CTIMES - Bicmos

意法半導體先進半導體技術為未來行動網路基礎設施奠定重要根基 (2015.08.04)
意法半導體基於BiCMOS的射頻收發器可讓行動網路回程線路數據速率高達10Gbps，同時提升毫米波段的頻譜效率意法半導體（STMicroelectronics，ST）的BiCMOS55 SiGe先進技術獲歐洲E3NETWORK研發專案採用，用於開發適合下一代行動網路的高效率、高容量數據傳輸系統

SiGe PNP HBT基極摻雜工程技術 (2007.01.05)
SiGe:C npn電晶體異質接面雙極性晶體管（HBT）是 BiCMOS IC 中針對高速類比和混合訊號應用的核心技術。而高速互補技術要求pnp與npn HBT具有相似的性能。由於n 型 SiGe 基極摻雜工程技術目前仍是一項挑戰，針對此挑戰本文提出了使用標準和原子層摻雜（ALD）技術的摻雜工程技術概論

BiCMOS製程提供放大器更高精確度 (2006.05.16)
美國國家半導體（NS）為供電電壓介於0.9～12V之間的運算放大器開發了VIP50製程技術，VIP是垂直整合PNP製程技術的簡稱。VIP50製程技術是一種採用絕緣矽（SOI）的BiCMOS製程，其中採用的薄膜電阻不僅可以微調

VIP50技術，提高放大器晶片效能 (2005.09.15)
美國國家半導體最近推出新製程技術VIP50，此項技術製造出來的晶片，可以讓放大器過濾來源時更精準、更省電，用在地震偵測，能放大有用的震波，過濾不必要的雜訊，而用在PDA或是其他攜帶式電子儀器，則可以更省電

崇貿推出高度整合PWM控制晶片－SG6842 (2004.06.26)
致力於研發及生產電源管理IC晶片的崇貿科技，近期推出一款高整合度、高功能的波寬調變（PWM）控制晶片－SG6842，此晶片應用於一般交流/直流交換式電源供應器，符合系統工程師對於省電之要求，及降低產品設計成本之考量

躍入90奈米技術　Intel/台積電矽鍺市場競賽 (2002.09.13)
英特爾（Intel）近日在開發者論壇（IDF）中表示，未來將把90奈米製程技術，納入矽鍺（SiGe）製程中，但是何種矽鍺製程，英特爾並未詳述。台積電曾於美國表示，將提供0.18微米製程的矽鍺代工服務

無線通訊IC製程技術探微 (2002.09.05)
無線通訊IC已成為半導體產業未來發展的重要支柱，年產量高達四億支左右的手機市場更是目前各大半導體廠商關注的重點，本文將以無線通訊射頻IC的製程技術為探討重點，藉以說明半導體製程技術在該領域的發展與趨勢

TI導入0.4微米CMOS製程 (2002.07.30)
TI（德州儀器）今年底計畫發表0.4微米矽鍺雙載子CMOS之BiCom-III製程，該技術用於生產低雜訊晶片，其產品速度比BiCMOS製程技術快上二倍。TI今年第三季進入最終驗證階段，年底將把該技術導入8吋晶圓製程，預計將很快可正式量產產品

SiGe HBT技術發展概述 (2001.06.01)
SiGe技術經過這十幾年的研究發展，已漸漸開花結果。

台積電赴歐取得BiCMOS製程技轉 (2000.09.11)
　