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aveni S.A.電鍍化學技術 將銅互連擴展至5nm以下節點 (2018.01.04)
為2D互連和3D矽穿孔封?提供濕沉積技術與化學材料的開發商與生產商aveni S.A.宣佈，其已獲得成果顯示可有力支持在先進互連的後段製程中，在5nm及以下技術節點可繼續使用銅 |
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aveni已完成對默克風投公司和現有投資者的B輪融資 (2017.10.27)
[法國巴黎訊]二維互連和3D TSV封裝市場破壞性濕式沉積技術和化學品開發及製造商aveni公司，今日宣佈已完成對默克風投公司（默克集團風投部門）和現有投資者的B輪融資，共籌集890萬歐元（合1050萬美元） |
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電接枝技術助益3D TSV製程 (2016.07.28)
金屬沉積是成功的TSV性能的關鍵製程之一。在TSV的常規金屬沉積製程中，阻障和晶種步驟使用的是傳統的自上而下的沉積製程，用來實現高深寬比TSV的金屬化時，可能會給傳統製程帶來一些挑戰 |
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Alchimer更名為aveni：進入技術商業化階段 (2015.07.17)
為鑲嵌、矽穿孔（TSV）、MEMS及其他電子應用提供金屬化技術的供應商Alchimer S.A.宣佈，公司已更名為 aveni。這一變化預示著面向未來，公司從證明其技術到充分準備批量生產的一項重大轉變 |
ITU最主要的工作就是制定無線傳輸設施的相關規範，例如手機、飛航通訊、航海通訊、衛星通訊系統、廣播電台和電視台等無線傳輸設施，
