应用材料公司推出全新的沉积、蚀刻及材料改质系统，能在2奈米及更先进节点提升尖端逻辑晶片效能。这些技术透过对最基本的电子元件电晶体进行原子尺度改良，从而大幅提升AI的运算能力。

应用材料公司环绕式闸极（GAA）电晶体与布线创新技术示意图

采用环绕式闸极电晶体是半导体产业的重要转折，也是实现更高能源效率，以支撑更强大AI晶片运算所需的关键技术。随着2奈米世代环绕式闸极晶片今年迈入量产，应材同步推出全新的材料创新技术，进一步强化埃米节点的新一代环绕式闸极电晶体效能。这些全新晶片制造系统带来的整体效益，显着提升了环绕式闸极制程节点转换的整体能源效率。

环绕式闸极电晶体的核心在於水平堆叠、承载电流的「奈米片」。这些奈米片由仅数奈米宽的超薄矽所构成，其物理结构必须具备极高的精准度，才能确保每一片都能有效作为电荷载子的传导路径。奈米片的表面状况尤为关键，即使是原子级的粗糙或污染，都可能显着影响其电性表现和最终晶片的整体效能。洁净且高度均匀的奈米片表面，可大幅提升通道的电子迁移率，这在决定电晶体开关速度方面至关重要，从而制造出速度更快、能源效率更高的电晶体，以满足新一代AI晶片的需求。