CTIMES - Mosfet

Vishay結合20V n通道功率MOSFET及肖特基二極體 (2008.12.17)
Vishay宣佈推出超小的20V n通道功率MOSFET＋肖特基二極體。SiB800EDK採用1.6mm×1.6mm的熱增強型 PowerPAK SC-75封裝，其將在100 mA時具有0.32V低正向電壓的肖特基二極體與具有在低至 1.5V柵極驅動時規定的額定導通電阻的MOSFET進行了完美結合

高振幅的任意/函數產生器 (2008.12.08)
本文說明產生高振幅信號的常規方法與外部放大器，然後討論典型的應用，並介紹整合高振幅階段使用新型任意/函數產生器的效益。

快捷推出最薄的MicroFET MOSFET (2008.11.20)
快捷半導體（Fairchild Semiconductor）推出超薄的高效率MicroFET產品FDMA1027，滿足現今可攜式應用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P通道PowerTrench MOSFET，FDFMA2P853則是20V P通道PowerTrench MOSFET，帶有肖特基二極體，並採用2mm ×2mm×0.55mm MLP封裝

Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.11.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n通道器件，擴展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。該器件採用PowerPAK SO-8封裝，在20V額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與閘極極電荷乘積

快捷P通道MOSFET採用CSP封裝 (2008.11.06)
快捷半導體（Fairchild Semiconductor）推出採用1×1.5×0.4mm WL-CSP封裝的單一P通道MOSFET元件FDZ391P，能滿足可攜應用對外型薄、電能和熱效率高的需求。FDZ391P採用快捷半導體的1.5V額定電壓PowerTrench製程設計，結合先進的WL-CSP封裝，將RDS(ON) 和所需的PCB空間減至最小

Vishay擴展Gen III TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.10.23)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件，從而擴展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，對於採用PowerPAK SO-8封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與閘極極電荷之乘積

降低能源損耗「飛」我莫屬 (2008.10.13)
生活中各個角落無不需要使用電力，然而電源的損耗也正在這些電子設備與線路的傳遞處理中一點一滴流逝。也因此半導體廠商所汲汲營營的，正是不斷開發出更新的半導體架構，讓電能的使用效率能夠達到更高，降低損耗，不僅使用者能更節省能源支出，也相對為環境的保護多出一份心力

專訪：英飛淩多元市場資深技術總監Leo Lorenz (2008.10.13)
生活中各個角落無不需要使用電力，然而電源的損耗也正在這些電子設備與線路的傳遞處理中一點一滴流逝。也因此半導體廠商所汲汲營營的，正是不斷開發出更新的半導體架構，讓電能的使用效率能夠達到更高，降低損耗，不僅使用者能更節省能源支出，也相對為環境的保護多出一份心力

Linear針對LED應用推出全功能LED控制器 (2008.10.03)
凌力爾特(Linear)發表LT3756，其為一款100V、高壓端電流感測DC/DC轉換器，專為驅動高電流LED而設計。此元件所擁有的6V至100V輸入電壓範圍，使其成為汽車、工業及建築照明等廣泛應用之理想選擇

AnalogicTech高效能降壓轉換器提供快2倍的瞬變響應 (2008.10.03)
AnalogicTech發表一款高效能、500mA單晶降壓轉換器。透過創新偽定頻（pseudo fixed-frequency）架構，新轉換器可提供比傳統500mA、2MHz、PWM模式的降壓轉換器快兩倍以上的瞬變響應，並能支援使用極小、僅1µH 晶片尺寸之電感

ST推高耐用性及切換性能和效率之MOSFET產品 (2008.09.30)
意法半導體進一步提高照明安定器功率MOSFET的耐用性、切換性能和效率，功率MOSET被用於安定器及開關電源的功率因數校正器(PFC)和半橋電路內。 SuperMESH3的創新技術，結合更低的導通電阻，確保其擁有更高的效率

Vishay推出30V單片功率MOSFET和肖特基二極體 (2008.09.30)
Vishay宣佈推出首款採用具頂底散熱通路的封裝的30V單片功率MOSFET和肖特基二極體，其可在具有強迫通風冷卻功能的系統中高性能運作。新型SkyFET SiE726DF器件採用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運用的效率

Linear推出高度整合的多顆電池監控IC (2008.09.24)
凌力爾特(Linear)發表一款高度整合的多顆電池監控IC LTC6802，其能量測12顆獨立的電池，專利設計並可使多顆LTC6802堆疊成串，而不需光耦合器或隔離器，因此可精準地監控串聯成長電池串列的每顆電池

Linear推出整合式 2Amp MOSFET及感測電阻 (2008.09.10)
凌力爾特( Linear )發表LTC4217，其為一款2A整合式Hot Swap控制器，並透過範圍為2.9V至26.5V之負載供應電壓來保護低功耗卡板。如同其他Hot Swap元件，LTC4217透過限制開機時提供至負載供應的突波電流量，來使卡板可安全地從通電的底板插入及移除

Avago推出新智慧型閘極驅動光耦合器 (2008.08.27)
Avago Technologies(安華高科技)宣佈推出最新的智慧型閘極驅動光耦合器產品，Avago的系列高速IGBT光耦合器相當容易整合到工業變頻器與電源管理等應用，例如隔離式IGBT/MOSFET閘極驅動、交流與無刷直流馬達驅動、工業變頻器以及不斷電電源等

環保、快速和兼具多功能的馬達驅動器電路方案 (2008.08.26)
一般的中型汽車內裝有大約50個小型的電動馬達。高度整合、快速變換、且具備脈寬調變（PWM）的馬達控制積體電路，可大幅降低能源消耗而有助於減碳節能。 Infineon汽車動力部資深行銷經理Johann B. Winter表示，Infineon的 NovalithIC系列，支援電流量達70A之馬達驅動器，頻率可達25KHz的PWM

專訪：英飛凌汽車動力部資深經理Johann Winter (2008.08.26)
一般的中型汽車內裝有大約50個小型的電動馬達。高度整合、快速變換、且具備脈寬調變（PWM）的馬達控制積體電路，可大幅降低能源消耗而有助於減碳節能。 Infineon汽車動力部資深行銷經理Johann B. Winter表示，Infineon的 NovalithIC系列，支援電流量達70A之馬達驅動器，頻率可達25KHz的PWM

Vishay推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET，該器件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有業界最小占位面積以及1.2 V時業界最低的導通電阻。憑借1.2mm×1.0mm的超小占位面積，Si8445DB比業界大小僅次於它的器件小20%，同時具有0.59mm的相同超薄濃度

Linear發表高頻高輸入供應電壓MOSFET驅動器 (2008.06.16)
凌力爾特(Linear Technology Corporation)發表一款高頻、高輸入供應電壓(100V)MOSFET驅動器LTC4446，其專為在雙電晶體順向轉換器中，驅動頂部和底部N通道電源MOSFET而設計。此驅動器結合電源MOSFET與眾多凌力爾特DC/DC控制器的其中一款後，可構成一完整的高效率雙電晶體順向轉換器、亦能設定為可快速執行運作的高壓DC開關

Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出15款採用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封裝、濃度為0.8 mm的新型功率MOSFET。新產品包括用於不同應用的各種配置及額定電壓，除了n通道及p通道的互補對外，還包括n通道及p通道的單路、單路帶肖特基二極體的及雙路的器件