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科技
典故
電源管理的好幫手——ACPI

ACPI規格讓作業系統、中央處理單元與周邊設備三方面整合起來,互相交換電源使用訊息,更加簡便而有效益地共同管理電源。
意法半導體製造首批8吋碳化矽晶圓 (2021.08.13)
意法半導體(STMicroelectronics)宣布,ST瑞典Norrkoping工廠製造出首批8吋(200mm)碳化矽(SiC)晶圓,這些晶圓將用於生產下一代功率電子晶片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得重要階段性的成功
意法半導體製造首批8吋碳化矽晶圓 (2021.08.13)
意法半導體(STMicroelectronics)宣布,ST瑞典Norrkoping工廠製造出首批8吋(200mm)碳化矽(SiC)晶圓,這些晶圓將用於生產下一代功率電子晶片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得重要階段性的成功
科銳攜手邁凌科技 實現新型超寬頻5G技術 (2021.07.14)
科銳 (Cree, Inc.,)宣佈,與美商邁凌科技(MaxLinea)成功合作,結合科銳 Wolfspeed碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)中頻功率放大器,和美商邁凌科技超寬頻線性化解決方案(MaxLin),增加了 5G 基地台的無線容量,可支援更多人同時使用,並且提高了資料傳輸速度
科銳攜手邁凌科技 實現新型超寬頻5G技術 (2021.07.14)
科銳 (Cree, Inc.,)宣佈,與美商邁凌科技(MaxLinea)成功合作,結合科銳 Wolfspeed碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)中頻功率放大器,和美商邁凌科技超寬頻線性化解決方案(MaxLin),增加了 5G 基地台的無線容量,可支援更多人同時使用,並且提高了資料傳輸速度
恩智浦將氮化鎵應用於5G多晶片模組 (2021.07.07)
降低能源消耗(energy consumption)為電信基礎設施的主要目標之一,其中每一點效率都至關重要。在多晶片模組中使用氮化鎵可在2.6 GHz頻率下將產品組合效率提高至 52%,比公司上一代模組高出8%
恩智浦將氮化鎵應用於5G多晶片模組 (2021.07.07)
降低能源消耗(energy consumption)為電信基礎設施的主要目標之一,其中每一點效率都至關重要。在多晶片模組中使用氮化鎵可在2.6 GHz頻率下將產品組合效率提高至 52%,比公司上一代模組高出8%
ST車規GaN產品新系列 整合車載充電器、自駕LiDAR等智慧電路 (2021.05.26)
意法半導體(ST)推出了 STi2GaN系列智慧整合氮化鎵(GaN)解決方案。STi2GaN在高功率配置的高性能解決方案內整合功率級和智慧電路,滿足汽車電動化趨勢下的創新需求。 (圖一)意法半導體推出高性能車規級GaN產品系列
ST車規GaN產品新系列 整合車載充電器、自駕LiDAR等智慧電路 (2021.05.26)
意法半導體(ST)推出了 STi2GaN系列智慧整合氮化鎵(GaN)解決方案。STi2GaN在高功率配置的高性能解決方案內整合功率級和智慧電路,滿足汽車電動化趨勢下的創新需求。 透過意法半導體於車用電子應用研發的豐富經驗、在智慧功率技術、寬能隙半導體材料和封裝技術的優勢和創新成果
PI推新款GaN返馳式切換開關IC 用於超小型行動充電器 (2021.05.25)
節能型電源轉換高壓IC大廠Power Integrations(PI)今日宣佈推出InnoSwitch 4-CZ系列的高頻率、零電壓切換(ZVS)返馳式切換開關IC。InnoSwitch4-CZ裝置結合了採用Power Integrations PowiGaN技術的750V主開關和高頻主動箝位返馳式控制器,適用於手機、平板電腦和筆記型電腦的超小型充電器
PI推新款GaN返馳式切換開關IC 用於超小型行動充電器 (2021.05.25)
節能型電源轉換高壓IC大廠Power Integrations(PI)今日宣佈推出InnoSwitch 4-CZ系列的高頻率、零電壓切換(ZVS)返馳式切換開關IC。InnoSwitch4-CZ裝置結合了採用Power Integrations PowiGaN技術的750V主開關和高頻主動箝位返馳式控制器,適用於手機、平板電腦和筆記型電腦的超小型充電器
