日本OIST發表全新簡化高NA EUV設計 大幅降低半導體功耗與成本

沖繩科學技術大學院大學（OIST）新田特束教授17日於《微/奈米圖案化、材料與計量學期刊》（JM3）發表一項創新性的光學硬體破局技術，宣布對高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）曝光機的照明與投影系統進行激進重構，解決半導體光學功耗與昂貴資本支出瓶頸。

這項全新電子科技在於將光學反射鏡的數量從傳統的高達十餘面極致縮減至僅剩四面。在先進晶圓代工製程中，極紫外光每經過一面反射鏡就會損失大約40%的能量，這意味著傳統高NA EUV系統僅有不到1%的光源能量能最終照射到矽晶圓上，造成高昂的電力浪費與光源設備折舊。

OIST團隊研發的全新內線式投影（In-line projector）技術，透過簡化光路設計，使能量轉換效率呈現指數級?升。模擬數據證實，該系統不僅大幅降低7nm以下高階晶片量產時的基礎設施能耗，也縮減了晶圓廠的建置成本。