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科技
典故 |
第一顆電晶體(Transistor)的由來
第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
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ADI發表具備插入損耗的精小LGA封裝44GHz矽切換開關 (2018.06.11)
亞德諾半導體(ADI)推出採用先進絕緣矽片(SOI)技術的44GHz單刀雙擲(SPDT)切換開關產品ADRF5024和ADRF5025。
兩款新型切換開關均為寬頻產品，可分別在100MHz至44GHz、9kHz至44GHz範圍內提供平坦的頻率響應，且兩者的可重複特性優於1.7dB的插入損耗和35dB的通道間隔離 |
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Vishay推新高壓單、雙電源單刀雙擲類比開關 (2008.01.14)
Vishay推出兩款新型高壓單、雙電源單刀雙擲(SPDT)類比開關。DG469與DG470器件是相同的，不同之處是DG470帶有啟動引腳，該引腳可將所有開關置於高阻抗狀態，從而在啟動時可保持“安全狀態”並可防止意外信號或電源短路 |
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