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Silicon Labs推出Si828x版本2 优化SiC FET驱动效能

增加Si828x版本2,使该产品系列能更有效驱动碳化矽(SiC)场效电晶体(FET)闸极,进而满足半桥和全桥逆变器以及电源供应不断成长的市场需求,这些设备需要提高功率密度、降低运行温度并减少开关损耗。


图一 : Si828x新功能为电动车和各种工业应用而优化,包含提高功率密度、降低运行温度并减少开关损耗。
图一 : Si828x新功能为电动车和各种工业应用而优化,包含提高功率密度、降低运行温度并减少开关损耗。

Silicon Labs??总裁暨电源产品总经理Brian Mirkin表示:「Si828x产品系列具备多种优势,相当适合混合动力和电动车(EV)以及工业应用。在设计汽车充电器和牵引逆变器时,使用SiC FET进行功率开关的客户将受益於Si828x强健的闸极驱动、稳定的去饱和故障回应,以及高效率的米勒钳位(Miller Clamp)的独特组合。」


Silicon Labs与碳化矽解决方案主要提供商Wolfspeed进行合作,其闸极驱动器已通过Wolfspeed SiC MOSFET测试。
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