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新唐高抗干扰Cortex━M4F MCU - M451系列,5V供电、脚位兼容

新唐科技推出高抗干扰NuMicro M451全新系列产品,全系列以ARM Cortex-M4F为核心,规格上采用宽电压2.5V~ 5.5V供电及5V I/O规格,大幅增强系统可靠度,提供工业规格操作温度,最低为-40℃、最高达105℃,全温全压高精度内部RC 振荡 22.1184MHz +/- 2%,外挂32.768KHz晶振可自动校准至全温度误差到小於+/- 0.25%,强悍提升系统抗干扰能力与充分满足对通讯精度规格要求,适合於工业控制、自动化系统、安全监控、车用电子、数位电源等高性能精密应用。特别设计的电压调整介面(Voltage Adjustment Interface, VAI),系统可独立调整I/O电压准位(1.8V~5.5V),不需再为周边元件调整介面电压差异而增加额外成本,且I/O输入设计5V容限能力,大幅提升系统整合与稳定能力。


图一 : 高抗干扰NuMicro M451全新系列产品,全系列以ARM Cortex-M4F为核心
图一 : 高抗干扰NuMicro M451全新系列产品,全系列以ARM Cortex-M4F为核心

NuMicro M451全系列共有33颗型号产品,包含M451基础系列、M452 USB功能系列、M453 CAN总线系列及脚位元相容Cortex-M0微控制器M051的M451M系列,新唐科技擘划完整之产品线,可充分满足各层次产品对Cortex-M4F的需求,并完整满足客户现在之开发需求及对未来的创新想像。


NuMicro M451全系列采用内建数位信号处理单元(Digital Signal Processor, DSP)与浮点运算单元(Floating Point Unit, FPU)的ARM Cortex-M4F 核心,具备高运算效能,可运行至72 MHz,内建256/128/72/40K Bytes程式记忆体(Flash ROM)、32/16K Bytes 资料记忆体(SRAM),符合国际电子技术委员会(International Electrotechnical Commission, IEC) 60730标准之记忆体同位检查(Parity Check),硬体??圈冗馀校验(Cyclic Redundancy Check, CRC);内建线上升级程式(Boot ROM)可独立更新程式区(AP Flash ROM),另外配置额外独立4K Bytes线上升级记忆体区(In-System Programming Flash ROM),使用者可自行开发更具弹性且支援多种外设UART, SPI, I2C, CAN 和USB线上升级程式码。此外还支援外扩汇流排界面(External Bus Interface, EBI),使外接记忆体更灵活;全系列配置优异之规格:4组32位计时器(Timer)、双看门狗、巢状中断控制结构(Nested Vectored Interrupt Controller, NVIC),整合丰富的周边设备,如周边记忆体直接存取(Peripheral Direct Memory Access, PDMA)、即时时钟(Real Time Clocks, RTC)、5组通讯介面(UART)支援16层先进先出(First in First out, FIFO)、3组四线制串列汇流排界面(Serial Peripheral Interface, SPI)支援四线模式(Quad Mode)、2组I2C支援SMBus和PMBus、2组I2S、2组LIN、CAN总线、ISO-7816-3介面、全速USB OTG设备、全速USB设备、1 MSPS高转换速度之16通道12位元类比数位转换器(ADC),内建叁考电压(Voltage Reference, Vref)产生电路、12位元数位类比转换器(DAC)、2组类比比较器及温度感测器等特色,实践开发者对产品高整合度需求。
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