Microchip IGBT 7功率元件组合优化永续、电动出行和资料中心应用设计

因应电力电子系统设计，功率元件不断发展。Microchip推出采用不同封装、支援多种拓扑结构及电流和电压范围的IGBT 7元件组合，具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的元件尺寸，旨在满足永续、电动汽车和资料中心等高增长细分市场的需求。高效能IGBT 7元件是太阳能逆变器、氢能生态系统、商用车和农用车以及更多电动飞机（MEA）中电源应用的关键构件。

图一 : Microchip的IGBT 7功率元件组合为永续、电动出行和资料中心应用而优化设计，支援多种拓扑结构、电流和电压范围。

设计人员可根据不同的需求选择合适的功率元件解决方案。IGBT 7元件采用标准D3和D4 62毫米封装，以及SP6C、SP1F和SP6LI封装。该产品组合可在拓扑结构中提供三电位中性点钳位（NPC）、三相桥、升压斩波器、降压斩波器、双共源、全桥、相脚、单开关和T型等多种配置。支援电压范围为1200V至1700V，电流范围为50A至900A。

多功能IGBT 7系列产品结合易用性和成本效益与更高功率密度和可靠性，提供最大的灵活性。这些产品针对通用工业应用以及专业航太和国防应用而设计。更低的导通IGBT电压（Vce）、改进的反并联二极管（Vf更低）和更高的电流能力可实现更低的功率损耗、更高的功率密度和更高的系统效率。低电感封装加上Tvj -175。C时更高的过载能力，以较低系统成本创建坚固耐用、高可靠性航空和国防应用（如推进、驱动和配电）的选择。
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