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CTIMES / 電晶體
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制定無線傳輸規範的組織 - ITU

ITU最主要的工作就是制定無線傳輸設施的相關規範,例如手機、飛航通訊、航海通訊、衛星通訊系統、廣播電台和電視台等無線傳輸設施,
解決7奈米以上CMOS的接觸電阻挑戰 (2019.06.11)
隨著新型鈦矽化技術的發展,來自愛美科(imec)的博士生Hao Yu,介紹了改進源/汲極接觸方案,這將能解決先進CMOS技術接觸電阻帶來的挑戰。
貿澤供應Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體 適合航空電子應用 (2018.05.31)
貿澤電子即日起開始供應Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 電晶體。 QPD1025在65V的運作功率達1.8 kW,為業界功率最高的碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻電晶體,擁有高訊號完整度和延伸的涵蓋範圍,適合L波段航空電子和敵我識別 (IFF) 應用
先進材料是電動車快速崛起之關鍵 (2018.04.10)
汽車製造商將面臨巨大的壓力,需要竭盡全力實現更高的燃油經濟性。從長遠來看,將需要採納電動車(EV)和混合動力車(HEV)以便能夠實現這些目標。
FDX技術良性迴圈的開端 (2018.03.20)
格芯的22奈米和12奈米 FDX製程適合於低功率、移動和高度結合而成的SoC應用,對於很多客戶來說,這是最佳市場。
D3 Semiconductor與貿澤電子簽署全球分銷協定 (2017.06.20)
D3 Semiconductor宣佈貿澤電子 (Mouser Electronics) 現已成為其全球分銷合作夥伴。根據協定,貿澤電子目前儲備 D3 Semiconductor 的完整 650 伏額定電壓超結金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET) +FET產品線
EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍 (2017.03.17)
全球增?型氮化鎵電晶體廠商、致力於開發創新的矽基功率場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路的宜普電源轉換公司(EPC)推出全新的EPC2045(7微歐姆、100 V)及EPC2047(10 微歐姆、200 V)電晶體,在提升產品性能的同時也可以降低成本
石墨烯價跌擴大應用面 3D列印線材受人注目 (2016.11.03)
石墨烯被視為新世代超級材料,不管是薄膜或粉末在近幾年都有突破性之發展。工研院產業學院羅達賢執行長表示,尤其因為石墨烯的價格逐漸下探,商品化已開始從電晶體、透明導電膜、儲能技術、化學感測器、功能複合材料等方面拓展到機械、電機、電子、光電、材料、生醫及能源等各領域的應用
恩智浦舉辦未來科技峰會 推出「半導體加熱魔術方塊」 (2016.09.30)
今年恰逢恩智浦半導體成立十周年,在此之際,恩智浦亦於日前在深圳舉辦「2016恩智浦FTF未來科技峰會」向合作夥伴、各領域與會嘉賓展示半導體產業安全互聯領域最新的技術成果與解決方案
Silicon Labs推出基於CMOS隔離技術的客製化固態繼電器解決方案 (2016.09.26)
Silicon Labs (芯科科技) 近日推出基於CMOS技術的突破性隔離型場效電晶體(FET)驅動器系列產品,使開發人員能夠自行選擇特定應用和高容量之FET來替代過時的機電繼電器(EMR)和基於光耦合器的固態繼電器(SSR)
[專欄]GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界 (2016.08.10)
眾人皆知,由於半導體製程的不斷精進,數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運算力不斷增強,使運算的取得愈來愈便宜,也愈來愈輕便,運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦,而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板
[專欄]摩爾定律失效了? (2016.04.06)
有關企業的經營管理理論有多個來源,一是學術研究,二是企業管理顧問,三是實務經驗觀察。學術研究如哈佛商學院教授Christensen M. Clayton提出破壞式創新(disruptive innovation);企業管理顧問如波士頓顧問集團(BCS)提出多角化經營矩陣
意法半導體推出1500V超接面功率MOSFET讓電源應用環保又安全 (2015.11.09)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化,同時提升工作穩健性及安全系數。MDmeshTM K5產品是擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極(drain-to-source)崩潰電壓(breakdown voltage)的電晶體,並已獲亞洲及歐美主要客戶導入於其重要設計中
英飛凌推出行動基地台發射器專用的氮化鎵裝置 (2015.10.02)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出碳化矽(SiC)射頻功率電晶體的氮化鎵(GaN)系列產品。憑藉英飛凌的氮化鎵技術,該款新產品可協助行動基地台的製造商打造體積更小、功能更強大,且具彈性的發射器
Mentor Graphics獲得TSMC 10nm FinFET 製程技術認證 (2015.09.21)
Mentor Graphics(明導)公司宣佈,Calibre nmPlatform已通過TSMC 10nm FinFET V0.9製程認證。此外,Mentor Analog FastSPICE電路驗證平臺已完成了電路級和元件級認證,Olympus-SoC數位設計平臺正在進行提升,以幫助設計工程師利用TSMC 10nm FinFET技術更有效地驗證和優化其設計
瑞薩電子開發28奈米嵌入式快閃記憶體技術 (2015.05.15)
瑞薩電子(Renesas)宣布已開發全新快閃記憶體技術,可達到更快的讀取與覆寫速度。這項新的技術是針對採用28奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術的晶片內建快閃記憶體微控制器(MCU)所設計
Diodes高壓穩壓器電晶體為微控制器提供5V電源 (2015.03.27)
Diodes公司推出新穩壓器ZXTR2105F,該產品整合電晶體、齊納二極體及電阻器單片式,有效在高達60V的輸入情況下提供5V 15mA的輸出。這款穩壓器電晶體採用了小巧的SOT-23封裝,可減少元件數量,以及節省微控制器應用的印刷電路板面積,例如個人電腦和伺服器的直流散熱風扇,以及工業與汽車市場的馬達驅動器、排氣扇和感測器應用
英飛凌與Panasonic為常關型600V氮化鎵功率半導體建立雙供應源 (2015.03.17)
英飛凌科技(Infineon)與 Panasonic公司宣佈雙方將共同開發以 Panasonic 常關型(強化模式)矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎的氮化鎵 (GaN) 產品,並整合至英飛凌的表面黏著裝置(SMD)封裝
Diodes微型場效電晶體節省40%空間 (2015.02.13)
Diodes公司為提供空間要求嚴格的產品設計,擴充了旗下超小型分立元件產品系列。新推出的3款小訊號MOSFET包括20V和30V額定值的N通道電晶體,以及30V額定值的P通道元件,產品全都採用DFN0606微型封裝
宜普演示板採用氮化鎵場效應電晶體實現音頻高效 (2015.02.06)
宜普電源轉換公司(EPC)推出新款採用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體的D類音頻放大器參考設計(EPC9106)採用 Bridge-Tied-Load(BTL)設計,包含四個接地的半橋輸出功率級電路,使得設計可以升級及擴展
盛群針對家電產品應用新推出電源控制IC─HT7A6312 (2015.01.29)
盛群(Holtek)可應用於全電壓輸入下隔離或非隔離型AC/DC電源設計─HT7A6312。這是一顆主要針對家電產品使用,可應於多種不同設計架構,如:降壓型、升降壓型、隔離與非隔離返馳型轉換器,並可提供低待機功耗的高效率之AC/DC電源控制IC

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