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第二季NAND Flash市場規模擴大 價格上漲為主因 (2007.08.20)
市調機構iSuppli公佈了2007年第二季（4～6月）NAND快閃記憶體的市調結果。資料顯示全球市場規模比去年同期成長了10.2％，比上季成長14.4％、達到30億1200萬美元。第二季NAND快閃記憶體市場改變了第一季市場需求低迷的態勢，由於各廠商的出貨量減少，使得第二季NAND快閃記憶體的出貨量減少，也導致平均售價上漲 |
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NAND Flash Inside！ (2007.07.09)
為了持續提高NAND Flash的儲存容量與密度，東芝（Toshiba）計畫一改過去持續挑戰半導體製程極限的作法，轉而透過3D結構以提高NAND Flash的儲存密度。此外，其他記憶體廠商也都不斷開發新技術以取代傳統浮動閘極（floating gate）結構之NAND Flash，藉此解決該技術容量極限難以突破的問題 |
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都是價格考量拉～ (2007.06.28)
都是價格考量拉～ |
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2009年筆記型電腦的SSD使用率將達到12％ (2007.06.27)
固態硬碟（solid state drive；SSD）前景看好，因此各市調機構紛紛提出該市場的未來預測。iSuppli便指出，SSD佔有率到2009年底將達到12％。而預計同時使用硬碟和快閃記憶體的混合型硬碟佔有率將達到35％ |
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東芝發表三維陣列NAND快閃記憶體 (2007.06.14)
東芝發表了新一代的NAND快閃記憶體技術。據了解，東芝成功研發了不必依賴微細化而能增大NAND快閃記憶體容量的儲存單元排列技術。在柵極電極膜和絕緣膜交互層疊的結構上，打入貫通上層到下層的小孔，在柱狀空隙中填入含雜質的矽 |
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東芝率先推出採用SSD硬碟之筆記型電腦 (2007.06.11)
東芝率先使用SSD固態硬碟於筆記型電腦上。據了解，東芝於今年6月5日發表的筆記本電腦Dynabook SS RX1，其八款型號中已有三款配備了使用NAND快閃記憶體的固態硬碟（solid state drive；SSD） |
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SSD將是NAND快閃記憶體未來最大應用領域 (2007.05.22)
美光科技（Micron Technology）在Flash Memory Technology Direction研討會上表示，SSD將決定NAND Flash的未來。美光Memory Products Group首席應用工程師Jim Cooke在演講時指出，快閃記憶體在性能、可靠性、耐久性、耗電、尺寸、重量、耐衝擊性、溫度等方面均勝過硬碟，缺點在於容量和單位容量的成本較高 |
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2009年將有半數NB採用NAND Flash儲存資料 (2007.05.04)
根據一份由iSuppli所調查的最新研究報告指出，到了2009年第四季，超過一半的筆記型電腦將會內建NAND快閃記憶體作為資料儲存介面，而這也位NAND快閃記憶體的市場發展前景注入一劑強心針 |
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SanDisk 與奇夢達共同開發行動儲存解決方案 (2007.04.27)
SanDisk與奇夢達達成協議，將運用SanDisk的NAND快閃記憶體與控制晶片，以及Qimonda的低功耗行動DRAM，聯合開發與製造多重晶片（Multichip；MCP）。這項合作是針對手機市場對於高容量、高度密集資料處理迅速成長的需求所設計 |
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2006年手機快閃記憶體排名Spansion市場第一 (2007.04.09)
美國iSuppli調查公司公佈了2006年手機快閃記憶體儲存裝置的市佔率排名。Spansion超過2005年第一名的Intel，位居2006年榜首，比2005年成長4.1％，市佔率為29.9％。Spansion的手機用NOR快閃記憶體銷售額比2005年成長35％，達到18億美元，成長速度比起市場整體成長速度16.4％還要快上兩倍 |
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三星新款NAND記憶體具備更高靈活性 (2007.04.03)
