CTIMES - 碳化矽

安森美全新650V碳化矽MOSFET系列滿足車規與工規應用需求 (2021.02.18)
安森美半導體(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET裝置，適用於對功率密度、能效和可靠性要求極高的應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術，將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、伺服器電源(PSU)、電信和不斷電供應系統(UPS)等應用中實現顯著的更佳性能

英飛凌攜手GT Advanced Technologies 擴大碳化矽供應 (2020.11.13)
英飛凌科技與GT Advanced Technologies簽署碳化矽（SiC）晶棒供貨協議，該合約的初始期限為五年。透過這份供貨合約，英飛凌進一步確保滿足其在該領域不斷增長的需求。英飛凌工業電源控制事業部總裁Peter Wawer表示：「我們看到對碳化矽開關的需求在穩步增長，特別是在工業應用方面

Microchip推出最新車用700和1200V碳化矽蕭特基二極體 (2020.10.29)
汽車電氣化浪潮正席捲全球，電動汽車搭載的馬達、車載充電器和DC/DC轉換器等高壓汽車系統都需要碳化矽（SiC）等創新電源技術。Microchip今日宣佈推出最新通過認證的700和1200V碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD）功率元件，為電動汽車（EV）系統設計人員提供了符合嚴苛汽車品質標準的解決方案，同時支援豐富的電壓、電流和封裝選項

聯合碳化矽與益登簽署代理協議加速導入碳化矽技術 (2020.09.16)
碳化矽（SiC）功率半導體製造商聯合碳化矽宣佈與半導體元件代理商與解決方案供應商益登科技簽署代理協議。益登將與聯合碳化矽合作，助其將產品推向亞洲市場，為包括電動汽車、電池充電、IT基礎建設、可再生能源和電路保護等高速成長應用領域的客戶提供產品方案

英飛凌推出伺服馬達專用的碳化矽MADK評估板 (2020.09.09)
馬達應用佔了電力電子應用市場的主要區塊。英飛凌科技宣佈推出CoolSiC MOSFET模組化應用設計套件(MADK)評估板，有助縮短該相關應用的產品上市時間。EVAL-M5-IMZ120R-SIC評估板是最高7.5kW馬達的MADK平台系列之一員，特別針對伺服馬達應用所設計的3相變頻器板

英飛淩推出分離式CoolSiC MOSFET模組化評估平台助碳化矽成為主流 (2020.05.25)
雙脈衝測試是設計人員要瞭解功率裝置切換特性的標準程序。為方便測試1200V CoolSiC MOSFET採用TO247 3針腳和4針腳封裝的驅動選項，英飛凌科技推出模組化評估平台，其核心包含一個主板與可互換的驅動器卡板，驅動器選項包括米勒鉗制和雙極供電卡；其他版本將於近期內推出

GTAT和安森美半導體簽署SiC材料供應協議提高寬能隙材料供應 (2020.03.19)
GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導體(ON Semiconductor)，宣佈執行一項為期五年的協議，總價值可達5,000萬美元。根據該協定，GTAT將向高能效創新的全球領袖之一的安森美半導體生產和供應CrystX 碳化矽(SiC)材料，用於高增長市場和應用

Microchip擴展碳化矽電源晶片產品線提升能源效率、尺寸和可靠性 (2020.03.17)
業界希望基於碳化矽（SiC）的系統能大幅提升效率、減小尺寸和重量，協助工程師研發創新的電源解決方案；這一需求正在持續、快速地增長。SiC技術的應用場景包括電動汽車、充電站、智慧電網、工業電力系統、飛機電力系統等

羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布碳化矽晶圓長期供應協議 (2020.01.16)
羅姆和半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）宣布與羅姆集團旗下在歐洲SiC晶圓市佔率第一的SiCrystal公司簽署一項碳化矽（SiC）晶圓長期供應協議。協定規定，SiCrystal向意法半導體提供總價超過1.2億美元之先進150mm碳化矽晶片，滿足時下市場對碳化矽功率元件日益成長的需求

