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管理美國網路廣告的組織 - IAB

IAB是Internet Activities Board的簡稱,意即美國網路廣告組織,是一個專門管理與觀察美國網路廣告活動的一個機構。
英飛凌CIPOS Mini IPM提高低功率馬達效率 (2018.05.25)
全球能源效率標準通常禁止製造商進口或銷售未符合標準的產品,為了滿足特定的基本要求,必須透過使用最新技術減少能源損耗,英飛凌科技股份有限公司CIPOS Mini系列新增IM512及IM513產品
東芝推出2款車用新封裝40V N-channel溝槽功率MOSFET IC (2018.04.18)
東芝電子元件及儲存裝置株式會推出2新款小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的MOSFET產品。新IC- TPHR7904 & TPH1R104PB皆是車用40V N-channel溝槽功率MOSFET的最新Lineup。 此2款MOSFET IC採用最新第九代U-MOS IX-H溝槽製程及小型低電阻封裝,具備低導通電阻有助於降低導通損耗,與東芝上一代產品(U-MOS IV)相比,此ICs設計實現了更低的開關雜訊,幫助降低EMI
大聯大品佳集團推出英飛凌1200 V碳化矽MOSFET技術 (2018.04.17)
致力於亞太區市場的領先零組件通路商大聯大控股今日宣佈,旗下品佳集團將推出英飛凌(Infineon)1200 V碳化矽MOSFET技術。 此次推出的新技術可提升產品設計的功率密度和效能表現,並有助電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱需求,進一步提升可靠性和降低系統成本
東芝針對輸出型光耦合器推出新封裝選項SO6L(LF4) (2018.04.03)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社宣布為擴大原輸出型光耦合器陣容,即日起為SO6L系列推出全新封裝類型;新封裝SO6L(LF4)為寬引腳間距封裝,SO6L(LF4)封裝爬電距離為8mm,其符合產業規格標準
東芝推出搭載高效率、靜電放電保護、小型封裝MOSFET IC (2018.04.03)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社宣布推出搭載高效率靜電放電保護的雙MOSFET IC – SSM6N813R,此新產品適用於需耐高壓及小尺寸的車用產品或裝置,包括LED頭燈驅動IC,並於4月開始量產出貨
APEC 2018—Littelfuse推出超低導通電阻1200V碳化矽MOSFET (2018.03.16)
Littelfuse公司與從事碳化矽技術開發的美商Monolith Semiconductor推出兩款1200V碳化矽(SiC) n通道增強型MOSFET,進而擴展第一代電源半導體元件組合。Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略合作關係,旨在為工業和汽車市場開發電源半導體
美高森美瞄準工業和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款產品 40 mOhm MSC040SMA120B器件,以及與之配合的1200 V SiC蕭特基阻障二極體(SBD),進一步擴大旗下日益增長的 SiC 離散器件和模組產品組合
東芝針對繼電器驅動器推出新款小型雙通道MOSFET IC (2018.02.08)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出小型雙通道MOSFET SSM6N357R,此款新產品在漏極(Drain)和閘極端子(Gate terminals)之間有內建二極體(Diode)。此IC適用於驅動機械繼電器(Mechanical relays)等電感負載
貿澤電子供應ON Semi FDMF8811 110V橋式功率級模組 (2018.02.05)
貿澤電子開始供應ON Semiconductor的FDMF8811橋式功率級模組。FDMF8811模組適用於半橋和全橋DC-DC轉換器的100 V橋式功率級模組,其採用高效能的PowerTrench MOSFET技術,可減少轉換器應用的開關振鈴
東芝新一代600V平面MOSFET系列 結合高效率及低雜訊 (2018.01.22)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出「第九代π-MOS」,全新600V平面式MOSFET系列,量產出貨於即日起啟動。 第九代π-MOS系列採用最佳化的晶片設計,與現有的第七代系列相比,其EMI雜訊峰值低5dB[1],但同時又保持了相同水準效率
英飛凌推出600 V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET (2017.11.24)
英飛凌科技發表新款高電壓超接面(SJ) MOSFET 技術產品 600 V CoolMOS CFD7,讓CoolMOS 7 系列更為完備。 新款 MOSFET 產品滿足高功率 SMPS 市場的諧振拓樸需求,為 LLC 和 ZVS PSFB 等軟切換拓撲提供領先業界的效率與可靠度,最適合像是伺服器、電信設備電源和電動車充電站等高功率 SMPS 應用
TDSC推出中壓、高容量、小型封裝的光繼電器 (2017.11.16)
[東京訊](BUSINESS WIRE)東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, TDSC)推出一款採用小型2.54SOP4封裝的新型光繼電器TLP3145,該光繼電器關閉狀態輸出端電壓達200V,導通電流為0.4A
東芝推出小型封裝N-channel MOSFET驅動IC (2017.10.27)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出兩款TCK401G(高電位作動)和TCK402G(低電位作動)N-channel MOSFET驅動IC,該產品支援最高可達28V的輸入電壓,適合快速充電和需要大電流電源的其他應用
Littelfuse碳化矽MOSFET可在電力電子應用實現超高速切換 (2017.10.20)
Littelfuse(利特)公司推出了首個碳化矽(SiC)MOSFET產品系列,成為該公司不斷擴充的功率半導體產品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化矽技術開發公司Monolith Semiconductor Inc.,向成為功率半導體行業的領軍企業再邁出堅定一步
自我保護型 MOSFET提供高可靠性 (2017.09.18)
汽車業需要具有成本效益與完全可靠的解決方案,但這種潛在的破壞性環境,對現代汽車常見的大量控制功能所需的功率半導體裝置帶來巨大的挑戰。
電動車時代加速來臨 (2017.09.05)
至2025年,新能源車佔全球車市的比重將來到兩成,這個數據看起來微小,但相較2016年不到3%的占比,已有相當大的成長幅度。
凌力爾特推出具快速60V保護的高壓側N通道MOSFET驅動器 (2017.07.14)
美國亞德諾半導體 (Analog Devices, Inc.,ADI) 旗下的凌力爾特 (Linear Technology Corporation) 日前推出高速、高壓側N通道MOSFET驅動器 LTC7003,該元件可採用高達60V的電源電壓操作。其內部充電泵全面增強了外部N通道MOSFET開關,使其能無限期保持導通
快速trr性能的600V SuperJunction MOSFET PrestoMOS (2017.06.22)
新加入可達到低ON電阻與低QG的R60xxMNx系列產品,將可大幅提升馬達驅動應用裝置,如搭載變流器的空調設備之節能效果。
D3 Semiconductor與貿澤電子簽署全球分銷協定 (2017.06.20)
D3 Semiconductor宣佈貿澤電子 (Mouser Electronics) 現已成為其全球分銷合作夥伴。根據協定,貿澤電子目前儲備 D3 Semiconductor 的完整 650 伏額定電壓超結金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET) +FET產品線
意法半導體推出5x6mm雙面散熱微型封裝車用功率MOSFET (2017.06.08)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出採用先進PowerFLATTM 5x6雙面散熱(Dual-Side Cooling,DSC)封裝的MOSFET電晶體,新品可提升汽車系統電控單元(Electronic Control Unit,ECU)的功率密度,已被汽車零配件大廠電裝株式會社(Denso)所選用,該公司提供全球所有主要車廠先進的汽車技術

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