虽然SoC（系统单芯片）已经成为IC设计的主流趋势，但其设计的高复杂与高成本对电子产业界来说仍是短时间内难以跨越的门坎，尤其是以市场价格为导向的消费性电子产品；为此，采用系统级封装（System in a package；SiP）的解决方案也应运而生。以芯片封装技术来达到高整合度与节省空间目标的SiP，效果与SoC相去不远，且能节省大量IC设计成本，具备庞大商机潜能的市场吸引全球半导体封测厂商积极投入，竞争情况十分激烈，其中有一家崛起于美国硅谷的无晶圆厂业者Inapac（英沛科技），则以SiP所使用的内存设计为市场切入点，企图以其独特的专利技术拓展一片天空。

《图一 Inapac营运部副总裁Fan Ho》

SiP所需的内存有何特出之处？Inapac营运部副总裁Fan Ho提出说明指出，目前的SiP技术在结合各个不同功能的IC以形成“系统”的过程中，内存的整合是一大挑战，原因是传统的DRAM需要经过12～24小时的预烧（Burn-in）程序来确保芯片质量，因此无法与其他芯片一同整合进SiP中。但目前具备各种影音功能的可携式电子设备，对于更小体积芯片与更高容量的嵌入式内存需求日益增加，克服以上瓶颈成为一大挑战。诞生于2000年、由多位资深DRAM业界人士创立的Inapac在此一趋势之下，成功地以独家的“电压感生预烧仿真（Voltage Induced Burn-In Emulation；VIBE）”技术，推出了为SiP设计的DRAM颗粒；所谓的VIBE是利用一种特殊电路来控制与其他压力机制组合之DRAM内部的讯号与电源，以仿真业界标准的炉式预烧效果，而这些程序皆可在晶圆阶段就完成，使取得的DRAM颗粒拥有与封装后产品相同或更佳的质量与可靠性，无需再进行耗费时间与成本的的预烧程序。

Fan Ho表示，Inapac所推出的SiP DRAM解决方案，特别适用各种需要轻、薄、短、小设计的多功能消费性电子产品，厂商能将DRAM与ASIC整合成SiP，除能达到节省机体内部空间的效果，也能降低系统耗电量与电磁干扰等问题，提高信号的完整性。目前Inapac已开始提供容量从16M到128M、总线宽度从16位到128位的SiP专用DRAM芯片，并且有JEDEC或定制接口的高速、超低功率版本可供选择，此外也提供客制化的DRAM芯片设计与多芯片封装技术支持，客户包括移动电话、数字电视、平面显示器、掌上型电玩等设备的厂商。在台湾市场，Inapac除透过代理商的支持，也在新竹设置了客户支持中心，并与国内DRAM大厂茂德（ProMos）有良好的合作关系。Fan Ho表示，市场上尚未见到有其他的竞争对手提供如Inapac的产品，因此该公司也希望能以这样的独特技术打开亚洲区市场，提供本地客户更接近的支持服务。