是德推出客製化GaN測試板 加速動態功率元件分析儀效率 (2021.05.11)
網路連接與安全創新技術商是德科技(Keysight Technologies Inc. )宣布推出客製化氮化鎵(GaN)測試板,適用於是德科技旗下的動態功率元件分析儀/雙脈衝測試儀(PD1500A),可協助供應商和OEM功率轉換器設計人員,縮短原型開發週期,並加快讓新產品問市
是德推出客製化GaN測試板 加速動態功率元件分析儀效率 (2021.05.11)
網路連接與安全創新技術商是德科技(Keysight Technologies Inc. )宣布推出客製化氮化鎵(GaN)測試板,適用於是德科技旗下的動態功率元件分析儀/雙脈衝測試儀(PD1500A),可協助供應商和OEM功率轉換器設計人員,縮短原型開發週期,並加快讓新產品問市
英飛凌發表 30 W- 500 W 功率級應用的 CoolGaN IPS 系列產品 (2021.05.06)
採用氮化鎵 (GaN) 這類寬能隙 (WBG) 材料製成的功率開關憑藉其優異效率及高速切換頻率,開啟了功率電子的新時代。因應此一發展,英飛凌科技推出整合功率級 (IPS) 產品 CoolGaN IPS 系列,成為旗下眾多 WBG 功率元件組合的最新產品
英飛凌發表 30 W- 500 W 功率級應用的 CoolGaN IPS 系列產品 (2021.05.06)
採用氮化鎵 (GaN) 這類寬能隙 (WBG) 材料製成的功率開關憑藉其優異效率及高速切換頻率,開啟了功率電子的新時代。因應此一發展,英飛凌科技推出整合功率級 (IPS) 產品 CoolGaN IPS 系列,成為旗下眾多 WBG 功率元件組合的最新產品
ST推新款MasterGaN4元件 實現高達200W功率轉換 (2021.04.29)
半導體供應商意法半導體(ST)推出新MasterGaN4,其功率封裝整合了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率電晶體,以及優化的閘極驅動器和電路保護功能,可以簡化高達200W的高效能電源轉換應用設計
ST推新款MasterGaN4元件 實現高達200W功率轉換 (2021.04.29)
半導體供應商意法半導體(ST)推出新MasterGaN4,其功率封裝整合了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率電晶體,以及優化的閘極驅動器和電路保護功能,可以簡化高達200W的高效能電源轉換應用設計
先進半導體產業技術及發展應用研討會 (2021.04.22)
即日起網路報名至4月16日(四)止,額滿截止,逾期恕不受理現場報名;本研討會開放免費報名。
ROHM研發出150V GaN獨創結構 將閘極耐壓提升至8V (2021.04.14)
半導體製造商ROHM針對工控裝置和通訊裝置等電源電路,將150V GaN HEMT(GaN元件)的閘極耐壓(閘極-源極額定電壓)提升至8V。 近年來,在伺服器系統等設備中,由於IoT裝置的需求日益增長,功率轉換效率的提升和裝置小型化已成為開發重點
ROHM研發出150V GaN獨創結構 將閘極耐壓提升至8V (2021.04.14)
半導體製造商ROHM針對工控裝置和通訊裝置等電源電路,將150V GaN HEMT(GaN元件)的閘極耐壓(閘極-源極額定電壓)提升至8V。 (圖一)ROHM利用獨創結構,將150V GaN HEMT(GaN元件)的閘極耐壓(閘極-源極額定電壓)提升至8V,有效解決工控裝置和通訊裝置等電源電路的可靠性問題
TrendForce:第三代半導體成長強勁 GaN產值年增90.6% (2021.03.11)
根據TrendForce調查,2018至2020年第三代半導體產業陸續受到中美貿易摩擦、疫情等影響,整體市場成長動力不足致使年增率持續受到壓抑。然受惠於車用、工業與通訊需求挹注,2021年第三代半導體成長動能有望高速回升

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1 英飛凌:氮化鎵將重塑電力電子 2030年市場上看30億美元

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