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Transphorm推出參考設計 加速氮化鎵電源配接器開發
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2022年06月27日 星期一

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Transphorm推出七款參考設計,旨在加快採用氮化鎵的USB-C PD電源配接器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項,涵蓋多種拓撲結構、輸出和功率(45W至140W)。

Transphorm推出參考設計組合,加快USB-C PD氮化鎵電源配接器的開發
Transphorm推出參考設計組合,加快USB-C PD氮化鎵電源配接器的開發

SuperGaN技術的差異化優勢

電源配接器參考設計採用SuperGaN第IV代650V FET,具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優勢,這些特點已經成為Transphorm氮化鎵元件的代名詞。在最近的對比分析中,與175毫歐的e-mode氮化鎵元件 相比,Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電阻上升幅度,並在50%和100%(全)功率下擁有更高的性能。

電源配接器參考設計

Transphorm的參考設計組合包括五款開放框架的USB-C PD參考設計,頻率範圍從140到300 kHz。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor合作開發的一款65W主動鉗位反馳模式(ACF)參考設計,執行頻率為140kHz,峰值效率為94.5%。

‧45W配接器參考設計採用準諧振反馳模式(QRF)拓撲結構,可提供24 W/in3的功率密 度

‧65W配接器參考設計採用ACF或QRF拓撲結構,可提供30 W/in3的功率密度

‧100W配接器參考設計採用功率因數校正(PFC)+QRF拓撲結構,可提供18 W/in3的 功率密度

Transphorm的參考設計組合還包括兩款開放架構的USB-C PD/PPS參考設計,頻率範圍110到140 kHz。Transphorm與Diodes合作開發了這兩款解決方案,利用該公司的ACF控制器實現了超過93.5%的峰值效率。

‧65W配接器參考設計採用ACF拓撲結構,可提供29 W/in3的功率密度

‧140W配接器參考設計採用PFC+ACF拓撲結構,可提供20 W/in3的功率密度

Transphorm現場應用和技術銷售副總裁Tushar Dhayagude表示:「Transphorm獨具優勢,可提供唯一能適用於廣泛應用的、涵蓋眾多功率水準的氮化鎵FET組合。我們的電源配接器參考設計凸顯出我們的低 功率能力。我們提供與控制器無關的PQFN和TO-220元件,可以極大地簡化設計。這些優勢以及其他特點有助於客戶快速、輕鬆地在市場上推出具有突破性功率效率水準的氮化鎵解決方案。這正是Transphorm氮化鎵元件的價值所在。」

關鍵字: USB-C  PD  Transphorm 
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