南韓三星電子（Samsung Electronics）將於本月起推出新款的NAND快閃記憶體Flex-OneNAND。該款快閃記憶體的特點在於設備廠商可根據應用的不同，自行設定成本與性能的平衡點。
在該款NAND快閃記憶體的記憶單元中，2bit/單元的多值單元（Multi-Level Cell；MLC）與1bit/單元的SLC的比率可自由設定 |
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美光NAND快閃記憶體產品前進3G市場 (2007.03.26)
美光科技（Micron Technology）將把NAND快閃記憶體業務推向手機市場。該公司將把控制器電路設計於NAND快閃記憶體晶片珠，以及制定與設備端LSI間的介面標準。美光此舉是希望能使產品廠商省去在設備端LSI中配備控制器電路的麻煩，以提供終端產品廠商更高便利性 |
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Intel的Turbo Memory技術將在新迅馳平台上現蹤 (2007.03.26)
透過日前在德國所舉行的漢諾威電腦展（CeBIT），Intel已經將Robson技術，正式更名為Turbo Memory技術，下一世代迅馳平台Santa Rosa主機板中，也都將預留Turbo Memory專用插槽。而Intel初期將推出的512MB及1GB Turbo Memory技術NAND加速模組，也已經由鴻海為其開模試產成功，下半年將配合Santa Rosa平台共同出貨 |
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三星發表8GB之moviNAND快閃記憶體 (2007.03.21)
南韓三星電子發表了可將NAND Flash與MMC控制器一起封裝在同一晶片中的技術，並推出高達8GB的moviNAND產品，其存取速度為原來4GB規格的兩倍，並採用50nm製程的16Gbit NAND Flash。主要應用領域將是具備音樂播放功能的手機和車用GPS等導航系統 |
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旺宏正式啟動NAND快閃記憶體開發計畫 (2007.02.01)
旺宏將正式啟動NAND快閃記憶體的開發計畫，以SONOS技術為基礎，預期四年後完成，屆時以45奈米製程技術投入量產，初期生產16GB與32GB的產品，今年並有意尋求策略合作夥伴 |
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奇夢達將暫停生產NAND Flash (2006.12.18)
在NAND型快閃記憶體（Flash）市場上，先前已有瑞薩（Renesas）選擇暫時退出此一市場，而德國記憶體大廠奇夢達（Qimonda）近期也正式表示，待現有庫存出清至本季為止，將暫時不再生產NAND型Flash產品，等到往後推出自行開發且跟得上市場的NAND型Flash產品技術後，奇夢達將再視市場狀態重回到NAND型Flash領域 |
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愛德萬看好明年DRAM晶圓偵測市場 (2006.11.02)
有鑒於明年台灣有數座十二吋DRAM廠陸續投產，加上VISTA效應，全球最大的記憶體測試設備廠愛德萬認為，假設DRAM報價不要一直好過頭，加上NAND Flash廠毛利率不要衰退的太離譜，市場能維持現有的恐怖平衡，則明年DRAM市況應該是不錯的 |
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SanDisk與Toshiba合作推出2GB容量儲存卡 (2006.08.09)
自從三星電子（Samsung Electronics）開始量產60奈米製程的8GB MLC NAND快閃記憶體儲存晶片之後，儲存卡大廠們紛紛將各自MicroSD儲存卡的容量提高到1GB。不過SanDisk在Toshiba的支援下，最近推出儲存容量為2GB的儲存卡產品 |
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等待三星降價 NAND Flash買氣低靡 (2006.06.22)
包括三星、東芝等全球前二大NAND晶片供應商均認為，第三季後NAND將出現供不應求的旺季市況，不過若由六月以來NAND價格走勢及市場供需情況來看，國內模組廠及通路商似乎沒有嗅到NAND即將缺貨味道，其中三星及Hynix間的價差擴大，也讓許多買家期待三星進一步的降價動作，造成買氣持續低靡 |
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SanDisk將於中國興建首座封測廠 (2006.06.19)
SanDisk近期投資動作頻傳，除與日本東芝宣布將攜手建立第二座NAND快閃記憶體十二吋晶圓廠外，在中國興建自家首座晶片封裝測試及記憶卡組裝廠的計畫，也終於在近日拍板定案 |
