功率半导体元件与电源、电力控制应用有关，特点是功率大、速度快，有助提高能源转换效率，多年来，功率半导体以矽（Si）为基础的晶片设计架构成为主流，碳化矽（SiC）、氮化??（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体元件的应用更为多元，效率更高。

MOSFET与IGBT双主流各有痛点

高功率元件应用研发联盟秘书长林若??博士（现职为台湾经济研究院研究一所??所长）指出，功率半导体元件是电源及电力控制应用的核心，具有降低导通电阻、提升电力转换效率等功用，其中又以MOSFET（金属氧化半导体场效电晶体）与IGBT（绝缘闸双极电晶体）的应用范围最为重要，两者各有优势及不足。
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