CTIMES - Nand

Pure Storage：All Flash讓儲存也走向現代化 (2016.07.29)
固態儲存陣列供應商Pure Storage宣佈，專門用途設計的旗艦級全快閃(all-flash)儲存陣列現在推出新的入門機型FlashArray//m10。這款FlashArray//m系列的新產品是專為中型IT組織設計的完整儲存方案，同時也為尋求建構關鍵商務應用全快閃能力的較大規模企業提供一個經濟實惠的切入點

Micron：加速發展3D NAND 將資料儲存帶入新紀元 (2016.07.20)
消費者已經對於資料即時傳遞充滿期待，難以接受等待電腦開機、相片、影片或大型儲存檔案的載入。多虧快閃儲存裝置的即時載入能力，消費者不再需要像過往採用旋轉式HDD等待資料載入，美光最新的3D NAND SSD系列，就滿足了消費者的期待

慧榮加速3D TLC NAND用戶端SSD市場普及速度 (2016.07.13)
今年，3D NAND已幾乎佔據用戶端SSD市場半壁江山，而採用高級SSD控制器實現低成本高性能、基於3D TLC NAND的解決方案則是促成這一轉變的關鍵。慧榮科技（Silicon Motion）推出了SM2258這款搭載?體並支援全系列SATA 6Gb/s SSD控制器解決方案，可支援所有主流NAND供應商最新發佈的3D TLC NAND產品

SanDisk：主流消費市場快速儲存的需求必須被滿足 (2016.07.06)
由於內容創作、消費量與生產力正驅動著更高效能、更大空間的儲存解決方案需求，因此市場需要全新效能等級、以及更多樣化的儲存解決方案，來應對市場不斷變遷的儲存需求

應材：2016年宏觀經濟環境與2015年類似還有成長空間 (2016.01.21)
以精密材料工程解決方案見長的應用材料公司，2015會計年度全年整體營收達96.6億美元，年增6%。半導體設備的訂單與營收達到自2007年以來的新高，其中蝕刻(Etch)、化學氣相沉積(CVD)、化學機械研磨(CMP)等產品所貢獻的營收都創下近年來的新高點

擎泰裁員七成 NAND控制器市場更加嚴峻 (2015.12.03)
曾經是前興櫃股王，目前專注於NAND Flash控制晶片的擎泰，近日傳出將裁員七成的消息。若消息屬實，則到明年三月，將只剩下10名左右員工。此消息一出，也使得台灣記憶體業界為之震驚

應材：2D轉進3D NAND的趨勢正加速進行 (2015.10.06)
今年整體的半導體景氣，相較於2014年是為持平，或有下修的風險。最主要的原因是來自於晶圓代工的良率改善、庫存管控，以及機台再利用(tool reuse)等方面。應用材料集團副總裁余定陸指出，目前應材在DRAM和NAND方面的成長，會抵銷部分來自於晶圓代工疲弱的影響

Xilinx推出LDPC錯誤校正IP基礎 (2015.08.13)
美商賽靈思（Xilinx）推出低密度奇偶校驗（Low-Density Parity-Check；LDPC）錯誤校正IP基礎，為雲端與資料中心儲存市場實現各種新一代快閃型應用。由於各種3D NAND技術讓NAND快閃記憶體不斷精進，LDPC錯誤校正已然成為一項關鍵的核心功能以因應現今儲存解決方案對可靠度和耐用度的嚴格要求

東芝16顆粒堆疊式NAND快閃記憶體搭載TSV技術 (2015.08.07)
東芝公司（Toshiba）宣布研發出運用矽穿孔（TSV）技術的16顆粒（最大）堆疊式NAND快閃記憶體。東芝將於8月11~13日在美國聖克拉拉舉行的2015年快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型

全SSD儲存時代正式來臨 (2015.07.23)
SSD已在PC儲存應用市場大放異彩。挾著高速、穩定、低耗能的優勢， SSD還將進一步邁向資料中心、數位看板等商用市場。

