簡介

- 3D NAND快閃記憶體的產品目前配有超過300層堆疊氧化層和字元線層，以滿足位元儲存能力方面的需求。

- 記憶體產業持續增加如此驚人的堆疊層數，但是必須採用附加的「微縮加速器」才能實現這點。
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