ROHM旗下SiCrystal與ST達成碳化矽晶圓長期供貨協議 (2020.01.15)
半導體製造商ROHM和意法半導體（ST）宣佈，雙方已就羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH（SiCrystal）長期供應碳化矽（SiC）晶圓事宜達成協定。在SiC功率元件快速發展及其需求急速增長的背景下，雙方達成價值超過1.2億美元的協議，由擁有歐洲最大SiC晶圓產能的SiCrystal，針對為多樣電子設備供貨的全球半導體廠ST，提供先進的150mm SiC晶圓

Cree和ST擴大現有SiC晶圓供貨協定並延長協定期限 (2019.11.22)
Cree和半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，ST）宣布，雙方將現有碳化矽（SiC）晶圓多年長期供貨協定總價提升至5億美元以上，並延長協定有效期限。這份延長供貨協議相較原合約總價提升一倍

科銳與采埃孚推進電驅動領域合作 (2019.11.06)
全球碳化矽（SiC）半導體企業科銳（Cree, Inc.）與德國采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣佈達成戰略合作，開發業界領先的高效率電傳動設備。通過此次戰略合作，科銳與采埃孚將強化現有的合作

博世聚焦SiC晶片應用強化電動交通科技往 (2019.10.25)
現今汽車已大量使用半導體。實際上，每一台新車使用超過50顆半導體。博世開發的新型碳化矽(SiC)晶片，將讓電動交通再向前邁進一大步。未來此種特殊材料所製造的晶片將會引領電動車與油電混合車控制器的電力電子技術的發展

Cree和意法半導體宣布碳化矽晶圓長期供貨協議 (2019.01.10)
Cree宣布簽署一份長期供貨協議，為橫跨多重電子應用領域的全球領先半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）生產和供應Wolfspeed 碳化矽（SiC）晶圓。按照該協議規定，在目前碳化矽功率元件市場需求明顯成長的期間，Cree將向意法半導體提供價值2.5億美元之150mm先進碳化矽裸晶圓與磊晶晶圓

英飛凌收購Siltectra 碳化矽晶片產能將倍增 (2018.11.19)
英飛凌科技宣布收購位於德國德勒斯登的新創公司 Siltectra 。該新創公司開發一種創新的冷切割技術 ( Cold Split )，可有效處理晶體材料，並可大幅減少材料損耗。英飛凌將採用此 Cold Split 技術分割碳化矽 (SiC) 晶圓，使晶圓產出雙倍的晶片數量

UnitedSiC發布全新UF3C FAST碳化矽FET系列產品 (2018.11.06)
碳化矽（SiC）功率半導體製造商UnitedSiC宣布推出採用標準TO-247-3L封裝之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相較現有UJC3系列，FAST系列具有更快的切換速度和更高的效率水準

Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充碳化矽MOSFET器件組合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET產品的重要補充，也是Littelfuse公司已發佈的1200V碳化矽MOSFET和蕭特基二極體的強有力補充

碳化矽晶圓全球產能有限市場仍處於短缺中 (2018.10.07)
相較於矽（Si），採用碳化矽（SiC）基材的元件性能優勢十分的顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而，這些優勢卻始終未能轉換成市場規模，主要的原因就出在碳化矽晶圓的製造和產能的不順暢

低耗能、小型化碳化矽的時代新使命 (2018.10.03)
為了讓電子產品能朝低耗能、高效率與小型化等三大主流趨勢發展，便需要效率更高、性能更好且要能小型化的新一代功率元件。碳化矽獨特的物理特性，正適合用於滿足這些需求

碳化矽元件的市場發展關鍵：晶圓製造 (2018.10.03)
碳化矽有很高的硬度，僅次於金剛石，需要在極高溫才能燒熔，再加上生產條件的控制難度大，導致碳化矽晶圓量產不易，直接影響了終端晶片與應用的發展。