工智慧而急速增长的资料量需求 |
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3D FeFET角逐记忆体市场 (2019.11.25)
爱美科技术总监Jan Van Houdt解释FeFET运作机制，以及预测这项令人振奋的「新选手」会怎样融入下一代记忆体的发展蓝图。 |
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Western Digital 1.33Tb － 4-bits-per-cell 96层架构3D NAND开始送样 (2018.08.07)
Western Digital公司宣布已成功开发出第二代4-bits-per-cell 3D NAND架构。透过专为Western Digital 96层BiCS4产品导入的QLC技术，已成功开发出储存容量最高的单颗粒3D NAND，其单一储存容量可提升至1.33 Tb(Terabits) |
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Western Digital 1.33Tb － 4-bits-per-cell 96层架构3D NAND开始送样 (2018.08.07)
Western Digital公司宣布已成功开发出第二代4-bits-per-cell 3D NAND架构。透过专为Western Digital 96层BiCS4产品导入的QLC技术，已成功开发出储存容量最高的单颗粒3D NAND，其单一储存容量可提升至1.33 Tb(Terabits) |
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[COMPUTEX] 宜鼎发表iCAP云端储存平台 整合现场硬体资讯 (2018.06.08)
宜鼎国际（Innodisk）於今年Computex推出最新工业级3D NAND快闪记忆体储存装置，以及高容量应用的SATA 3TG-6系列、3D NAND SSD以及高效能的PCI-E等，满足客户多元应用需求。
(圖一)宜鼎国际发表iCAP云端储存平台，整合现场硬体资讯进行处理 |
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[COMPUTEX] 宜鼎国际发表iCAP云端储存平台 整合现场硬体资讯进行处理 (2018.06.08)
宜鼎国际（Innodisk）於今年Computex推出最新工业级3D NAND快闪记忆体储存装置，以及高容量应用的SATA 3TG-6系列、3D NAND SSD以及高效能的PCI-E等，满足客户多元应用需求。
另外在现场也展出iCAP云端储存管理平台，以软、硬、韧体跨界整合的优势，目前在工控领域以及智慧路灯上已准备启用 |
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TrendForce：东芝出售予美日联盟，提升3D NAND产能力拼三星 (2017.09.25)
TrendForce记忆体储存研究（DRAMeXchange）指出，东芝公司已正式在9月20日分拆记忆体业务，决定将旗下半导体事业以2兆日圆出售给由美国私募股权业者贝恩资本（Bain Capital）代表的美日联盟 |
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TrendForce：东芝出售予美日联盟，提升3D NAND产能力拼三星 (2017.09.25)
TrendForce记忆体储存研究（DRAMeXchange）指出，东芝公司已正式在9月20日分拆记忆体业务，决定将旗下半导体事业以2兆日圆出售给由美国私募股权业者贝恩资本（Bain Capital）代表的美日联盟 |
硬件组装在一起，只是一堆相互无法联系的零件，零件要能相互联络、沟通与协调，才能构成整体的「系统」的基础，而BIOS便扮演这样的角色。
