CTIMES - 記憶體

創新3D緩衝記憶體助力AI與機器學習 (2025.05.06)
imec的研究顯示，包含氧化銦鎵鋅（IGZO）傳導通道的3D整合式電荷耦合元件（CCD）記憶體是絕佳的潛力元件。

3D DRAM新突破！國研院聯手旺宏提升AI晶片效能 (2025.02.26)
國研院半導體中心與旺宏電子合作，成功開發「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體（3D DRAM）」，此技術突破傳統2D記憶體限制，採用3D堆疊技術，大幅提升記憶體密度與效能，且具備低功耗、高耐用度優勢，有助於提升AI晶片效能

SOT-MRAM記憶體技術重大突破有望改寫電腦快取架構 (2025.02.10)
德國約翰古騰堡大學（JGU）研究團隊攜手法國Antaios公司，在自旋軌道扭矩（SOT）磁性隨機存取記憶體（MRAM）技術上取得關鍵性進展。這項創新技術展現了取代現有電腦快取記憶體的潛力，為高效能運算開闢新道路

日本光磁技術重大突破為光儲存記憶體帶來新視野 (2025.02.06)
日本東北大學研究團隊近日在光磁技術領域取得重大進展，成功觀測到比傳統磁鐵高出五倍效率的光磁轉矩，為開發基於光學的自旋記憶體和儲存技術帶來深遠影響。光磁轉矩是一種可以對磁鐵產生作用力的方法

生成式AI為中國記憶體產業崛起帶來契機可望在中低階市場站穩根基 (2025.01.17)
隨著生成式AI技術的快速發展，全球記憶體市場需求急劇上升，這波趨勢不僅刺激了全球供應鏈的加速轉型，也為中國記憶體產業帶來嶄新的發展契機。長鑫存儲（CXMT）等中國企業，正憑藉技術突破與市場拓展，努力縮短與全球領先企業的差距，為整個產業的競爭格局注入新的變數

Weebit Nano授權ReRAM技術給安森美半導體 (2025.01.02)
以色列記憶體技術開發商Weebit Nano Limited宣布，已將其電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 技術授權給安森美半導體。根據協議條款，Weebit ReRAM IP將整合到安森美半導體的Treo平台中，以提供嵌入式非揮發性記憶體 (NVM)

盧超群：以科技提高生產力明年半導體景氣謹慎樂觀並逐步成長 (2024.12.19)
CES 是全球最具影響力的科技盛會，2025年的CES展會，鈺創科技集團以「創新落實、AI 落地，連結 MemorAiLink 開創未來」為主軸參展，將展示「普識智慧 (Pervasive Intelligence) 與異質整合 (Heterogeneous Integration)」的 IC 產品理念，展現其在創新產品開發上的不懈努力

Rambus與美光延長專利授權協議強化記憶體技術力 (2024.12.11)
半導體IP商Rambus今日宣布，已與美光(Micron )專利授權協議期限延長五年。該延長協議維持現有授權條款，允許Micron在2029年底前廣泛使用Rambus專利組合。其他條款和細節保密

鎧俠發表全新記憶體技術OCTRAM 實現超低功率耗 (2024.12.10)
記憶體商鎧俠株式會社（Kioxia Corporation），今日宣布開發出全新記憶體技術OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，這是一種新型 4F2 DRAM，採用具備高導通電流和超低截止電流的氧化物半導體電晶體

Crucial擴展DDR5 Pro電競記憶體產品組合為遊戲玩家提供更快速度 (2024.10.30)
美光科技推出 Crucial DDR5 Pro 超頻電競記憶體，以全新 6,400 MT/s 的速度，為玩家提供更流暢、更快速的遊戲體驗。此次產品更新是繼 2月首次推出的6,000 MT/s 電競記憶體解決方案後的進一步升級

美光超高速時脈驅動器DDR5記憶體產品組合可助新一波AI PC發展浪潮 (2024.10.16)
美光科技推出全新類別的時脈驅動器記憶體─Crucial DDR5 時脈無緩衝雙列直插式記憶體模組（CUDIMM）和時脈小型雙直列記憶體模組（CSODIMM），現已大量出貨。這些符合 JEDEC 標準的解決方案運行速度高達 6,400 MT/s，是 DDR4 速度的兩倍之多，比傳統的非時脈驅動器 DDR5 快 15%