CTIMES - Sic

安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣佈將其碳化矽(SiC)系列命名為「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極體。這些新的器件為能源基礎設施和工業驅動應用提供可靠、高能效的性能

ROHM第4代SiC MOSFET成功導入日立安斯泰莫電動車逆變器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和閘極驅動器IC已被日本知名汽車零件製造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱日立安斯泰莫）使用於電動車（以下簡稱EV）逆變器。在全球實現減碳社會的過程中，汽車的電動化進程持續加速，在此背景下，開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路

Transphorm按功率段發佈氮化鎵功率管可靠性評估資料 (2022.12.16)
Transphorm發佈了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估資料。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現場應用中失效的器件數。迄今為止，基於超過850億小時的現場應用資料，該公司全系列產品的平均失效率(FIT)小於0.1

TI與群光電能合作將GaN導入節能筆電電源供應器 (2022.12.14)
德州儀器（TI）宣布與群光電能（群電）於其最新款 65W 筆電電源供應器「Le Petit」中導入 TI 高整合式氮化鎵（GaN、Gallium nitride）解決方案。搭載 TI 的整合式閘極驅動器 LMG2610 半橋 GaN FET，群電與 TI 成功縮小電源供應器體積達 1/2 ，並提升電源轉換效率至高達 94%

意法半導體與Soitec攜手開發SiC基板製造技術 (2022.12.08)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與半導體材料設計製造公司Soitec宣布下一階段的碳化矽（Silicon Carbide，SiC）基板合作計畫，意法半導體準備於18個月內完成Soitec碳化矽基板技術產前認證測試

工研院與康舒開發SiC馬達驅控器加速切入國際電動車供應鏈 (2022.10.25)
經濟部透過科技專案，支持工研院與電源大廠康舒科技合作，並在今（25）日於康舒科技淡水廠區宣佈簽約。雙方除了共同開發「碳化矽動力馬達驅控器」，也將利用A+淬鍊計畫補助，整合康舒、富田電機、達信綠能，共同開發六合一碳化矽動力系統切入國際車廠Tire1供應鏈，加速由傳統車用零組件廠商轉型為電動車系統廠商

TI：提高功率密度有效管理系統散熱問題 (2022.10.21)
幾乎各種應用的半導體數量都在加倍增加，電子工程師面臨的許多設計挑戰都與更高功率密度的需求息息相關。 ‧超大規模資料中心：機架式伺服器使用大量的電力，這對於想要因應持續成長需求的公用事業公司和電力工程師構成一大挑戰

ST將於義大利興建整合式碳化矽基板製造廠 (2022.10.06)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）將於義大利興建一座整合式碳化矽（Silicon Carbide；SiC）基板製造廠，以支援意法半導體客戶對汽車及工業用碳化矽元件與日俱增的需求，協助其邁向電氣化並追求更高效率

筑波分享WBG半導體材料測試方案助力低碳SiC晶圓技術創新 (2022.09.23)
工研院「循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新講座」，邀請碳化矽晶圓材料與製程廠商代表與會，期望藉由此課程交流機會，提升產業低碳碳化矽長晶技術能量。筑波集團董事長許深福分享「WBG半導體材料測試挑戰與方案」，如何提升測試技術、確保製程品質、降低成本及加速產品上市時間為需克服的挑戰

安森美在捷克擴建碳化矽工廠未來兩年SiC產能提高16倍 (2022.09.22)
安森美(onsemi)，慶祝其在捷克共和國Roznov擴建的碳化矽「SiC」工廠的落成。以工業和貿易部科長Zbynek Pokorny、茲林州州長Radim Holis和市長Jiri Pavlica以及其他當地政要為首的多位嘉賓出席了剪綵儀式，突顯此事件和半導體製造在捷克共和國的重要性

碳化矽SiC良率提升不易恐牽連電動車與綠能發展進度 (2022.09.15)
基於其耐高溫與耐高壓的特色，使得碳化矽（SiC）的功率元件，成為電動車與綠能相關應用的首選電源解決方案。但由於本身材料的特性難以駕馭，使得其晶圓與元件的產能和良率偏低，短期間內將難以滿足持續高漲的市場需求，甚至有可能因此限制了相關應用的發展進度

TI：氮化鎵電源管理設計將被加速採用 (2022.09.15)
隨著全球技術不斷升級，電源設計人員對功率密度和系統級效率的關注也隨之提高，從而帶動更高效的寬能隙功率半導體應用由以往的資料中心擴展至測試和測量、儲能系統 (ESS) 及消費性電子等應用領域

碇基半導體獲4.56億元投資加速開發氮化鎵功率半導體 (2022.09.14)
台達子公司碇基半導體，宣布已完成新一輪4.56億新台幣的增資合約簽訂，且在這次增資的同時，獲得了與力智電子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商羅姆半導體（Rohm），以及母公司台達等夥伴建立策略合作關係，共同加速GaN功率半導體技術的發展

Transphorm獲得美國能源部合約提供新型四象限氮化鎵開關管 (2022.09.05)
Transphorm宣布贏得一份美國能源部先進能源研究計畫署(ARPA-E)的合約。該專案是ARPA-E CIRCUITS計畫的一部分，透過與伊利諾理工學院的轉包合約展開，包括提供採用氮化鎵的四象限雙向開關管(FQS)

SiC牽引逆變器降低功率損耗和熱散逸 (2022.08.25)
本文說明如何在EV牽引逆變器中驅動碳化矽（SiC）MOSFET，透過降低電阻和開關損耗來提高效率，同時增加功率和電流密度。

EPC推出ePower功率級積體電路實現更高功率密度和簡化設計 (2022.08.11)
宜普電源轉換公司（EPC）推出ePower功率級積體電路，它整合了整個半橋功率級，可在1 MHz工作時實現高達35 A的輸出電流，為高功率密度應用提供更高的性能和更小型化的解決方案，包括DC/DC轉換、馬達控制和D類音頻放大器等應用

TI：SiC MOSFET可減少功率損耗和熱散逸 (2022.08.11)
隨著電動車（EV）製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈，電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率，來提升續航里程並增加競爭優勢

EPC推出高功率密度100V抗輻射電晶體滿足嚴格航太應用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其總劑量等級大於1 Mrad，線性能量轉移的單一事件效應抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝，這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）和IC相同

ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力

Wolfspeed首座8吋SiC晶圓廠投入量產 (2022.05.03)
Wolfspeed宣佈其位於美國紐約州莫霍克谷（Mohawk Valley）的SiC製造工廠正式營業。這座 200mm(8英吋)晶圓廠將助力推進諸多產業從 Si 基產品向 SiC 基半導體的轉型。紐約州州長 Kathy Hochul 蒞臨現場並預祝 Wolfspeed 在莫霍克谷（Mohawk Valley）大展宏圖