國研院半導體中心與旺宏電子合作，成功開發「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體（3D DRAM）」，此技術突破傳統2D記憶體限制，採用3D堆疊技術，大幅提升記憶體密度與效能，且具備低功耗、高耐用度優勢，有助於提升AI晶片效能。
此新型3D DRAM採用無電容設計，以兩顆氧化銦鎵鋅（IGZO）電晶體串聯儲存資料，大幅縮小元件尺寸，並提升資料保存時間，降低能耗。
此外，雙方結合國研院的「積層型3D晶片製程服務平台」與旺宏電子的Bit-Cost Scalable專利製程技術，成功解決3D堆疊記憶體製程上的技術難題。
目前全球僅有少數頂尖團隊研發3D DRAM，國研院與旺宏的合作成果有望在未來量產後，取得世界領先地位，並為台灣半導體產業在高階記憶體領域開創新局。
