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CTIMES / 雙低壓差
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
Diodes新款双LDO具备高PSRR及低静态电流 (2019.04.16)
【美国德州讯】Diodes公司宣布推出AP7345D系列双低压差(LDO)稳压器，具备高电源电压抑制比(PSRR)及低静态电流，适用於以原电池提供电源的AA或AAA电池等产品应用。 AP7345D提供独立电压输入，并具备启用脚位用於控制输出
Diodes最新占位面积小双低压差130mA稳压器 (2015.09.14)
Diodes公司（Diodes Incorporated）推出双低压差（LDO）稳压器AP7346。新元件专为智慧型手机、平板电脑和类似的消费性电子产品中的指纹辨识模组提供功率及输入/ 输出电源。该低压差稳压器在轻负载下的低静态电流和高效率能够尽量减少这些由电池推动的可携式设备的功耗

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