Altera FPGA架構儲存設計可延長NAND快閃記憶體使用壽命 (2015.07.03)
Altera公司開發採用其Arria 10 SoC架構的儲存參考設計，與目前的NAND快閃記憶體相比，NAND快閃記憶體的使用壽命將加倍，程式擦除週期數增加了7倍。參考設計在經過最佳化的高性能價格比單晶片解決方案中，包括一顆Arria 10 SoC和整合雙核心ARM Cortex A9處理器，同時採用了Mobiveil的固態硬碟（SSD）控制器，以及NVMdurance的NAND最佳化軟體

TDK推出支持串行ATA 6Gbps的高可靠性固態硬碟SDS1B系列 (2015.05.11)
（日本東京訊）TDK株式會社將於2015年8月開始發售搭載有可支持串行ATA 6Gbps的NAND型快閃記憶體控制IC GBDriver GS1的2.5inch型工業用固態硬碟SDS1B系列產品。近年來，以OS的高容量化及4K、8K全高畫質數位播放為代表的高畫質大容量數據的儲存等都逐漸要求儲存器實現高速、大容量的用途

Intel蟬聯半導體冠軍營收創十年新高 (2012.03.27)
拜強勁的核心晶片銷售所賜，以及併購策略奏效，Intel在2011年全球半導體營收市占率攀升至15.6%，相較2010年的13.1%成長了2.5%，不僅創下了10年來的最高紀錄，也順利地再度蟬聯全球半導體營收冠軍

可取代NAND快閃的新記憶體技術問世 (2010.05.20)
Unity半導體公司不斷致力於新記憶體技術的開發，不久前該公司宣佈成功開發一種可取代NAND Flash的新記憶體技術，相信不久以後，NAND Flash為記憶卡和固態硬碟唯一解決方案的局面將出現大幅改變

CES 2010：G世代NAND拉抬USB3.0話題熱 (2010.01.06)
NAND快閃記憶體的主流製程將在今年達到40奈米以下，這項新製程將讓NAND晶片讀寫速度提高1倍，正式跨入G世代，也讓NAND業者全力支持USB3.0發展，包括三星、東芝、英特爾等業者，都於CES展中宣示跨入USB3.0世代

恆憶推出新系列NAND快閃記憶體 (2008.12.22)
恆憶（Numonyx）針對無線通訊、嵌入式設計和資料儲存應用推出新系列NAND快閃記憶體產品，持續為業界提供完整的 NOR、NAND、RAM和PCM（相變化記憶體）解決方案。新系列產品包括高達32Gb（gigabits）的MLC NAND、32GB（gigabytes）的eMMC和高達8 GB的microSD產品，均採用先進的41奈米製程

惠瑞捷推出V6000快閃記憶體及DRAM測試系統 (2008.11.28)
惠瑞捷(Verigy) 宣佈推出V6000測試系統，可在同一套自動化測試設備 (ATE) 機台上，測試快閃和DRAM記憶體，測試成本低於現有的解決方案。多功能的V6000可調整適用於半導體記憶體的各個測試階段，包括工程測試、晶圓測試 (Wafer Sort)、以及終程測試 (Final Test) 等

Numonyx暫緩義大利Catania 12吋廠計畫 (2008.11.18)
外電消息報導，非揮發性記憶體供應商恆憶(Numonyx)日前表示，由於受全球經濟成長趨緩的影響，原訂在義大利Catania興建12吋晶圓廠的計劃將暫緩實施，最快要到2010年以後才會定案

Spansion推出高性能NAND快閃記憶體生產計畫 (2008.09.15)
純快閃記憶體解決方案供應商Spansion公佈了即將推出的MirrorBit ORNAND2產品系列生產計畫，該系列產品的寫入速度可提高25%，讀取速度最高可提升一倍，其裸片尺寸也比目前的浮動閘門NAND快閃記憶體明顯減小

海力士打造清州廠為全球第一大NAND記憶體工廠 (2008.09.04)
海力士半導體位於韓國清州市、支援300mm（12吋）晶圓的新製造生產線M11落成，海力士並邀請當地政府官員等舉行完工典禮。據了解，M11將採用40nm製程，用於生產16Gbit及32Gbit等高密度NAND快閃記憶體