三星、SK 海力士、美光開始啟動DDR6研發

隨著生成式 AI、HPC以及自動駕駛技術的爆發式成長，數據傳輸的頻寬已成為制約運算效能的核心瓶頸。根據外媒報導下，全球記憶體三大巨頭，包括三星電子、SK 海力士與美光已正式鳴槍起跑，全面展開下一代標準DDR6的研發與規格制定，預計將於 2028 年正式進入商用化階段。

相較於目前市場主流的 DDR5，DDR6 的核心進化在於頻寬的翻倍增長。根據 JEDEC（電子設備工程聯合委員會）初步制定的藍圖，DDR6 的數據傳輸速率預計將從 DDR5 基礎的 4,800~6,400 Mbps，躍升至 12,800 Mbps 起跳，最高甚至可望突破 21,000 Mbps（約 21 Gbps）。

為了達成此目標，DDR6 預計將導入更先進的信號傳輸技術，例如從目前的 NRZ（非歸零碼）轉向更高密度的 PAM4（四電位脈波振幅調變）信號調變，這能在相同的週期內傳輸更多數據位元。然而，這也對電路設計與訊號完整性提出了前所未有的技術挑戰。

三星電子身為產業領頭羊，早在去年便透露已開始規劃 DDR6 的技術藍圖，目標利用其領先的極紫外光（EUV）微影技術，實現更小線寬與更低功耗。三星預計在 2025 年左右完成技術設計，並於 2027 年提供樣品。

SK 海力士則憑藉在 HBM市場的技術領先優勢，試圖將堆疊技術與散熱解決方案移植至 DDR6 開發中。SK 海力士強調，未來的 DDR6 將不只是 PC 的組件，更是支撐 AI 伺服器穩定運行的關鍵基礎設施。

美光則採取穩紮穩打的策略，專注於功耗比（Power Efficiency）的優化。美光認為，隨著數據中心對能源管理的日益嚴苛，DDR6 必須在提供高效能的同時，顯著降低單位比特（bit）的能耗。

分析師預測，2024 至 2026 年將是 DDR5 的滲透率高峰期，而 DDR6 的出現將剛好銜接下一代處理器架構的更新。儘管 2028 年才正式商用，但供應鏈的競爭從現在就已經開始。從封裝測試廠到 PCB 板材供應商，都必須針對更高頻率的訊號傳輸進行升級。