IR新款DirectFET MOSFET提供超低導通電阻

國際整流器公司（IR）推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型的25V元件提供業界最低的導通電阻（RDS(on)），並且針對動態ORing、熱切換及電子保險絲等DC開關應用作出了最佳化。

圖一 : IR新款DirectFET MOSFET提供超低導通電阻

IRF6718新款大型的DirectFET封裝中融入了IR新一代矽技術，提供極低的RDS(on)—在10V Vgs一般只有0.5mOhm，同時較D2PAK的面積小60%，而且厚度小85%。新元件大幅減少了與傳輸元件相關的傳導損耗，從而大大提高整體系統的效率。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示，IRF6718是IR第一款採用大型DirectFET封裝的元件，擁有更低的RDS(on)，為高密度DC-DC應用，如較D2PAK面積更少的伺服器，提供卓越的效率及熱效能。另外，該元件亦有助於節省電路板空間及整體系統的成本，因為在特定功率損耗下，它較現時的方案擁有較少的元件。

此外，IRF6718為電子保險絲及熱切換電路，提供經已改良的安全操作區域（SOA）能力。該元件採用無鉛設計，並符合RoHS法規要求。IRF6718是IR針對DC開關應用的25V DirectFET產品系列之延伸。IRF6717中罐及IRF6713小罐型DirecFET亦針對DC開關應用，並且在各自的PCB面積上提供業極佳的RDS(on)。