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ST收购氮化??创新企业Exagan多数股权 扩大高频大功率开发计画
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2020年03月11日 星期三

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半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics;ST)已签署收购法国氮化??(GaN)创新企业Exagan多数股权的并购协议。Exagan的磊晶制程、产品研发和应用经验将拓展并推动意法半导体之车用、工业和消费性功率GaN的研发和业务。Exagan将继续执行现有产品规划,意法半导体则将为其部署产品提供支援。

意法半导体总裁暨执行长Jean-Marc Chery表示,「意法半导体的碳化矽发展布局具备强大的动能,现在我们正扩大对另一种前景看好之复合材料━氮化??的投入,以促进车用、工业和消费性市场客户采用GaN功率产品。收购Exagan的多数股权可强化公司在全球功率半导体市场的领先地位,同时也是我们对於GaN长远规划、生态系统和业务向前迈出的另一步。这是目前与CEA-Leti在法国图尔的开发专案,还有近期宣布与台积电合作专案的另个成果。」

氮化??(GaN)属於宽带隙(Wide Bandgap,WBG)材料家族,其中包括碳化矽。GaN基板材料是高频功率电子元产业的一大进步,其效能和功率密度优於矽基电晶体, GaN基板元件节能省电、缩减系统大小。GaN元件适合各种应用,例如,伺服器、电信和工业用功率因数校正和DC/DC转换器;电动汽车车载充电器和车规DC-DC转换器,以及电源适配器等个人电子应用。

關鍵字: 氮化镓  ST 
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