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科林研发推出Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术 加速3D NAND在AI时代的微缩
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年08月06日 星期二

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Lam Research 科林研发推出 Lam Cryo 3.0,这是该公司经过生产验证的第三代低温介电层蚀刻技术,扩大了在 3D NAND 快闪记忆体蚀刻领域的领先地位。随着生成式人工智慧(AI)的普及不断推动更大容量和更高效能记忆体的需求,Lam Cryo 3.0 为未来先进 3D NAND 的制造提供了至关重要的蚀刻能力。Lam Cryo 3.0 利用超低温、高功率局限电浆反应器技术和创新的表面化学制程,以精度和轮廓控制进行蚀刻。

Lam Cryo 3.0 利用超低温、高功率局限电浆反应器技术和创新的表面化学制程进行蚀刻。
Lam Cryo 3.0 利用超低温、高功率局限电浆反应器技术和创新的表面化学制程进行蚀刻。

迄今为止,3D NAND 主要透过储存单元的垂直层堆叠取得进展,这是透过蚀刻深而窄的 HAR 储存通道实现的。蚀刻轮廓的极小原子级误差可能会对晶片的电效能产生负面影响,并可能影响良率。经过最隹化的 Lam Cryo 3.0,可解决上述提及和其他微缩方面的蚀刻挑战。

關鍵字: 3D NAND  Lam Research  科林研發 
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